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1. 发明专利

TW201608618A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201608618A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118620
申请日：2015-06-09
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明之課題在於提供一種晶圓之加工方法，其可將在積層於基板表面之功能層上以形成為格子狀的複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有元件的晶圓，分割成一個個的元件。解決手段是將在基板的表面所積層之功能層上藉由形成為格子狀的複數條分割預定線所劃分出之複數個區域中形成有元件之晶圓，沿著分割預定線分割的晶圓之加工方法，其包含高度記錄步驟、切削溝形成步驟及雷射加工步驟。該高度記錄步驟是以工作夾台保持表面上貼附有保護構件之晶圓的保護構件側，並在使工作夾台在X軸方向上加工進給時檢測與晶圓的分割預定線對應之背面的Z軸方向的高度位置，且記錄分割預定線之X座標和對應於X座標之Z座標，該切削溝形成步驟是已實施高度記錄步驟之後，從基板之背面側將切削刀定位於與分割預定線對應的區域中，並根據在高度記錄步驟中所記錄之X座標和Z座標使切削刀在Z軸方向上移動以將未到達功能層之基板的一部分留下而形成切削溝，該雷射加工步驟是從晶圓的背面側沿著切削溝的底部照射雷射光線，而沿著分割預定線分割晶圓。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种晶圆之加工方法，其可将在积层于基板表面之功能层上以形成为格子状的复数条分割预定线所划分出的复数个区域中形成有组件的晶圆，分割成一个个的组件。解决手段是将在基板的表面所积层之功能层上借由形成为格子状的复数条分割预定线所划分出之复数个区域中形成有组件之晶圆，沿着分割预定线分割的晶圆之加工方法，其包含高度记录步骤、切削沟形成步骤及激光加工步骤。该高度记录步骤是以工作夹台保持表面上贴附有保护构件之晶圆的保护构件侧，并在使工作夹台在X轴方向上加工进给时检测与晶圆的分割预定线对应之背面的Z轴方向的高度位置，且记录分割预定线之X座标和对应于X座标之Z座标，该切削沟形成步骤是已实施高度记录步骤之后，从基板之背面侧将切削刀定位于与分割预定线对应的区域中，并根据在高度记录步骤中所记录之X座标和Z座标使切削刀在Z轴方向上移动以将未到达功能层之基板的一部分留下而形成切削沟，该激光加工步骤是从晶圆的背面侧沿着切削沟的底部照射激光光线，而沿着分割预定线分割晶圆。

2. 发明专利

TW202022952A 加工基板的方法审中-公开
公开(公告)号：TW202022952A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108129840
申请日：2019-08-21
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：皮拉瓦瑟卡爾 H , PRIEWASSER, KARL HEINZ , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE
IPC分类号： H01L21/463 , H01L21/683 , H01L21/673 , H01L21/677
摘要：本發明涉及加工基板的方法。基板具有一個面和與該面相反的面。基板在所述面上或者在與該面相反的面上具有至少一個凹部。該方法包括：提供保護膜，並將保護膜施加至基板的具有至少一個凹部的面上，使得保護膜的正表面的至少中央區域與基板的具有至少一個凹部的面直接接觸。該方法還包括：向保護膜施加壓力，使得保護膜沿所述至少一個凹部的深度的至少一部分進入凹部中；以及對基板的所述面和/或與該面相反的面進行加工。
简体摘要：本发明涉及加工基板的方法。基板具有一个面和与该面相反的面。基板在所述面上或者在与该面相反的面上具有至少一个凹部。该方法包括：提供保护膜，并将保护膜施加至基板的具有至少一个凹部的面上，使得保护膜的正表面的至少中央区域与基板的具有至少一个凹部的面直接接触。该方法还包括：向保护膜施加压力，使得保护膜沿所述至少一个凹部的深度的至少一部分进入凹部中；以及对基板的所述面和/或与该面相反的面进行加工。

3. 发明专利

TWI679693B 晶圓的加工方法有权
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI679693B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105111065
申请日：2016-04-08
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/304

