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81. 发明申请

WO2008155522A2 IMPROVEMENTS RELATING TO SEMICONDUCTOR PACKAGES 审中-公开
标题翻译：关于半导体封装的改进
公开(公告)号：WO2008155522A2
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/GB2008/002028
申请日：2008-06-13
申请人： RF MODULE AND OPTICAL DESIGN LIMITED , HOLLAND, Andrew, George
发明人： HOLLAND, Andrew, George
CPC分类号： H01L25/105 , H01L24/14 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2225/1005 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： A semiconductor package comprising a first semiconductor sub-package (40) having a connection face (44) with un-supported connectors (21) depending therefrom arranged to electrically connect a first semiconductor device contained therein to an external circuit, and at least one second semiconductor sub-package (42) also having a connection face (46) with un-supported connectors (25) depending therefrom arranged to electrically connect a second semiconductor device contained therein to an external circuit, the second semiconductor sub-package (42) also having an attachment face (48), on an opposite side thereof from the connection face (46); wherein the second semiconductor sub-package (42) is mounted on the first semiconductor sub-package (40) such that its attachment face (48) is coupled to the connection face (44) of the first semiconductor sub-package (40).
摘要翻译：一种半导体封装，其包括第一半导体子封装（40），该第一半导体子封装（40）具有连接面（44），所述连接面（44）具有从所述第一半导体子封装（40）排出的非支撑连接器（21）半导体子封装（42）还具有连接面（46），所述连接面（46）具有悬置于其中的未支撑的连接器（25），用于将包含在其中的第二半导体器件电连接到外部电路，所述第二半导体子封装（42）也具有在与连接面（46）相反侧的附接面（48）; 其中所述第二半导体子封装（42）安装在所述第一半导体子封装（40）上，使得其附接面（48）联接到所述第一半导体子封装（40）的连接面（44）。

82. 发明申请

WO2008114381A8 HEAT SINK, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：散热器，电子装置和制造电子装置的方法
公开(公告)号：WO2008114381A8
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2007055519
申请日：2007-03-19
申请人： FUJITSU LTD , ANZAI HISAO
发明人： ANZAI HISAO
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/467 , H01L23/367 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29099 , H01L2224/2919 , H01L2224/73253 , H01L2224/75745 , H01L2224/76272 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , Y10T29/4935 , H01L2224/81 , H01L2924/00014
摘要： A heat sink, an electronic device, and a method of manufacturing the electronic device are provided. In the heat sink having a base thermally connected to a semiconductor chip and radiation fins, the radiation fins disposed at a central position where the heat transfer temperature from the semiconductor chip is high are made to be longer in its length, and the other radiation fins are made to be gradually shorter with the heat transfer temperature is lower. Each of the heat transfer fins includes a vertical part vertically extending from the base and a horizontal part bent at substantially right angle outward from the vertical part.
摘要翻译：提供散热器，电子装置以及制造该电子装置的方法。在具有与半导体芯片和散热片热连接的基座的散热器中，设置在半导体芯片的传热温度高的中心位置处的散热片的长度较长，并且其他散热片随着传热温度的降低而逐渐变短。每个传热翅片包括从底座竖直延伸的竖直部分和从竖直部分向外弯曲成大致直角的水平部分。

83. 发明申请

WO2008147387A1 INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH SOLDERED LID FOR IMPROVED THERMAL PERFORMANCE 审中-公开
标题翻译：具有改进热性能的带焊接的集成电路封装
公开(公告)号：WO2008147387A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/US2007/020975
申请日：2007-09-28
申请人： LSI CORPORATION , KUTLU, Zafer, S.
发明人： KUTLU, Zafer, S.
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/34
CPC分类号： H01L23/42 , H01L23/10 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/1148 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2746 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/73153 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2224/83191 , H01L2224/83815 , H01L2224/9221 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要： An integrated circuit die includes a circuit surface and a back surface opposite the circuit surface. An underbump metallurgy is formed on a back surface. A layer of solder is formed on the underbump metallurgy.
摘要翻译：集成电路管芯包括电路表面和与电路表面相对的后表面。后表面上形成下水道冶金。在下焊管冶金上形成一层焊料。

