专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2018065483A1 LEISTUNGSELEKTRONIKSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：电力电子电路
公开(公告)号：WO2018065483A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：PCT/EP2017/075247
申请日：2017-10-04
申请人： CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH
发明人： MATTMANN, Erich , BERGMANN, Sabine
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/373 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/29 , H01L21/4871 , H01L23/3736 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/292 , H01L2224/29209 , H01L2224/29211 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/83138 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/014
摘要： Eine Leistungselektronikschaltung (L) ist mit einem Träger (1+2a +2b) ausgestattet, der eine Oberfläche (O) aufweist. Auf dem Träger (1+2a+2b) ist mindestens ein Leistungsbauteil (4) (insbesondere ein Halbleiterbauteil, das beispielsweise als gehäuster oder ungehäuster Chip vorliegt) mittels einer durchgehenden Lotschicht (3) aufgelötet. Die Lotschicht (3) weist Abstandspartikel (3a) und Lotmasse (3b) auf. Die Abstandspartikel (3a) sind in der Lotmasse (3b) verteilt. Die Lotschicht (3) weist eine Dicke auf, die mindestens 100 μm beträgt. Durch die Dicke werden die Schubspannungen in der Lotschicht (3) verringert, die durch unterschiedliche Temperaturausdehnung des Trägers (1+2a+2b) und des Leistungsbauteils (4) entstehen. Es ergibt sich eine geringere Beanspruchung bei Temperaturwechseln im Vergleich zu dünneren Lotschichten, wodurch die Zuverlässigkeit der Lotverbindung erhöht ist. Insbesondere bei einer kaltgasgespritzen Oberfläche (O) ergibt sich eine relativ hohe Rauigkeit, so dass eine Dicke der Lotschicht (3) von mindestens 100 µm zu einem Höhenaufbau führt, der sich positiv zu Gunsten der Lebensdauer auswirkt.
摘要翻译：电力电子电路（L）配备有具有表面（O）的载体（1 + 2a + 2b）。在载体＆AUML; GER（1 + 2A + 2b）的至少一个功率组分（4）（尤其是半导体器件，例如，如GeH的AUML;本模型芯片;模型或ungeh＆AUML）通过连续的焊料层（3）解决＆OUML的装置; TET。焊料层（3）具有间隔颗粒（3a）和焊料块（3b）。隔离粒子（3a）分布在焊料块（3b）中。焊料层（3）的厚度至少为100μm。该厚度减小了由于衬底（1 + 2a + 2b）和功率部件（4）的不同热膨胀导致的焊料层（3）中的剪切应力。与内部焊料层相比，温度变化的应力较小，由此增加了焊点的可靠性。特别是在kaltgasgespritzen表面BEAR枝（O）相对高的粗糙度，从而使厚度的钎焊层（3）至少为100个微结果的; HRT，其具有有利于使用寿命有积极的影响;将一个m H＆ouml; henaufbau˚F导航用途。

2. 发明申请

WO2017077982A1 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法审中-公开
标题翻译：芯片键合装置和芯片键合方法
公开(公告)号：WO2017077982A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/JP2016/082313
申请日：2016-10-31
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：中村　照幸 , 関野　章良 , 谷口　英広
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L24/75 , H01L21/52 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/751 , H01L2224/75251 , H01L2224/75272 , H01L2224/75281 , H01L2224/75283 , H01L2224/7565 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75756 , H01L2224/75804 , H01L2224/75824 , H01L2224/83048 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/8322 , H01L2224/8323 , H01L2224/83411 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2924/1011 , H01L2924/12042 , H01S5/02256 , H01S5/1039 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0105
摘要：第１部品に第２部品をボンディングするダイボンディング装置であって、第１部品が載置領域に載置される載置台と、載置台の下側に設けられたヒータと、載置台の載置領域を囲むように設けられた側壁と、第１および第２部品が通過可能な大きさの孔を有し、側壁に載置される蓋と、第２部品を先端部にて真空チャックすることにより保持可能なコレットと、コレットを、コレットが保持した第２部品が孔を通過して第１部品にボンディングされるように移動させる移動機構と、側壁に設けられ、側壁と蓋とで形成される加熱空間に加熱ガスを供給するガス供給管と、を備え、蓋は、ヒータおよび加熱ガスにより生じる赤外線輻射を反射もしくは吸収・再輻射することができる材料を含む。
摘要翻译：甲
芯片接合装置第二部件键合到第一成分，和一个载置台第一部件被放置在放置区域，设置在所述工作台的下侧一加热器，以及设置成包围所述载置台的安装区域中的侧壁，所述第一和第二部件的孔径能够通过的，盖子被放置在侧壁，第二部件能够在其前端部，一个套爪，用于移动该第二部件夹头的移动机构由真空吸盘保持和保持的夹头结合到穿过所述孔的第一构件，在侧壁上设置和用于供给加热气体到侧壁和盖子之间形成的加热空间中的气体供给管，所述盖包括能反射或吸收和再辐射由加热器和加热的气体产生的红外辐射的材料。

