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1. 发明专利

TWI611856B 雷射加工的方法、雷射加工的製品和雷射加工的裝置有权
简体标题：激光加工的方法、激光加工的制品和激光加工的设备
公开(公告)号：TWI611856B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102134208
申请日：2013-09-24
申请人：伊雷克托科學工業股份有限公司 , ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.
发明人：張海濱 , ZHANG, HAIBIN , 西門森格蘭 , SIMENSON, GLENN
IPC分类号： B23K26/32 , B23K26/364 , B23K26/38
CPC分类号： B23K26/0066 , B23K26/0006 , B23K26/0087 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2203/05 , B23K2203/08 , B23K2203/10 , B23K2203/14 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23K2203/56

2. 发明专利

TW201802921A ＳｉＣ晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：ＳｉＣ晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201802921A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107997
申请日：2017-03-10
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：鈴木克彦 , SUZUKI, KATSUHIKO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/322 , H01L21/268 , H01L29/32 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/304 , B23K26/0057 , B23K26/402 , B23K2203/56 , B24B19/02 , B24B27/06 , B24B37/107 , H01L21/268 , H01L21/3043 , H01L21/322 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L29/1608 , H01L29/32
摘要：提供一種能夠減低研磨砥石的磨耗量之SiC晶圓的加工方法。一種SiC晶圓的加工方法，包含：剝離面形成工程，將對於SiC而言具有穿透性的波長之雷射光線對晶圓照射，藉此在對應於裝置區域之區域形成剝離面；及裝置形成工程，將藉由交叉的複數個分割預定線而被劃分之複數個裝置形成於第1面的裝置區域；及環狀溝形成工程，在對應於裝置區域與外周剩餘區域之交界部的部分從第2面側形成環狀溝；及薄化工程，以剝離面為界面，將位於環狀溝的內側之部分從晶圓剝離而將裝置區域薄化，並且形成環狀補強部。
简体摘要：提供一种能够减低研磨砥石的磨耗量之SiC晶圆的加工方法。一种SiC晶圆的加工方法，包含：剥离面形成工程，将对于SiC而言具有穿透性的波长之激光光线对晶圆照射，借此在对应于设备区域之区域形成剥离面；及设备形成工程，将借由交叉的复数个分割预定线而被划分之复数个设备形成于第1面的设备区域；及环状沟形成工程，在对应于设备区域与外周剩余区域之交界部的部分从第2面侧形成环状沟；及薄化工程，以剥离面为界面，将位于环状沟的内侧之部分从晶圆剥离而将设备区域薄化，并且形成环状补强部。

3. 发明专利

TW201728395A 用於開槽晶片的方法和裝置审中-公开
简体标题：用于开槽芯片的方法和设备
公开(公告)号：TW201728395A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106102759
申请日：2017-01-25
申请人：先進科技新加坡有限公司 , ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD
发明人：範利肖特理查德 , VAN LIESHOUT, RICHARD , 克尼佩斯圭多 , KNIPPELS, GUIDO
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/70
CPC分类号： H01L21/681 , B23K26/032 , B23K26/04 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K2203/56 , H01L21/67092 , H01L21/67253
摘要：一種用於在半導體晶片表面中形成細長凹部的晶片開槽設備，該設備包括：晶片台，該晶片台用於接收並保持半導體晶片；輻射裝置，該輻射裝置用於產生雷射光束；束引導裝置，該束引導裝置用於將雷射光束引向所述晶片頂面從而產生束點，在該束點處，所述雷射光束熔蝕所述晶片表面上的晶片材料以形成凹部；晶片台移位驅動器，該晶片台移位驅動器用於沿雷射光束移位方向在所述雷射光束和所述晶片表面之間進行相互移位；凹部輪廓測量裝置，該凹部輪廓測量裝置沿由所述晶片台移位驅動器實現的所述雷射光束移位方向佈置在所述束引導裝置後部的預定距離處，用於測量已由所述雷射光束形成的所述凹部的深度輪廓。
简体摘要：一种用于在半导体芯片表面中形成细长凹部的芯片开槽设备，该设备包括：芯片台，该芯片台用于接收并保持半导体芯片；辐射设备，该辐射设备用于产生激光光束；束引导设备，该束引导设备用于将激光光束引向所述芯片顶面从而产生束点，在该束点处，所述激光光束熔蚀所述芯片表面上的芯片材料以形成凹部；芯片台移位驱动器，该芯片台移位驱动器用于沿激光光束移位方向在所述激光光束和所述芯片表面之间进行相互移位；凹部轮廓测量设备，该凹部轮廓测量设备沿由所述芯片台移位驱动器实现的所述激光光束移位方向布置在所述束引导设备后部的预定距离处，用于测量已由所述激光光束形成的所述凹部的深度轮廓。

4. 发明专利

TWI592244B 於透明材料內部施行雷射絲化之方法與裝置有权
简体标题：于透明材料内部施行激光丝化之方法与设备
公开(公告)号：TWI592244B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103126070
申请日：2014-07-30
申请人：柔芬新拿科技公司 , ROFIN-SINAR TECHNOLOGIES INC.
发明人：荷西尼阿巴斯 , HOSSEINI, S. ABBAS
IPC分类号： B23K26/40 , B23K26/062 , B23K26/064
CPC分类号： B23K26/0626 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/0648 , B23K26/082 , B23K26/38 , B23K2203/00 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23K2203/56 , C03B33/0222 , C03B33/033 , C03B33/04 , C03B33/07 , C03B33/09 , C03C14/002 , C03C2214/02 , H01L21/78