84. 发明申请

WO2008121780A1 THERMAL DISSIPATION IN CHIP SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：芯片中的热释放
公开(公告)号：WO2008121780A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/US2008/058597
申请日：2008-03-28
申请人： TEMIC AUTOMOTIVE OF NORTH AMERICA, INC. , ALHAYEK, Iyad , BIANCO, Gerry
发明人： ALHAYEK, Iyad , BIANCO, Gerry
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L23/49833 , H01L23/3677 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/15151 , Y10T29/49002 , H01L2924/014 , H01L2224/0401
摘要： A system for dissipating heat from a semiconductor board includes a first substrate including an opening formed therein, a second substrate attached to a surface of the first substrate, and a microchip positioned in the opening and bumped to the second substrate. The system further includes a heat sink directly adhered to the microchip. A method of manufacturing a heat dissipating semiconductor board includes forming an opening in a first substrate and positioning a microchip in the opening. The method further includes directly adhering the microchip to a heat sink, bonding the microchip to a second substrate and boding a surface of the first substrate to the second substrate.
摘要翻译：用于从半导体板散热的系统包括：第一基板，其包括形成在其中的开口;第二基板，其附接到第一基板的表面;以及微芯片，位于所述开口中并且撞击到所述第二基板。该系统还包括直接粘附在微芯片上的散热片。制造散热半导体板的方法包括在第一基板中形成开口并将微芯片定位在开口中。该方法还包括将微芯片直接粘附到散热器，将微芯片接合到第二基板并将第一基板的表面粘合到第二基板。

85. 发明申请

WO2008114381A1 ヒートシンク及び電子装置及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：散热器，电子设备及制造电子器件的方法
公开(公告)号：WO2008114381A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2007/055519
申请日：2007-03-19
申请人：富士通株式会社 , 安斎久雄
发明人：安斎久雄
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/467 , H01L23/367 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29099 , H01L2224/2919 , H01L2224/73253 , H01L2224/75745 , H01L2224/76272 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , Y10T29/4935 , H01L2224/81 , H01L2924/00014
摘要：　本発明はヒートシンク及び電子装置及び電子装置の製造方法に係り、半導体チップに熱的に接続されるベースと複数の放熱フィンを備えたヒートシンクにおいて、前記放熱フィンの内、半導体チップからの熱伝導温度が高い中央位置に配設された放熱フィンを長く形成すると共に、これより熱伝導温度が低くなるに従い放熱フィンを漸次短く形成する。また、放熱フィンが、ベースより直立した直立部と、このから外側に向け略直角に折り曲げられた水平部とを有する構成とする。
摘要翻译：提供散热器，电子设备和制造电子设备的方法。在具有热连接到半导体芯片和散热片的基座的散热器中，设置在来自半导体芯片的传热温度高的中心位置处的散热片的长度被制成更长，而其它散热片随着传热温度的降低而逐渐变短。每个传热翅片包括从基部垂直延伸的垂直部分和从垂直部分向外直角弯曲的水平部分。

86. 发明申请

WO2008105069A1 プリント基板ユニットおよび半導体パッケージ审中-公开
标题翻译：印刷板单元和半导体封装
公开(公告)号：WO2008105069A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：PCT/JP2007/053631
申请日：2007-02-27
申请人：富士通株式会社 , 福園健治 , 吉村英明
发明人：福園健治 , 吉村英明
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/4006 , H01L21/10 , H01L21/563 , H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L2023/4062 , H01L2023/4081 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2224/0401
摘要：　プリント基板ユニット（１３）では、半導体素子（２６）の動作時に半導体素子（２６）は発熱する。半導体素子（２６）の熱はパッケージ基板（１６）やマザーボード（１４）に伝達される。パッケージ基板（１６）の熱膨張率とマザーボード（１４）の熱膨張率とは異なる。パッケージ基板（１６）では応力が生成される。パッケージ基板（１６）上では補強部材（１８）は第２角柱空間（３３）よりも内側に収まる。こうして補強部材（１８）は外縁から内側に向かって広がる接合領域でパッケージ基板（１６）の表面に接合される。その結果、第２角柱空間（３３）よりも外側で補強部材（１８）がパッケージ基板（１６）に接合される場合に比べてパッケージ基板（１８）の剛性の高まりは抑制される。パッケージ基板（１８）の角で応力の集中は回避される。最外周のバンプ列で端子バンプ（１７）の破損は回避される。
摘要翻译：在印刷电路板单元（13）中，当半导体元件（26）工作时，半导体元件（26）产生热量。来自半导体元件（26）的热量转移到封装板（16）和母板（14）。封装板（16）和母板（14）的热膨胀系数不同。在包装板（16）中产生应力。加强构件（18）被存储在封装基板（16）上的第二棱柱空间（33）的内部。加强构件（18）以从外周向内扩展的接合区域接合在封装基板（16）的前表面上。与第二棱柱空间33的外侧的封装基板（16）上的加固部件（18）接合的情况相比，能够抑制封装基板（18）的刚性增加。消除了封装板（18）的拐角处的应力集中。消除了在最外周上的凸起排上的端子凸块（17）的破损。