3. 发明申请

WO2016051449A1 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ审中-公开
标题翻译：半导体封装制造方法和半导体封装
公开(公告)号：WO2016051449A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/JP2014/075819
申请日：2014-09-29
申请人：新電元工業株式会社
发明人：見澤　有市 , 長瀬　健男
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/8302 , H01L2224/83048 , H01L2224/83815 , H01L2224/8385 , H01L2224/8392 , H01L2224/83948 , H01L2224/8485 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/37099 , H01L2924/014
摘要：　半導体パッケージにおいて、ダイパッド、半導体素子、接続部材およびリードの表面は、シランカップリング剤によって表面処理され、半導体素子の表面のうち接続部材が接合される半導体素子の第一の面は、有機物が露出した第一の領域と、無機物が露出した第二の領域と、を含み、第一の領域と封止樹脂との接合強度は、第二の領域と封止樹脂との接合強度よりも弱い。
摘要翻译：公开了一种半导体封装，其中：使用硅烷偶联剂对芯片焊盘，半导体元件，连接部件和引线的表面进行表面处理; 半导体元件第一表面，其具有接合到其上的连接构件，所述半导体元件第一表面是半导体元件的表面的一部分，包括暴露有机材料的第一区域和无机材料是第二区域裸露; 并且第一区域和密封树脂之间的接合强度弱于第二区域和密封树脂之间的接合强度。

4. 发明申请

WO2016024445A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2016024445A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/JP2015/068065
申请日：2015-06-23
申请人：富士電機株式会社 , 小松康佑
发明人：小松　康佑
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/48 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32105 , H01L2224/32106 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/834 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/15151 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/0781
摘要：　半導体装置は、回路板を有する積層基板と、回路板に固定された半導体チップと、筒形状である先端部と、筒以外の形状である配線部を有し、先端部と配線部が一つの導電部材で構成されている端子と、回路板と先端部を電気的かつ機械的に接続する接合材とを備えている。
摘要翻译：该半导体装置具有层叠基板，其具有电路基板，固定于电路基板的半导体芯片，管状前端部以及管状以外的形状的布线部，并且设置有端子，端部和布线部分由一个电气和机械耦合电路板和前端部分的导电构件和接合材料形成。

5. 发明申请

WO2016012754A2 LOW TEMPERATURE HIGH RELIABILITY ALLOY FOR SOLDER HIERARCHY 审中-公开
标题翻译：低温高可靠性合金焊锡分级
公开(公告)号：WO2016012754A2
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/GB2015/052036
申请日：2015-07-15
申请人： ALPHA METALS, INC. , SETNA, Rohan P
发明人： CHOUDHURY, Pritha , DE AVILA RIBAS, Morgana , MUKHERJEE, Sutapa , SARKAR, Siuli , PANDHER, Ranjit , BHATKAL, Ravindra , SINGH, Bawa
IPC分类号： C22C13/00
CPC分类号： B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K1/002 , B23K1/0056 , B23K1/085 , B23K35/00 , B23K35/0222 , B23K35/0227 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29117 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29163 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/2918 , H01L2224/83815 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058
摘要： A lead-free, antimony-free solder alloy comprising: (a) from 1 to 4 wt.% silver (b) from 0.5 to 6 wt.% bismuth (c) from 3.55 to 15 wt.% indium (d) 3 wt.% or less of copper (e) optionally one or more of the following elements 0 to 1 wt.% nickel 0 to 1 wt.% of titanium 0 to 1 wt.% manganese 0 to 1 wt.% of rare earths, such as cerium 0 to 1 wt.% of chromium 0 to 1 wt.% germanium 0 to 1 wt.% of gallium 0 to 1 wt.% of cobalt 0 to 1 wt.% of iron 0 to 1 wt.% of aluminum 0 to 1 wt.% of phosphorus 0 to 1 wt.% of gold 0 to 1 wt.% of tellurium 0 to 1 wt.% of selenium 0 to 1 wt.% of calcium 0 to 1 wt.% of vanadium 0 to 1 wt.% of molybdenum 0 to 1 wt.% of platinum 0 to 1 wt.% of magnesium (f) the balance tin, together with any unavoidable impurities.
摘要翻译：一种无铅，无锑焊料合金，其包含：（a）1至4重量％的银（b）0.5至6重量％的铋（c）3.55至15重量％的铟（d）3重量％。％或更少的铜（e）任选一种或多种以下元素0至1重量％的镍0至1重量％的钛0至1重量％的锰0至1重量％的稀土，例如作为铈0至1重量％的铬0至1重量％的锗0至1重量％的镓0至1重量％的钴0至1重量％的铁0至1重量％的铝0 至1重量％的磷0至1重量％的金0至1重量％的碲0至1重量％的硒0至1重量％的钙0至1重量％的钒0至1 钼的重量百分比为0至1重量％的铂0至1重量％的镁（f）余量为锡，以及任何不可避免的杂质。