5. 发明专利

TWI572901B 高效率之線成形光學系統及方法有权
简体标题：高效率之线成形光学系统及方法
公开(公告)号：TWI572901B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104122833
申请日：2015-07-14
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：阿尼契科夫塞爾瑰 , ANIKITCHEV, SERGUEI
IPC分类号： G02B27/09 , B23K26/064 , B23K26/073
CPC分类号： G02B27/0927 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/066 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/083 , B23K26/352 , B23K26/354 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , G02B17/008 , G02B17/061 , G02B27/0983 , G02B27/0988 , H01L21/2253 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/428 , H01L21/477

6. 发明专利

TWI570781B 使用微透鏡陣列而產生線路之光學設計有权
简体标题：使用微透镜数组而产生线路之光学设计
公开(公告)号：TWI570781B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104129039
申请日：2012-10-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍姆葛倫道格拉斯E , HOLMGREN, DOUGLAS E. , 赫威爾斯山謬C , HOWELLS, SAMUEL C.
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/0648 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/034 , B23K26/06 , B23K26/0626 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , G02B27/09 , G02B27/0911 , G02B27/0961 , G02B27/0966 , G02B27/10 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L24/80

7. 发明专利

TWI566281B 基板加工方法有权
公开(公告)号：TWI566281B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW100126375
申请日：2011-07-26
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：下井英樹 , SHIMOI, HIDEKI , 荒木佳祐 , ARAKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B23K26/064 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/006 , B23K26/0736 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L21/30608 , H01L21/76898

8. 发明专利

TW201642986A 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：接合设备、接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201642986A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105100551
申请日：2016-01-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：小篠勲 , OZASA, ISAO , 威克拉瑪納雅卡蘇尼爾 , WICKRAMANAYAKA, SUNIL
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02 , H01L21/60
CPC分类号： B23K20/021 , B23K2203/56
摘要：將配置於基板上的複數個晶片適當地與該基板接合。接合裝置(30)，係具有：處理腔室(100)，被予以分割成上部腔室(101)與下部腔室(102)；載置台(150)，設置於處理腔室(100)之內部，載置晶圓(W)；加熱機構(151)，設置於載置台(150)，加熱晶圓(W)；及氣體供給機構(170)，對處理腔室(100)之內部供給加壓氣體。在接合裝置(30)中，係藉由加熱機構(151)，一邊將晶圓(W)與複數個晶片(C)加熱至預定溫度，一邊藉由從氣體供給機構(170)所供給的加壓氣體來進行推壓，接合該晶圓(W)與複數個晶片(C)。
简体摘要：将配置于基板上的复数个芯片适当地与该基板接合。接合设备(30)，系具有：处理腔室(100)，被予以分割成上部腔室(101)与下部腔室(102)；载置台(150)，设置于处理腔室(100)之内部，载置晶圆(W)；加热机构(151)，设置于载置台(150)，加热晶圆(W)；及气体供给机构(170)，对处理腔室(100)之内部供给加压气体。在接合设备(30)中，系借由加热机构(151)，一边将晶圆(W)与复数个芯片(C)加热至预定温度，一边借由从气体供给机构(170)所供给的加压气体来进行推压，接合该晶圆(W)与复数个芯片(C)。

9. 发明专利

TWI560808B 使用具有電漿蝕刻之混合式電流雷射劃線製程的晶圓切割有权
简体标题：使用具有等离子蚀刻之混合式电流激光划线制程的晶圆切割
公开(公告)号：TWI560808B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101121144
申请日：2012-06-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR AJAY
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/0661 , B23K26/082 , B23K26/0876 , B23K26/361 , B23K37/0247 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01L21/67207

10. 发明专利

TW201642336A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201642336A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105111065
申请日：2016-04-08
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/00 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：提供一種晶圓的加工方法，其可抑制搬送時晶圓破損之情形，且可容易地補正雷射光線的照射位置。晶圓的加工方法具備保護膠帶貼著步驟、切削溝形成步驟與分割步驟。保護膠帶貼著步驟是於晶圓的功能層之表面貼著會因外界刺激而硬化之保護膠帶。切削溝形成步驟是自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝。分割步驟是於實施切削溝形成步驟後，沿切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，而將殘存部分割並將晶圓分割為元件晶片。在切削溝形成步驟中，會於晶圓之外周剩餘區域形成未形成切削溝之非加工部。
简体摘要：提供一种晶圆的加工方法，其可抑制搬送时晶圆破损之情形，且可容易地补正激光光线的照射位置。晶圆的加工方法具备保护胶带贴着步骤、切削沟形成步骤与分割步骤。保护胶带贴着步骤是于晶圆的功能层之表面贴着会因外界刺激而硬化之保护胶带。切削沟形成步骤是自基板的背面侧沿分割预定线以切削刀片切削，并形成未到达功能层之留下残存部的切削沟。分割步骤是于实施切削沟形成步骤后，沿切削沟照射对基板具有吸收性之波长的激光光线，而将残存部分割并将晶圆分割为组件芯片。在切削沟形成步骤中，会于晶圆之外周剩余区域形成未形成切削沟之非加工部。

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