87. 发明申请

WO2008099711A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008099711A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2008/051810
申请日：2008-02-05
申请人：日本電気株式会社 , 中川源洋 , 水野正之
发明人：中川源洋 , 水野正之
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/18 , H01L24/73 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：　メインチップ１０は、信号処理を行う信号処理回路１１と、信号処理回路１１と信号伝送回路２２の間の信号伝送を行う複数の信号伝送回路１３と、信号処理回路１１の信号処理内容に応じて信号伝送回路１３の動作・非動作を制御する制御回路１４と、を有する。機能チップ２０Ａ～２０Ｃは、信号処理回路１１とは異なる補助的な信号処理を行う信号処理回路２１と、信号処理回路２１と信号伝送回路１３の間の信号伝送を行う１又は複数の信号伝送回路２２と、を有する。メインチップ１０と機能チップ２０Ａ～２０Ｃは、積層して配置される。信号伝送回路１３と信号伝送回路２２は、誘導性結合を利用した非接触型の信号伝送回路であり、積層方向から見て重なるように配置される。
摘要翻译：主芯片（10）具有执行信号处理的信号处理电路（11）; 用于在信号处理电路（11）和信号发送电路（22）之间传送信号的多个信号发送电路（13）。以及控制电路（14），用于控制与信号处理电路（11）的信号处理内容相对应的信号发送电路（13）的操作/不操作。每个功能芯片（20A-20C）具有用于执行与由信号处理电路（11）执行的信号处理不同的辅助信号处理的信号处理电路（21），以及一个或多个信号发送电路（22），用于在信号处理电路（21）和信号发送电路（13）之间传输信号。主芯片（10）和功能芯片（20A-20C）通过堆叠布置。信号发送电路（13）和信号发送电路（22）是使用电感耦合的非接触式信号发送电路，从层叠方向观察时彼此重叠。

88. 发明申请

WO2008075315A3 BRAZED FLIP-CHIP MOUNTING OF INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：集成电路的烙铁片安装
公开(公告)号：WO2008075315A3
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/IB2007055259
申请日：2007-12-20
申请人： NXP BV , WYLAND CHRISTOPHER
发明人： WYLAND CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L23/16 , B23K1/0016 , B23K2201/36 , H01L23/10 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/1401 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81232 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011 , H05K3/3436 , H05K3/3494 , H05K2203/1163 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
摘要： A method of flip-chip mounting a circuit to a substrate is provided by brazing together metallic elements formed on both the circuit and substrate. The brazing being achieved by initiating a chemical exothermic reaction in a multilayer stacked material disposed between the metallic elements on the circuit and substrate. Advantageously the chemical exothermic reaction provides a means of locally brazing the metallic elements without necessitating raising the circuit and substrate to a high temperature such as required in conventional flip-chip assembly with solder reflow. According to an exemplary embodiment of the invention the metallic elements are electrical conductors and an electrical trigger signal is provided via the metallic elements to initiate the chemical exothermic reaction.
摘要翻译：通过将形成在电路和衬底上的金属元件钎焊在一起来提供将电路倒装安装到衬底的方法。钎焊通过在设置在电路和基板上的金属元件之间的多层堆叠材料中引发化学放热反应来实现。有利的是，化学放热反应提供了一种局部钎焊金属元件的方式，而不需要将电路和衬底升高到常规的倒装芯片组件所要求的高回火温度。根据本发明的示例性实施例，金属元件是电导体并且经由金属元件提供电触发信号以引发化学放热反应。

89. 发明申请

WO2008083234A9 SPLIT SOCKET OPTICAL INTERCONNECT 审中-公开
标题翻译：分离插座光学互连
公开(公告)号：WO2008083234A9
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/US2007088973
申请日：2007-12-27
申请人： INTEL CORP , LU DAOQIANG , ALDUINO ANDREW , BRAUNISCH HENNING
发明人： LU DAOQIANG , ALDUINO ANDREW , BRAUNISCH HENNING
IPC分类号： G02B6/42 , H01L31/0232
CPC分类号： G02B6/4201 , G02B6/4214 , G02B6/4249 , G02B6/4284 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253
摘要： A split microprocessor socket is disclosed that provides a cavity created at an outer edge of the microprocessor socket. An optical module may be fitted in the cavity thus providing an optical fiber or waveguide connection directly to the socket. This low cost optical interconnect, closely packaged with the microprocessor, may alleviate bandwidth constraints associated with conventional electrical connections.
摘要翻译：公开了一种分立微处理器插座，其提供在微处理器插座的外边缘处产生的空腔。可以将光学模块装配在空腔中，从而将光纤或波导连接直接连接到插座。与微处理器紧密封装的这种低成本光互连可以减轻与传统电连接相关联的带宽约束。

90. 发明申请

WO2007109133B1 IMPROVED CHIP-SCALE PACKAGE 审中-公开
标题翻译：改进的芯片尺寸包装
公开(公告)号：WO2007109133B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/US2007006633
申请日：2007-03-16
申请人： INT RECTIFIER CORP , STANDING MARTIN
发明人： STANDING MARTIN
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/492 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40225 , H01L2224/73153 , H01L2224/73253 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： A power semiconductor package that includes a die having one electrode thereof electrically and mechanically attached to a web portion of a conductive clip.
摘要翻译：一种功率半导体封装，其包括具有一个电极的芯片，其电极和机械地附接到导电夹子的腹板部分。

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