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1. 发明专利

TW202022923A 退火裝置及退火方法审中-公开
简体标题：退火设备及退火方法
公开(公告)号：TW202022923A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136795
申请日：2019-10-14
申请人：日商住友重機械工業股份有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：田中哲平 , TANAKA, TEPPEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01S5/042 , B23K26/0622 , B23K26/073
摘要：為了提供一種能夠推定退火時的熔融深度之退火裝置。加熱部是將退火對象物的表面加熱而使表層部暫時熔融。藉由感測器檢測來自由加熱部加熱後之退火對象物的熱輻射光。處理部依據表示由感測器檢測出之熱輻射光的強度的時間變化之波形，推定退火對象物的退火結果。
简体摘要：为了提供一种能够推定退火时的熔融深度之退火设备。加热部是将退火对象物的表面加热而使表层部暂时熔融。借由传感器检测来自由加热部加热后之退火对象物的热辐射光。处理部依据表示由传感器检测出之热辐射光的强度的时间变化之波形，推定退火对象物的退火结果。

2. 发明专利

TW202022363A 雷射晶化裝置的監控系統审中-公开
简体标题：激光晶化设备的监控系统
公开(公告)号：TW202022363A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108144828
申请日：2019-12-06
申请人：南韓商三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：崔京植 , CHOI, KYONG SIK , 金志桓 , KIM, JI-HWAN , 朴京鎬 , PARK, KYONG HO , 孫明石 , SON, MYOUNG SEOK , 申東勳 , SHIN, DONG HOON , 劉光炫 , YOU, KWANG HYUN , 李洪魯 , LEE, HONG RO
IPC分类号： G01N23/20 , H01L21/268
摘要：根據本發明一實施例的一種雷射晶化裝置的監控系統包含：工作臺，用於支撐基板；雷射產生部，向基板提供雷射束；散射光束檢測部，檢測出在基板上被散射的雷射束的散射光束；及控制部，接收並儲存被檢測出的散射光束的强度相關的資料，基於此來修正雷射產生部的雷射束的强度。
简体摘要：根据本发明一实施例的一种激光晶化设备的监控系统包含：工作台，用于支撑基板；激光产生部，向基板提供激光束；散射光束检测部，检测出在基板上被散射的激光束的散射光束；及控制部，接收并存储被检测出的散射光束的强度相关的数据，基于此来修正激光产生部的激光束的强度。

3. 发明专利

TWI672495B 評估離子植佈加工件特性的方法及其測試加工件有权
简体标题：评估离子植布加工件特性的方法及其测试加工件
公开(公告)号：TWI672495B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW105125476
申请日：2016-08-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊國勝 , CHUANG, KUO SHENG , 周友華 , CHOU, YOU HUA
IPC分类号： G01N21/78 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/3105 , H01L21/66

4. 发明专利

TW201903854A 加工方法审中-公开
公开(公告)号：TW201903854A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107585
申请日：2018-03-07
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：竹之內研二 , TAKENOUCHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/78
摘要： [課題]提供一種加工方法，該加工方法對在切斷預定線上重疊而形成有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工之時，可維持加工的品質並且提高加工的速度。 [解決手段]是對在正面側具有包含金屬之積層體的板狀的被加工物進行加工的加工方法，其中該積層體是於切斷預定線上重疊而形成，該加工方法包含以下步驟：保持步驟，以保持台保持被加工物的背面側，以使積層體露出；切割步驟，在實施保持步驟後，以切割刀沿著切斷預定線切割被加工物，而形成將積層體斷開的切割溝；以及雷射加工步驟，在實施切割步驟後，沿著切割溝照射雷射光束，在切割步驟中，是一邊對被加工物供給包含有機酸及氧化劑的切割液一邊進行切割。
简体摘要： [课题]提供一种加工方法，该加工方法对在切断预定在线重叠而形成有包含金属之积层体的板状的被加工物进行加工之时，可维持加工的品质并且提高加工的速度。 [解决手段]是对在正面侧具有包含金属之积层体的板状的被加工物进行加工的加工方法，其中该积层体是于切断预定在线重叠而形成，该加工方法包含以下步骤：保持步骤，以保持台保持被加工物的背面侧，以使积层体露出；切割步骤，在实施保持步骤后，以切割刀沿着切断预定线切割被加工物，而形成将积层体断开的切割沟；以及激光加工步骤，在实施切割步骤后，沿着切割沟照射激光光束，在切割步骤中，是一边对被加工物供给包含有机酸及氧化剂的切割液一边进行切割。

