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1. 发明专利

TW201919102A 半導體元件之製造裝置及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件之制造设备及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201919102A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107125179
申请日：2018-07-20
申请人：日商東邦化成股份有限公司 , TOHO KASEI CO., LTD.
发明人：山本弘和 , YAMAMOTO, HIROKAZU , 伊丹宏貴 , ITAMI, HIROTAKA , 野口勇 , NOGUCHI, ISAMU , 本忠和 , TSUKAMOTO, TADAKAZU , 川戸進 , KAWATO, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , C08L27/12 , H05F1/00
CPC分类号： C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/304 , H05F1/00
摘要：本發明係提供一種具有有效的靜電除去效果、潔淨性優異、且耐藥品性優異之半導體元件之製造裝置及半導體元件之製造方法。本發明之半導體元件之製造裝置，係具有：座台，具備夾頭銷及/或晶圓銷以保持半導體晶圓；及噴嘴，用以供給洗淨液、蝕刻液或阻劑液；之半導體元件之製造裝置，其中，噴嘴係包含複合樹脂材料之樹脂成形體，該複合樹脂材料含有至少1種氟樹脂及奈米碳管；及/或選自夾頭銷、晶圓銷及座台之至少1者係包含複合樹脂材料之樹脂成形體，該複合樹脂材料含有至少1種氟樹脂及奈米碳管。
简体摘要：本发明系提供一种具有有效的静电除去效果、洁净性优异、且耐药品性优异之半导体组件之制造设备及半导体组件之制造方法。本发明之半导体组件之制造设备，系具有：座台，具备夹头销及/或晶圆销以保持半导体晶圆；及喷嘴，用以供给洗净液、蚀刻液或阻剂液；之半导体组件之制造设备，其中，喷嘴系包含复合树脂材料之树脂成形体，该复合树脂材料含有至少1种氟树脂及奈米碳管；及/或选自夹头销、晶圆销及座台之至少1者系包含复合树脂材料之树脂成形体，该复合树脂材料含有至少1种氟树脂及奈米碳管。

2. 发明专利

TWI622092B 晶片製造方法有权
简体标题：芯片制造方法
公开(公告)号：TWI622092B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105128096
申请日：2016-08-31
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/461
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/53 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01L21/304 , H01L21/78

3. 发明专利

TW201814012A 鎢之化學機械研磨方法审中-公开
简体标题：钨之化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW201814012A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106104732
申请日：2017-02-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：蔡薇雯 , TSAI, WEI-WEN , 何蘭蓁 , HO, LIN CHEN , 李振彬 , LEE, CHENG PING
IPC分类号： C09G1/02 , B24B1/00 , B24B29/02 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本案揭露一種用於化學機械研磨含鎢之基板的製程，以降低靜電腐蝕速率且抑制該鎢之凹陷及下方介電質之侵蝕。該製程係包括提供基板；提供研磨組成物，該組成物係含有以下各者作為初始組分：水；氧化劑；海藻酸鹽；二羧酸、鐵離子源；膠狀氧化矽研磨劑；以及，視需要地，pH調節劑；提供具有研磨表面之化學機械研磨墊；於該研磨墊與該基板之間的界面處產生動態接觸；將該研磨組成物於該研磨墊與該基板之間的界面處或鄰近該界面分配於該研磨表面上；其中，一些鎢(W)係自該基板研磨移除，靜電腐蝕速率得以降低，鎢(W)之凹陷及鎢(W)下方之介電質的侵蝕得以抑制。
简体摘要：本案揭露一种用于化学机械研磨含钨之基板的制程，以降低静电腐蚀速率且抑制该钨之凹陷及下方介电质之侵蚀。该制程系包括提供基板；提供研磨组成物，该组成物系含有以下各者作为初始组分：水；氧化剂；海藻酸盐；二羧酸、铁离子源；胶状氧化硅研磨剂；以及，视需要地，pH调节剂；提供具有研磨表面之化学机械研磨垫；于该研磨垫与该基板之间的界面处产生动态接触；将该研磨组成物于该研磨垫与该基板之间的界面处或邻近该界面分配于该研磨表面上；其中，一些钨(W)系自该基板研磨移除，静电腐蚀速率得以降低，钨(W)之凹陷及钨(W)下方之介电质的侵蚀得以抑制。