6. 发明申请

WO2014150643A1 GOLD CONTAINING DIE BOND SHEET PREFORM SPOT-WELDED TO A SEMICONDUCTOR BOND SITE ON A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：金属包装薄片预先在半导体封装和对应制造方法上焊接到半导体焊盘
公开(公告)号：WO2014150643A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/US2014/023872
申请日：2014-03-12
申请人： MATERION CORPORATION
发明人： KOTHANDAPANI, Ramesh
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/09 , H01L24/03 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2711 , H01L2224/27334 , H01L2224/2746 , H01L2224/29144 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/1033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01032 , H01L2924/01074 , H01L2924/00015
摘要： The amount of gold required for solder bonding a semiconductor die (52, 54) to an electronic package (12) is reduced by using a sheet preform (14) tack (spot) welded to the package (12) prior to mounting the die (52, 54). The preform (14), only slightly larger than a semiconductor die (52, 54) to be attached to the package (12), is placed in the die bond location (16) and tack (spot) welded to the package (12) at two spaced locations (18). The preform (14) comprises gold or a gold alloy such as AuSn or AuGe.
摘要翻译：将半导体管芯（52,54）焊接到电子封装（12）上所需的金的量通过在安装裸片之前使用焊接到封装（12）上的片状预成型件（14）粘合（点）来减少 52,54）。仅将稍微大于要附接到封装（12）的半导体管芯（52,54）的预成型件（14）放置在焊接位置（16）中并且将（点焊）焊接到封装（12）上，在两个间隔位置（18）。预型件（14）包括金或金合金，例如AuSn或AuGe。

7. 发明申请

WO2013169545A1 COMPLIANT MICRO DEVICE TRANSFER HEAD 审中-公开
标题翻译：合格的微型器件传输头
公开(公告)号：WO2013169545A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/US2013/039128
申请日：2013-05-01
申请人： LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION
发明人： BIBL, Andreas , HIGGINSON, John A. , HU, Hsin-Hua
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/50 , B65G49/07
CPC分类号： B41J2/385 , B25J15/0052 , B25J15/0085 , B41J2/39 , B81B2201/038 , B81C99/002 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L2221/68322 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/29036 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/7565 , H01L2224/7598 , H01L2224/83815 , H01L2224/83855 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014
摘要： A compliant micro device transfer head and head array are disclosed. In an embodiment a micro device transfer head includes a spring portion that is deflectable into a space between a base substrate and the spring portion.
摘要翻译：公开了一种兼容的微器件传送头和头阵列。在一个实施例中，微装置转移头包括可偏转到基底基板和弹簧部分之间的空间中的弹簧部分。

8. 发明申请

WO2013065230A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013065230A1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/JP2012/006277
申请日：2012-10-01
申请人：パナソニック株式会社
发明人：生田　敬子 , 金　連姫 , 広瀬　貴之 , 小島　俊之 , 塚原　法人 , 反田　耕一
IPC分类号： H01L23/36 , C25D7/00 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/495 , C25D3/12 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/12 , H01L23/36 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/35823 , H01L2224/35825 , H01L2224/3583 , H01L2224/35848 , H01L2224/35985 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3756 , H01L2224/37565 , H01L2224/37655 , H01L2224/37755 , H01L2224/37893 , H01L2224/37895 , H01L2224/40135 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/8338 , H01L2224/83455 , H01L2224/83555 , H01L2224/83693 , H01L2224/83695 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2924/00011 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/83205
摘要：　熱抵抗の増加を抑えつつ、はんだ層に印加される熱抵抗を低減できる、半導体装置を提供する。　半導体素子（５）と、半導体素子の少なくとも一面に配置されたはんだ層（４）と、そのはんだ層に、ポーラスニッケルめっき部（１）を挟んで配置されたリードフレーム（２）とを備える配置構造とする。半導体素子とリードフレームを直接はんだ接合する場合と比べて、はんだ接合部の熱抵抗の増加分を、ポーラスニッケルめっき部の分のみに抑えられ、はんだ層に印加される熱抵抗を低減できる。
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其在减轻热阻增加的同时，可以使施加到焊料层的热阻最小化。半导体器件具有定位结构，该定位结构包括半导体元件（5），位于半导体层的至少一个面上的焊料层（4）和位于多孔镀镍层部分（1）抵靠半导体层。焊接部分的热阻增加仅限于从多孔镀镍部分的增加，并且施加到焊料层的热阻可能会降低到当将半导体元件直接接合到引线框架时的结果。