5. 发明专利

TWI641872B 拍攝方法及其裝置與對象物排列方法及其裝置有权
简体标题：拍摄方法及其设备与对象物排列方法及其设备
公开(公告)号：TWI641872B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105130296
申请日：2016-09-20
申请人：南韓商EO科技股份有限公司 , EO TECHNICS CO., LTD.
发明人：姜贊熙 , KANG, CHAN HEE , 許鎭 , HUR, JEEN , 申烔受 , SHIN, DONG SOO , 金成浩 , KIM, SUNG HO , 權容樂 , KWON, YOUNG ROCK
IPC分类号： G02B27/40 , G03B13/18 , H01L21/268

6. 发明专利

TW201841230A 碳化矽（ＳｉＣ）晶圓的生成方法审中-公开
简体标题：碳化硅（ＳｉＣ）晶圆的生成方法
公开(公告)号：TW201841230A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100854
申请日：2018-01-10
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：平田和也 , HIRATA, KAZUYA , 山本涼兵 , YAMAMOTO, RYOHEI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/302 , B23K26/402 , B23K26/53
摘要： [課題]提供一種能夠從單晶碳化矽鑄錠而將晶圓有效率地作剝離之碳化矽晶圓的生成方法。　　[解決手段]一種碳化矽晶圓的生成方法，係包含有：剝離層形成工程，係將相對於單晶碳化矽而具有透過性的波長之雷射光線(LB)之集光點(FP)，定位於從鑄錠(2)之第1面4(端面)起而相當於所應生成之晶圓之厚度的深度處，並對於鑄錠(2)照射雷射光線(LB)，而形成由使碳化矽被分離成矽與碳的改質部(18)和從改質部(18)起而等向性地被形成於c面上之碎裂(20)所成的剝離層(22)；和晶圓生成工程，係將碳化矽鑄錠(2)之碳化矽晶圓被生成之側浸漬在液體(26)中，並使其與發出具有近似於鑄錠(2)之固有振動數的頻率以上之頻率的超音波之振動板(30)相對面，而以剝離層(22)作為界面來使鑄錠(2)之一部分剝離並生成碳化矽晶圓(39)。
简体摘要： [课题]提供一种能够从单晶碳化硅铸锭而将晶圆有效率地作剥离之碳化硅晶圆的生成方法。　　[解决手段]一种碳化硅晶圆的生成方法，系包含有：剥离层形成工程，系将相对於单晶碳化硅而具有透过性的波长之激光光线(LB)之集光点(FP)，定位于从铸锭(2)之第1面4(端面)起而相当于所应生成之晶圆之厚度的深度处，并对于铸锭(2)照射激光光线(LB)，而形成由使碳化硅被分离成硅与碳的改质部(18)和从改质部(18)起而等向性地被形成于c面上之碎裂(20)所成的剥离层(22)；和晶圆生成工程，系将碳化硅铸锭(2)之碳化硅晶圆被生成之侧浸渍在液体(26)中，并使其与发出具有近似于铸锭(2)之固有振动数的频率以上之频率的超音波之振动板(30)相对面，而以剥离层(22)作为界面来使铸锭(2)之一部分剥离并生成碳化硅晶圆(39)。

7. 实用新型

TWM569067U 電激發光子晶體面射型雷射元件有权
简体标题：电激发光子晶体面射型雷射组件
公开(公告)号：TWM569067U
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW107206643
申请日：2018-05-21
申请人：智林企業股份有限公司
发明人：林國瑞 , 徐銘揚 , 陳俞諶
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/28 , H01L27/14 , H01L33/48 , H01S5/34