4. 发明专利

TW201813715A 稀釋藥液製造裝置及稀釋藥液製造方法审中-公开
简体标题：稀释药液制造设备及稀释药液制造方法
公开(公告)号：TW201813715A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106108623
申请日：2017-03-16
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：藤村侑 , FUJIMURA, YU , 顔暢子 , GAN, NOBUKO , 床嶋裕人 , TOKOSHIMA, HIROTO
IPC分类号： B01J23/42 , B01J31/08 , C02F1/20 , H01L21/67
CPC分类号： B01D19/00 , B01F1/00 , B01F5/06 , B01J23/42 , B08B3/08 , C02F1/20 , C02F1/58 , C02F1/68 , G03F1/82 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種可於半導體清洗時的清洗步驟中，安全地製造、供給溶存氧及溶存過氧化氫兩者經去除的稀釋藥液的稀釋藥液的製造裝置。稀釋藥液的製造裝置具有以下構成：於超純水W的供給管線1中具備鉑族金屬擔載樹脂管柱2、膜式脫氣裝置3及氣體溶解膜裝置4，於鉑族金屬擔載樹脂管柱2與膜式脫氣裝置3之間設有清洗藥液的注入裝置5。於膜式脫氣裝置3的氣相側連接惰性氣體源6並且於氣體溶解膜裝置4的氣相側亦連接惰性氣體源7，於氣體溶解膜裝置4上連通排出管線8。
简体摘要：本发明提供一种可于半导体清洗时的清洗步骤中，安全地制造、供给溶存氧及溶存过氧化氢两者经去除的稀释药液的稀释药液的制造设备。稀释药液的制造设备具有以下构成：于超纯水W的供给管线1中具备铂族金属担载树脂管柱2、膜式脱气设备3及气体溶解膜设备4，于铂族金属担载树脂管柱2与膜式脱气设备3之间设有清洗药液的注入设备5。于膜式脱气设备3的气相侧连接惰性气体源6并且于气体溶解膜设备4的气相侧亦连接惰性气体源7，于气体溶解膜设备4上连通排出管线8。

5. 发明专利

TW201812947A 矽鑄錠的切斷方法、矽晶圓的製造方法及矽晶圓审中-公开
简体标题：硅铸锭的切断方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆
公开(公告)号：TW201812947A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121386
申请日：2017-06-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：橋本大輔 , HASHIMOTO, DAISUKE , 田尻知朗 , TAJIRI, TOMOAKI , 又川敏 , MATAGAWA, SATOSHI , 中島亮 , NAKASHIMA, AKIRA , 衛藤義博 , ETOU, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/66 , C30B29/06 , B28D5/04
CPC分类号： B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
摘要：提出一種方法，在使用固定砥粒線鋸切斷直徑超過300mm的矽鑄錠時，能夠將鎳的污染抑制在檢出限度以下。一種矽鑄錠之切斷方法，其係為使得至少一條在素線的表面固定了複數砥粒的固定砥粒鋼絲移動，同時將直徑超過300mm的矽鑄錠推壓送入上述固定砥粒鋼絲，以將上述矽鑄錠切斷的方法，該方法的特徵在於，上述矽鑄錠的切斷於30小時以下的切斷時間中進行。
简体摘要：提出一种方法，在使用固定砥粒线锯切断直径超过300mm的硅铸锭时，能够将镍的污染抑制在检出限度以下。一种硅铸锭之切断方法，其系为使得至少一条在素线的表面固定了复数砥粒的固定砥粒钢丝移动，同时将直径超过300mm的硅铸锭推压送入上述固定砥粒钢丝，以将上述硅铸锭切断的方法，该方法的特征在于，上述硅铸锭的切断于30小时以下的切断时间中进行。

6. 发明专利

TW201811944A 化學機械研磨用漿料組合物审中-公开
简体标题：化学机械研磨用浆料组合物
公开(公告)号：TW201811944A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106116625
申请日：2017-05-19
申请人：東進世美肯股份有限公司 , DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
发明人：朴惠貞 , PARK, HYE-JUNG , 金宰賢 , KIM, JAE-HYUN , 朴鍾大 , PARK, JONG-DAI , 李敏鍵 , LEE, MIN-GUN , 申宗哲 , SHIN, JONG-CHUL , 陳成勳 , JIN, SUNG-HOON
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B01J23/74 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/321
摘要：本發明公開一種在酸性環境下由於根據經時的pH變化小，從而可容易長時間保存的化學機械研磨用漿料組合物。上述化學機械研磨用漿料組合物包括研磨料、鋁0.000006~0.01重量%及水。較佳地，上述研磨料表面的矽烷醇基的數量和鋁含量滿足以下數學式1的條件。 [數學式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S為在研磨料表面1nm2上存在的矽烷醇基的數量（單位：個/nm2），C為漿料組合物中的鋁含量（重量%）。
简体摘要：本发明公开一种在酸性环境下由于根据经时的pH变化小，从而可容易长时间保存的化学机械研磨用浆料组合物。上述化学机械研磨用浆料组合物包括研磨料、铝0.000006~0.01重量%及水。较佳地，上述研磨料表面的硅烷醇基的数量和铝含量满足以下数学式1的条件。 [数学式1] 0.0005 ≤ (S * C)*100 ≤ 4.5 在此，S为在研磨料表面1nm2上存在的硅烷醇基的数量（单位：个/nm2），C为浆料组合物中的铝含量（重量%）。

