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1. 发明专利

TW201642986A 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：接合设备、接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201642986A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105100551
申请日：2016-01-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：小篠勲 , OZASA, ISAO , 威克拉瑪納雅卡蘇尼爾 , WICKRAMANAYAKA, SUNIL
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/02 , H01L21/60
CPC分类号： B23K20/021 , B23K2203/56
摘要：將配置於基板上的複數個晶片適當地與該基板接合。接合裝置(30)，係具有：處理腔室(100)，被予以分割成上部腔室(101)與下部腔室(102)；載置台(150)，設置於處理腔室(100)之內部，載置晶圓(W)；加熱機構(151)，設置於載置台(150)，加熱晶圓(W)；及氣體供給機構(170)，對處理腔室(100)之內部供給加壓氣體。在接合裝置(30)中，係藉由加熱機構(151)，一邊將晶圓(W)與複數個晶片(C)加熱至預定溫度，一邊藉由從氣體供給機構(170)所供給的加壓氣體來進行推壓，接合該晶圓(W)與複數個晶片(C)。
简体摘要：将配置于基板上的复数个芯片适当地与该基板接合。接合设备(30)，系具有：处理腔室(100)，被予以分割成上部腔室(101)与下部腔室(102)；载置台(150)，设置于处理腔室(100)之内部，载置晶圆(W)；加热机构(151)，设置于载置台(150)，加热晶圆(W)；及气体供给机构(170)，对处理腔室(100)之内部供给加压气体。在接合设备(30)中，系借由加热机构(151)，一边将晶圆(W)与复数个芯片(C)加热至预定温度，一边借由从气体供给机构(170)所供给的加压气体来进行推压，接合该晶圆(W)与复数个芯片(C)。

2. 发明专利

TWI630048B 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體有权
简体标题：接合设备、接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TWI630048B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW104144256
申请日：2015-12-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小篠勲 , OZASA, ISAO
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/60

3. 发明专利

TW201642985A 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：接合设备、接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201642985A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104144258
申请日：2015-12-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小篠勲 , OZASA, ISAO
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要：將配置於基板上的複數個晶片適當地與該基板接合。接合裝置，係具有：處理腔室(100)，收容有晶圓(W)；載置台(150)，設置於處理腔室(100)之內部，載置晶圓(W)；加熱機構(151)，設置於載置台(150)，加熱晶圓(W)；及氣體供給部(171)，設置於處理腔室(100)之內部，對該處理腔室(100)之內部供給加壓氣體。氣體供給部(171)，係以使直接噴射至載置台(150)上之晶圓(W)之加壓氣體的流量少於未直接噴射至載置台(150)上之晶圓(W)之加壓氣體的流量之方式，供給加壓氣體。又，接合裝置，係具有：處理腔室，收容晶圓(W)；載置台(150)，設置於處理腔室之內部，吸附保持晶圓；加熱機構(156)，設置於載置台(150)，加熱晶圓(W)；真空管線(152)，設置於載置台(150)，對晶圓(W)抽真空而進行吸附；電極(155)，設置於載置台(150)，用以靜電吸附晶圓(W)；及氣體供給機構，對處理腔室的內部供給加壓氣體。在接合裝置中，係在藉由真空管線(152)將晶圓(W)真空吸附於載置台(150)後，對電極(155)施加電壓，使晶圓(W)靜電吸附於載置台(150)。其次，藉由從氣體供給機構所供給的加壓氣體，對處理腔室之內部進行加壓，以接合晶圓(W)與複數個晶片。
简体摘要：将配置于基板上的复数个芯片适当地与该基板接合。接合设备，系具有：处理腔室(100)，收容有晶圆(W)；载置台(150)，设置于处理腔室(100)之内部，载置晶圆(W)；加热机构(151)，设置于载置台(150)，加热晶圆(W)；及气体供给部(171)，设置于处理腔室(100)之内部，对该处理腔室(100)之内部供给加压气体。气体供给部(171)，系以使直接喷射至载置台(150)上之晶圆(W)之加压气体的流量少于未直接喷射至载置台(150)上之晶圆(W)之加压气体的流量之方式，供给加压气体。又，接合设备，系具有：处理腔室，收容晶圆(W)；载置台(150)，设置于处理腔室之内部，吸附保持晶圆；加热机构(156)，设置于载置台(150)，加热晶圆(W)；真空管线(152)，设置于载置台(150)，对晶圆(W)抽真空而进行吸附；电极(155)，设置于载置台(150)，用以静电吸附晶圆(W)；及气体供给机构，对处理腔室的内部供给加压气体。在接合设备中，系在借由真空管线(152)将晶圆(W)真空吸附于载置台(150)后，对电极(155)施加电压，使晶圆(W)静电吸附于载置台(150)。其次，借由从气体供给机构所供给的加压气体，对处理腔室之内部进行加压，以接合晶圆(W)与复数个芯片。

4. 发明专利

TW201642984A 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：接合设备、接合系统、接合方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201642984A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104144256
申请日：2015-12-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小篠勲 , OZASA, ISAO
IPC分类号： B23K20/00 , H01L21/60
摘要：將配置在基板上之複數晶片與該基板適當接合。接合裝置(30)具有：具備上部腔室(101)和下部腔室(102)之處理腔室；被環狀地設置在上部腔室(101)和下部腔室(102)間的密封材(103)；被設置在處理腔室之內部，載置晶圓之載置台；被設置在載置台，加熱晶圓之加熱機構；和對處理腔室之內部供給加壓氣體的氣體供給機構。密封材(103)係被設置成密封材(103)與上部腔室(101)及下部腔室(102)接觸，並且上部腔室(101)和下部腔室(102)彼此不接觸。
简体摘要：将配置在基板上之复数芯片与该基板适当接合。接合设备(30)具有：具备上部腔室(101)和下部腔室(102)之处理腔室；被环状地设置在上部腔室(101)和下部腔室(102)间的密封材(103)；被设置在处理腔室之内部，载置晶圆之载置台；被设置在载置台，加热晶圆之加热机构；和对处理腔室之内部供给加压气体的气体供给机构。密封材(103)系被设置成密封材(103)与上部腔室(101)及下部腔室(102)接触，并且上部腔室(101)和下部腔室(102)彼此不接触。

5. 发明专利

TWI475595B 基板運送裝置有权
简体标题：基板运送设备
公开(公告)号：TWI475595B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW100106051
申请日：2011-02-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：稻益壽史 , INAMASU, TOSHIFUMI , 小篠勳 , OZASA, ISAO , 高木貴生 , TAKAKI, TAKAO , 吉富濟 , YOSHITOMI, WATARU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16 , B05C13/02 , B65G45/22 , B65G49/06

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