8. 发明专利

TW201837993A 用於製造技術遮罩的方法审中-公开
简体标题：用于制造技术遮罩的方法
公开(公告)号：TW201837993A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107107465
申请日：2018-03-06
申请人：德商LPKF雷射暨電子股份公司 , LPKF LASER & ELECTRONICS AG
发明人：安伯烈西斯諾伯特 , AMBROSIUS, NORBERT , 歐斯拓特羅曼 , OSTHOLT, ROMAN , 席諾阿那 , SCHNOOR, ARNE , 當克丹尼爾 , DUNKER, DANIEL , 海爾凱文 , HALE, KEVIN , 朵爾居莫瑞提茲 , DOERGE, MORITZ , 溫克史蒂芬 , WENKE, STEPHAN
IPC分类号： H01L21/268 , B23K26/53
摘要：本發明係關於一種用於製造一技術遮罩(1)之方法，該技術遮罩由一板形基板(2)構成，該板形基板例如由玻璃、藍寶石或矽構成。藉助於雷射誘導之深蝕刻來製造該遮罩(1)之至少一個孔徑，其中該基板(2)至少對在該雷射誘導之深蝕刻期間所使用的雷射波長透明。出於此目的，詳言之出於分離閉合輪廓(3)的目的，藉由沿著預定義作業線(4)的雷射之脈衝來修改該基板(2)。作業線(4)的呈連接幅材之形式的局部中斷(所謂的斷裂突片)確保待分離之該些輪廓(3)甚至在用蝕刻溶液處理之後仍連接至該板形基板(2)。在後續步驟中，用一蝕刻溶液處理以此方式預處理之該板形基板(2)，該蝕刻溶液諸如氫氟酸(HF)或氫氧化鉀(KOH)，由於該處理，均質且各向同性地蝕刻該基板(2)之未經修改區域。經修改區域相對於該基板(2)之未經處理區域各向異性地起反應，使得首先，定向凹陷在經處理位置處形成，直至最後，該基板(2)之材料在此位置處完全溶解為止。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造一技术遮罩(1)之方法，该技术遮罩由一板形基板(2)构成，该板形基板例如由玻璃、蓝宝石或硅构成。借助于激光诱导之深蚀刻来制造该遮罩(1)之至少一个孔径，其中该基板(2)至少对在该激光诱导之深蚀刻期间所使用的激光波长透明。出于此目的，详言之出于分离闭合轮廓(3)的目的，借由沿着预定义作业线(4)的激光之脉冲来修改该基板(2)。作业线(4)的呈连接幅材之形式的局部中断(所谓的断裂突片)确保待分离之该些轮廓(3)甚至在用蚀刻溶液处理之后仍连接至该板形基板(2)。在后续步骤中，用一蚀刻溶液处理以此方式预处理之该板形基板(2)，该蚀刻溶液诸如氢氟酸(HF)或氢氧化钾(KOH)，由于该处理，均质且各向同性地蚀刻该基板(2)之未经修改区域。经修改区域相对于该基板(2)之未经处理区域各向异性地起反应，使得首先，定向凹陷在经处理位置处形成，直至最后，该基板(2)之材料在此位置处完全溶解为止。

9. 发明专利

TWI636495B 多晶半導體薄膜、薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：多晶半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI636495B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106115833
申请日：2017-05-12
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：鄭晃忠 , CHENG, HUANG CHUNG , 廖湛宇 , LIAO, CHAN YU , 李一劭 , LI, YI SHAO , 吳俊毅 , WU, CHUN YI , 王冠宇 , WANG, KUANG YU
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78

10. 发明专利

TWI628027B 用於切割晶元的方法和設備有权
简体标题：用于切割芯片的方法和设备
公开(公告)号：TWI628027B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105111243
申请日：2016-04-11
申请人：先進科技新加坡有限公司 , ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：範德斯塔姆卡雷爾梅科爾理查德 , VAN DER STAM, MAYKEL RICHARD
IPC分类号： B23K26/067 , B23K26/082 , B23K26/364 , B23K26/402 , H01L21/268 , H01L21/67 , H01L21/78

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