9. 发明申请

WO2013045364A2 SCHICHTVERBUND AUS EINER TRÄGERFOLIE UND EINER SCHICHTANORDNUNG UMFASSEND EINE SINTERBARE SCHICHT AUS MINDESTENS EINEM METALLPULVER UND EINE LOTSCHICHT 审中-公开
标题翻译：层复合材料从载体膜和层布置，其包含至少一种金属粉末的烧结层和焊料层
公开(公告)号：WO2013045364A2
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068657
申请日：2012-09-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GUYENOT, Michael , FEIOCK, Andrea , RITTNER, Martin , FRUEH, Christiane , KALICH, Thomas , GUENTHER, Michael , WETZL, Franz , HOHENBERGER, Bernd , HOLZ, Rainer , FIX, Andreas
发明人： GUYENOT, Michael , FEIOCK, Andrea , RITTNER, Martin , FRUEH, Christiane , KALICH, Thomas , GUENTHER, Michael , WETZL, Franz , HOHENBERGER, Bernd , HOLZ, Rainer , FIX, Andreas
IPC分类号： C23C26/00
CPC分类号： B23K35/0238 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B32B15/06 , B32B15/16 , B32B2264/105 , C23C26/00 , C23C28/021 , C23C28/023 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/27848 , H01L2224/29082 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29209 , H01L2224/29211 , H01L2224/29213 , H01L2224/29218 , H01L2224/29239 , H01L2224/29247 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29395 , H01L2224/32503 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2924/01327 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3478 , H05K2203/0405 , H05K2203/1131 , Y10T428/12049 , Y10T428/12063 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01049 , H01L2924/01013 , H01L2924/01031 , H01L2924/0132 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Schichtverbund (10), insbesondere zum Verbinden von elektronischen Bauteilen als Fügepartner, umfassend mindestens eine Trägerfolie (11) und eine darauf aufgebrachte Schichtanordnung (12) umfassend mindestens eine auf die Trägerfolie (11) aufgebrachte, sinterbare Schicht (13) enthaltend mindestens ein Metallpulver und eine auf die sinterbare Schicht (13) aufgebrachte Lotschicht (14). Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds, eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10) sowie die Verwendung eines Schichtverbunds (10) in einem Fügeverfahren für elektronische Bauteile.
摘要翻译：
本发明涉及一种层状复合材料（10），特别是用于连接电子部件为F导航用途gepartner包括至少一个Tr的AUML; gerfolie（11）和其上的组件（12）施加的层，其包括所述至少一个涂覆到支撑膜（11）上的烧结层（13）包含至少一种金属粉末和涂覆到可烧结层（13）上的焊料层（14）。本发明还涉及一种方法，用于形成层复合材料，电路布置AUML包括发明＆;道路连接在A F导航用途geverfahren˚F导航用途ř电子元件的层状复合结构（10），以及利用一个层复合材料（10）的。

10. 发明申请

WO2012166911A2 LOW VOID SOLDER JOINT FOR MULTIPLE REFLOW APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：低反射焊接点用于多种反射应用
公开(公告)号：WO2012166911A2
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/US2012/040197
申请日：2012-05-31
申请人： INDIUM CORPORATION , ROSS, Jordan , HARTNETT, Amanda, M.
发明人： ROSS, Jordan , HARTNETT, Amanda, M.
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H05K13/0465 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/2711 , H01L2224/27334 , H01L2224/29012 , H01L2224/29015 , H01L2224/29016 , H01L2224/29018 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81815 , H01L2224/83001 , H01L2224/83075 , H01L2224/83136 , H01L2224/8314 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/15311 , Y10T428/12222 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
摘要： A method is provided for the forming of a metallic solder joint without a liquid flux to create a solder joint that has minimal voids and can be re flowed multiple times without void propagation. This process can be done for any solder alloy, and is most specifically used in the application of first level thermal interface in a IC or micro processor or BGA microprocessor.
摘要翻译：提供了一种用于形成没有液体焊剂的金属焊点的方法，以产生具有最小空隙并且可以多次流动而不进行空隙传播的焊点。该过程可以对任何焊料合金进行，最为特别用于在IC或微处理器或BGA微处理器中应用一级热界面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式