7. 发明专利

TW201810514A 矽晶圓的搬運保管方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的搬运保管方法
公开(公告)号：TW201810514A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117458
申请日：2017-05-25
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：大關正彬 , OSEKI, MASAAKI , 佐藤三千登 , SATO, MICHITO , 石井薰 , ISHII, KAORU
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683
摘要：本發明為一種矽晶圓的搬運保管方法，包含在矽晶圓的加工步驟之中，從第一步驟至為下一步驟之第二步驟為止將矽晶圓予以搬送，且於第一步驟後投入至第二步驟為止之間將矽晶圓予以保管，其中於該第一步驟之後，於該矽晶圓的表面上吸附分子量100,000以上之聚合物，而在該矽晶圓的表面上吸附該聚合物的狀態下直至第二步驟為止為搬運及保管，藉此提供低價且得以抑制晶圓搬運時或保管時的金屬污染及表面粗糙的矽晶圓的搬運保管方法。
简体摘要：本发明为一种硅晶圆的搬运保管方法，包含在硅晶圆的加工步骤之中，从第一步骤至为下一步骤之第二步骤为止将硅晶圆予以搬送，且于第一步骤后投入至第二步骤为止之间将硅晶圆予以保管，其中于该第一步骤之后，于该硅晶圆的表面上吸附分子量100,000以上之聚合物，而在该硅晶圆的表面上吸附该聚合物的状态下直至第二步骤为止为搬运及保管，借此提供低价且得以抑制晶圆搬运时或保管时的金属污染及表面粗糙的硅晶圆的搬运保管方法。

9. 发明专利

TW201807512A 處理液及處理液收容體审中-公开
简体标题：处理液及处理液收容体
公开(公告)号：TW201807512A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114017
申请日：2017-04-27
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：村山哲 , MURAYAMA, SATORU , 清水哲也 , SHIMIZU, TETSUYA , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , C11D11/00 , C11D7/50 , C11D7/02 , C11D7/24 , C11D7/08 , C11D7/26 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/304
摘要：本發明的課題係提供一種能夠抑制半導體裝置的缺陷的產生且抗腐蝕性及潤濕性優異之處理液。本發明的處理液係半導體裝置用處理液，其含有選自包括醚類、酮類及內酯類中之至少一種有機溶劑；水；及包含選自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn中之至少一種金屬元素之金屬成分，處理液中水的含量為100質量ppb～100質量ppm，處理液中金屬成分的含量為10質量ppq～10質量ppb。
简体摘要：本发明的课题系提供一种能够抑制半导体设备的缺陷的产生且抗腐蚀性及润湿性优异之处理液。本发明的处理液系半导体设备用处理液，其含有选自包括醚类、酮类及内酯类中之至少一种有机溶剂；水；及包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn中之至少一种金属元素之金属成分，处理液中水的含量为100质量ppb～100质量ppm，处理液中金属成分的含量为10质量ppq～10质量ppb。

10. 发明专利

TW201807511A 半導體製造用處理液及圖案形成方法审中-公开
简体标题：半导体制造用处理液及图案形成方法
公开(公告)号：TW201807511A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106110698
申请日：2017-03-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA , 清水哲也 , SHIMIZU, TETSUYA , 村山哲 , MURAYAMA, SATORU
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , C11D3/26 , C11D7/32 , C11D11/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , H01L21/304
摘要：本發明的目的在於提供一種可減少含有金屬原子的顆粒的產生且可形成良好的圖案的半導體製造用處理液及圖案形成方法。本發明的實施形態的半導體製造用處理液包含通式（N）所表示的四級銨化合物；選自由陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、及螯合劑所組成的群組中的至少一種添加劑；以及水。所述半導體製造用處理液包含選自由Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn所組成的群組中的一種或兩種以上的金屬原子，且相對於前期添加劑的總質量與所述金屬原子的總質量的合計，所述金屬原子的總質量為1質量ppt～1質量ppm。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可减少含有金属原子的颗粒的产生且可形成良好的图案的半导体制造用处理液及图案形成方法。本发明的实施形态的半导体制造用处理液包含通式（N）所表示的四级铵化合物；选自由阴离子界面活性剂、非离子界面活性剂、阳离子界面活性剂、及螯合剂所组成的群组中的至少一种添加剂；以及水。所述半导体制造用处理液包含选自由Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及Zn所组成的群组中的一种或两种以上的金属原子，且相对于前期添加剂的总质量与所述金属原子的总质量的合计，所述金属原子的总质量为1质量ppt～1质量ppm。

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