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1. 发明专利

TWI638454B 用於射頻整合式被動元件之具有減低射頻損失之高阻値矽基板有权
简体标题：用于射频集成式被动组件之具有减低射频损失之高阻値硅基板
公开(公告)号：TWI638454B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW103141015
申请日：2014-11-26
申请人：歐庫美的克公司 , OKMETIC OYJ
发明人：海帕林納艾特 , HAAPALINNA, ATTE
IPC分类号： H01L29/32 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L27/06 , H01L29/16

2. 发明专利

TW201835374A 使用遠程電漿處理之碳化矽膜的緻密化审中-公开
简体标题：使用远程等离子处理之碳化硅膜的致密化
公开(公告)号：TW201835374A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106143452
申请日：2017-12-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：凡拉德拉彥巴德里 N , VARADARAJAN, BHADRI N. , 龔伯 , GONG, BO , 袁光璧 , YUAN, GUANGBI , 桂喆 , GUI, ZHE , 賴鋒源 , LAI, FENGYUAN
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L29/16
摘要：提供使用遠程電漿處理使碳化矽膜緻密化的方法與設備。碳化矽膜之遠程電漿沉積與遠程電漿處理的操作係交替地進行，以控制膜密度。沉積碳化矽膜的第一層，接著進行遠程電漿處理，然後沉積碳化矽膜的第二層，之後再進行另一遠程電漿處理。遠程電漿處理可使處於實質上低能態之來源氣體的自由基(例如，處於基態的氫自由基)朝向沉積在基板上的碳化矽膜流動。處於實質上低能態之來源氣體的自由基提高碳化矽膜中的交聯與膜緻密化。
简体摘要：提供使用远程等离子处理使碳化硅膜致密化的方法与设备。碳化硅膜之远程等离子沉积与远程等离子处理的操作系交替地进行，以控制膜密度。沉积碳化硅膜的第一层，接着进行远程等离子处理，然后沉积碳化硅膜的第二层，之后再进行另一远程等离子处理。远程等离子处理可使处于实质上低能态之来源气体的自由基(例如，处于基态的氢自由基)朝向沉积在基板上的碳化硅膜流动。处于实质上低能态之来源气体的自由基提高碳化硅膜中的交联与膜致密化。

3. 发明专利

TW201810364A 使用N型摻雜的選擇性磊晶生長以在N型金氧半導體鰭式電晶體中形成非直視性的源極汲極延伸部分审中-公开
简体标题：使用N型掺杂的选择性磊晶生长以在N型金属氧化物半导体鳍式晶体管中形成非直视性的源极汲极延伸部分
公开(公告)号：TW201810364A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112486
申请日：2017-04-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：高斯曼漢斯喬琴路德威格 , GOSSMANN, HANS-JOACHIM LUDWIG , 哥倫布班傑明 , COLOMBEAU, BENJAMIN , 包爾馬蒂亞斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/306 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/167 , H01L29/26 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02439 , H01L21/02447 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L21/30604 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/20 , H01L29/26 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：一種finFET元件，包括n型摻雜源極及/或汲極延伸部分，該n型摻雜源極及/或汲極延伸部分位於該finFET的閘極間隔物與半導體基板上配置該n型摻雜源極或汲極延伸部分的半導體塊部分之間。在鄰近該閘極間隔物形成的空腔中藉由選擇性磊晶生長（SEG）製程形成該n型摻雜源極或汲極延伸部分。
简体摘要：一种finFET组件，包括n型掺杂源极及/或汲极延伸部分，该n型掺杂源极及/或汲极延伸部分位于该finFET的闸极间隔物与半导体基板上配置该n型掺杂源极或汲极延伸部分的半导体块部分之间。在邻近该闸极间隔物形成的空腔中借由选择性磊晶生长（SEG）制程形成该n型掺杂源极或汲极延伸部分。

4. 发明专利

TW201734245A 石墨烯場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：石墨烯场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201734245A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105124833
申请日：2016-08-04
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/30 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786
摘要：一種石墨烯場效電晶體的製造方法，包括：提供一玻璃基板；原位清洗該玻璃基板；加熱該玻璃基板至攝氏600度~1200度；直接地生長至少一石墨烯層於該玻璃基板之表面；以及沉積一高介電係數材料層於該石墨烯層之表面。
简体摘要：一种石墨烯场效应管的制造方法，包括：提供一玻璃基板；原位清洗该玻璃基板；加热该玻璃基板至摄氏600度~1200度；直接地生长至少一石墨烯层于该玻璃基板之表面；以及沉积一高介电系数材料层于该石墨烯层之表面。

5. 发明专利

TW201730938A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201730938A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139425
申请日：2016-11-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳奕升 , CHEN, I SHENG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/02 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/1054 , H01L29/41791 , H01L29/42392 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/78696 , H01L2029/7858
摘要：一種半導體裝置包括設置於基底上的第一通道層、設置於基底上的一第一源極/汲極區、設置於每一第一通道層上的一閘極介電層以及設置於閘極介電層上的閘極電極層。每一第一通道層包括由第一半導體材料所形成的一半導體線。半導體線穿過第一源極/汲極區並進入一固定(anchor)區。在固定區處，半導體線不具有閘極電極層及閘極介電層，且夾設於一第二半導體材料內。
简体摘要：一种半导体设备包括设置于基底上的第一信道层、设置于基底上的一第一源极/汲极区、设置于每一第一信道层上的一闸极介电层以及设置于闸极介电层上的闸极电极层。每一第一信道层包括由第一半导体材料所形成的一半导体线。半导体线穿过第一源极/汲极区并进入一固定(anchor)区。在固定区处，半导体线不具有闸极电极层及闸极介电层，且夹设于一第二半导体材料内。