4. 发明专利

TW201642336A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201642336A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105111065
申请日：2016-04-08
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/00 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：提供一種晶圓的加工方法，其可抑制搬送時晶圓破損之情形，且可容易地補正雷射光線的照射位置。晶圓的加工方法具備保護膠帶貼著步驟、切削溝形成步驟與分割步驟。保護膠帶貼著步驟是於晶圓的功能層之表面貼著會因外界刺激而硬化之保護膠帶。切削溝形成步驟是自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝。分割步驟是於實施切削溝形成步驟後，沿切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，而將殘存部分割並將晶圓分割為元件晶片。在切削溝形成步驟中，會於晶圓之外周剩餘區域形成未形成切削溝之非加工部。
简体摘要：提供一种晶圆的加工方法，其可抑制搬送时晶圆破损之情形，且可容易地补正激光光线的照射位置。晶圆的加工方法具备保护胶带贴着步骤、切削沟形成步骤与分割步骤。保护胶带贴着步骤是于晶圆的功能层之表面贴着会因外界刺激而硬化之保护胶带。切削沟形成步骤是自基板的背面侧沿分割预定线以切削刀片切削，并形成未到达功能层之留下残存部的切削沟。分割步骤是于实施切削沟形成步骤后，沿切削沟照射对基板具有吸收性之波长的激光光线，而将残存部分割并将晶圆分割为组件芯片。在切削沟形成步骤中，会于晶圆之外周剩余区域形成未形成切削沟之非加工部。

5. 发明专利

TWI677039B 晶圓的加工方法有权
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI677039B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105107378
申请日：2016-03-10
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/544

6. 发明专利

TW201709371A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201709371A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107378
申请日：2016-03-10
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2223/5446
摘要：本發明的課題是在於提供一種可精度佳地分割形成有層疊低介電常數絕緣體被膜的機能層的晶圓之晶圓的加工方法。其解決手段，晶圓的加工方法是利用透過基板的波長的雷射光線來從晶圓的背面側檢測出對應於分割預定線的機能層與基板的界面的高度，以檢測出的高度為基準來設定切削刀的切入量，在基板中形成切削溝，該切削溝是具有不至機能層的均一厚度的殘存部，沿著分割預定線來切斷殘存部及機能層。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可精度佳地分割形成有层叠低介电常数绝缘体被膜的机能层的晶圆之晶圆的加工方法。其解决手段，晶圆的加工方法是利用透过基板的波长的激光光线来从晶圆的背面侧检测出对应于分割预定线的机能层与基板的界面的高度，以检测出的高度为基准来设置切削刀的切入量，在基板中形成切削沟，该切削沟是具有不至机能层的均一厚度的残存部，沿着分割预定线来切断残存部及机能层。

7. 发明专利

TW201626496A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201626496A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128800
申请日：2015-09-01
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：本發明的課題為提供一種能夠對藉由積層於基板表面的功能層而形成有複數個器件的晶圓，沿著分割預定線照射雷射光線，以形成沿著分割預定線生成的碎片不會附著在器件的表面的晶圓之加工方法。解決手段是將藉由積層於基板表面的功能層而形成有複數個器件的晶圓，沿著劃分該器件之複數條切割道分割的晶圓之加工方法，其包含：保護膠帶貼附步驟，使敷設有黏著層的保護膠帶的黏著層側與晶圓的功能層的表面相面對，以將保護膠帶貼附在功能層的表面上；以及晶圓分割步驟，將已實施該保護膠帶貼附步驟的晶圓的保護膠帶側保持在工作夾台的保持面上，並從晶圓的基板的背面側沿著分割預定線照射對基板及功能層具有吸收性之波長的雷射光線，且沿著分割預定線形成達到保護膠帶的雷射加工溝，以將晶圓分割成一個個器件晶片。該保護膠帶貼附步驟是將保護膠帶的黏著層與器件密接而貼附成沒有縫隙，以免在晶圓分割步驟中使因照射雷射光線而沿著分割預定線生成的碎片附著在器件的表面上。
简体摘要：本发明的课题为提供一种能够对借由积层于基板表面的功能层而形成有复数个器件的晶圆，沿着分割预定线照射激光光线，以形成沿着分割预定线生成的碎片不会附着在器件的表面的晶圆之加工方法。解决手段是将借由积层于基板表面的功能层而形成有复数个器件的晶圆，沿着划分该器件之复数条切割道分割的晶圆之加工方法，其包含：保护胶带贴附步骤，使敷设有黏着层的保护胶带的黏着层侧与晶圆的功能层的表面相面对，以将保护胶带贴附在功能层的表面上；以及晶圆分割步骤，将已实施该保护胶带贴附步骤的晶圆的保护胶带侧保持在工作夹台的保持面上，并从晶圆的基板的背面侧沿着分割预定线照射对基板及功能层具有吸收性之波长的激光光线，且沿着分割预定线形成达到保护胶带的激光加工沟，以将晶圆分割成一个个器件芯片。该保护胶带贴附步骤是将保护胶带的黏着层与器件密接而贴附成没有缝隙，以免在晶圆分割步骤中使因照射激光光线而沿着分割预定线生成的碎片附着在器件的表面上。

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