7. 发明专利

TW201633534A 混合裝置审中-公开
简体标题：混合设备
公开(公告)号：TW201633534A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141659
申请日：2015-12-11
申请人：萊豪森機械工廠有限公司 , MASCHINENFABRIK REINHAUSEN GMBH , 沃威克風險投資有限公司 , WARWICK VENTURES LTD.
发明人：布萊安特安古斯 , BRYANT, ANGUS , 摩白菲利浦安卓 , PROFESSOR MAWBY, PHILIP ANDREW
IPC分类号： H01L29/267 , H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/8083
摘要：本發明係有關於一種混合裝置、一種結合JFET以及HEMT裝置之結構、以及一種製造結合JFET以及HEMT裝置之結構之方法，特別是一種包括汲極端、源極端以及閘極端之混合裝置，其中混合裝置包括：一高電子遷移率電晶體(HEMT)；以及一與HEMT串聯耦接之接面場效電晶體(JFET)，其中HEMT以及JFET各自包括一閘極區、一源極傳導區與一汲極傳導區，以及其中JFET之閘極區係耦接至HEMT之一第一所述之傳導區。
简体摘要：本发明系有关于一种混合设备、一种结合JFET以及HEMT设备之结构、以及一种制造结合JFET以及HEMT设备之结构之方法，特别是一种包括汲极端、源极端以及闸极端之混合设备，其中混合设备包括：一高电子迁移率晶体管(HEMT)；以及一与HEMT串联耦接之接面场效应管(JFET)，其中HEMT以及JFET各自包括一闸极区、一源极传导区与一汲极传导区，以及其中JFET之闸极区系耦接至HEMT之一第一所述之传导区。

9. 发明专利

TW201539527A 電晶體裝置與其形成方法审中-公开
简体标题：晶体管设备与其形成方法
公开(公告)号：TW201539527A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146012
申请日：2014-12-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳文園 , CHEN, WEN YUAN , 余宗興 , YU, TSUNG HSING , 後藤賢一 , GOTO, KEN-ICHI , 吳志強 , WU, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L29/0653 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/365 , H01L29/41725 , H01L29/66477 , H01L29/66492 , H01L29/6659 , H01L29/66651 , H01L29/78 , H01L29/7833
摘要：本發明某些實施例關於形成於半導體基板中的電晶體裝置，且基板包含第一雜質型態的掺質。電晶體裝置包含的通道包含delta掺雜層，其具有第一雜質型態的掺質，用以產生峰值掺雜濃度於通道中。通道更包括含碳材料層於delta掺雜層上，其用以避免delta掺雜層與半導體基板之掺質回擴散。通道亦包含基板材料層於含碳材料層上，其用以使靠近通道表面處具有陡峭的退後型掺質濃度形狀。在某些實施例中，反掺雜層位於delta掺雜層下，其用以降低半導體基板中的漏電流，且包含第二雜質型態的掺質。第二雜質型態與第一雜質型態相反。
简体摘要：本发明某些实施例关于形成于半导体基板中的晶体管设备，且基板包含第一杂质型态的掺质。晶体管设备包含的信道包含delta掺杂层，其具有第一杂质型态的掺质，用以产生峰值掺杂浓度于信道中。信道更包括含碳材料层于delta掺杂层上，其用以避免delta掺杂层与半导体基板之掺质回扩散。信道亦包含基板材料层于含碳材料层上，其用以使靠近信道表面处具有陡峭的退后型掺质浓度形状。在某些实施例中，反掺杂层位于delta掺杂层下，其用以降低半导体基板中的漏电流，且包含第二杂质型态的掺质。第二杂质型态与第一杂质型态相反。

10. 发明专利

TW201519290A 金氧半Ｐ－Ｎ接面二極體及其製作方法审中-公开
简体标题：金氧半Ｐ－Ｎ接面二极管及其制作方法
公开(公告)号：TW201519290A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102140522
申请日：2013-11-07
申请人：佰群科技股份有限公司 , BRILLIANT ENGINEERING TECH. CO., LTD.
发明人：孫承梓 , SUN, CHENG TZU , 洪岳霜 , HUNG, YUE SHUANG , 鄭元龍 , CHENG, YUAN LUNG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/66
摘要：本發明係為一種金氧半P-N接面二極體及其製作方法，該方法包含下列步驟：於一半導體基板的部份表面上形成一第一介電層；於半導體基板中形成一第一離子佈植區域；於半導體基板的部份表面上形成連接於第一介電層的一第二介電層，第二介電層之厚度小於第一介電層；於第一介電層的部份表面和第二介電層上形成一多晶矽層；於半導體基板中形成相連接的一第二離子佈植區域和一第三離子佈植區域；於第一介電層所露出的表面、半導體基板所露出的表面和多晶矽層上形成一金屬濺鍍層；以及對部份金屬濺鍍層和部份第一介電層蝕刻，以露出部份第一介電層。
简体摘要：本发明系为一种金氧半P-N接面二极管及其制作方法，该方法包含下列步骤：于一半导体基板的部份表面上形成一第一介电层；于半导体基板中形成一第一离子布植区域；于半导体基板的部份表面上形成连接于第一介电层的一第二介电层，第二介电层之厚度小于第一介电层；于第一介电层的部份表面和第二介电层上形成一多晶硅层；于半导体基板中形成相连接的一第二离子布植区域和一第三离子布植区域；于第一介电层所露出的表面、半导体基板所露出的表面和多晶硅层上形成一金属溅镀层；以及对部份金属溅镀层和部份第一介电层蚀刻，以露出部份第一介电层。

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