专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201608618A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201608618A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118620
申请日：2015-06-09
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明之課題在於提供一種晶圓之加工方法，其可將在積層於基板表面之功能層上以形成為格子狀的複數條分割預定線所劃分出的複數個區域中形成有元件的晶圓，分割成一個個的元件。解決手段是將在基板的表面所積層之功能層上藉由形成為格子狀的複數條分割預定線所劃分出之複數個區域中形成有元件之晶圓，沿著分割預定線分割的晶圓之加工方法，其包含高度記錄步驟、切削溝形成步驟及雷射加工步驟。該高度記錄步驟是以工作夾台保持表面上貼附有保護構件之晶圓的保護構件側，並在使工作夾台在X軸方向上加工進給時檢測與晶圓的分割預定線對應之背面的Z軸方向的高度位置，且記錄分割預定線之X座標和對應於X座標之Z座標，該切削溝形成步驟是已實施高度記錄步驟之後，從基板之背面側將切削刀定位於與分割預定線對應的區域中，並根據在高度記錄步驟中所記錄之X座標和Z座標使切削刀在Z軸方向上移動以將未到達功能層之基板的一部分留下而形成切削溝，該雷射加工步驟是從晶圓的背面側沿著切削溝的底部照射雷射光線，而沿著分割預定線分割晶圓。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种晶圆之加工方法，其可将在积层于基板表面之功能层上以形成为格子状的复数条分割预定线所划分出的复数个区域中形成有组件的晶圆，分割成一个个的组件。解决手段是将在基板的表面所积层之功能层上借由形成为格子状的复数条分割预定线所划分出之复数个区域中形成有组件之晶圆，沿着分割预定线分割的晶圆之加工方法，其包含高度记录步骤、切削沟形成步骤及激光加工步骤。该高度记录步骤是以工作夹台保持表面上贴附有保护构件之晶圆的保护构件侧，并在使工作夹台在X轴方向上加工进给时检测与晶圆的分割预定线对应之背面的Z轴方向的高度位置，且记录分割预定线之X座标和对应于X座标之Z座标，该切削沟形成步骤是已实施高度记录步骤之后，从基板之背面侧将切削刀定位于与分割预定线对应的区域中，并根据在高度记录步骤中所记录之X座标和Z座标使切削刀在Z轴方向上移动以将未到达功能层之基板的一部分留下而形成切削沟，该激光加工步骤是从晶圆的背面侧沿着切削沟的底部照射激光光线，而沿着分割预定线分割晶圆。

2. 发明专利

TW201820447A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201820447A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106133677
申请日：2017-09-29
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：山下陽平 , YAMASHITA, YOHEI , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/364
摘要： [課題]本發明之課題是在於提供一種晶圓的加工方法，其可以將在正面藉由複數條分割預定線而被區劃成複數個元件的晶圓，在不使元件的品質降低的情形下有效率地分割成一個個的元件。 [解決手段]一種晶圓的加工方法，其是將藉由分割預定線所區劃而在正面形成有複數個元件之晶圓，分割成一個個的元件晶片，該晶圓的加工方法包含框架支撐步驟、背面磨削步驟、切削溝形成步驟、切斷步驟、及拾取步驟，該框架支撐步驟是將黏著膠帶貼附於晶圓之正面，並且對具有收容晶圓之開口部的環狀框架貼附黏著膠帶之外周，而透過黏著膠帶以環狀框架來支撐晶圓，該背面磨削步驟是磨削該晶圓之背面來進行薄化，該切削溝形成步驟是從該晶圓之背面對應於分割預定線來定位切削刀並形成未到達正面之切割溝，該切斷步驟是從該晶圓的背面沿著該切削溝照射雷射光線以將該分割預定線完全地切斷，該拾取步驟是從該黏著膠帶中拾取一個個的元件晶片。
简体摘要： [课题]本发明之课题是在于提供一种晶圆的加工方法，其可以将在正面借由复数条分割预定线而被区划成复数个组件的晶圆，在不使组件的品质降低的情形下有效率地分割成一个个的组件。 [解决手段]一种晶圆的加工方法，其是将借由分割预定线所区划而在正面形成有复数个组件之晶圆，分割成一个个的组件芯片，该晶圆的加工方法包含框架支撑步骤、背面磨削步骤、切削沟形成步骤、切断步骤、及十取步骤，该框架支撑步骤是将黏着胶带贴附于晶圆之正面，并且对具有收容晶圆之开口部的环状框架贴附黏着胶带之外周，而透过黏着胶带以环状框架来支撑晶圆，该背面磨削步骤是磨削该晶圆之背面来进行薄化，该切削沟形成步骤是从该晶圆之背面对应于分割预定线来定位切削刀并形成未到达正面之切割沟，该切断步骤是从该晶圆的背面沿着该切削沟照射激光光线以将该分割预定线完全地切断，该十取步骤是从该黏着胶带中十取一个个的组件芯片。

3. 发明专利

TW201838753A 工件加工方法审中-公开
公开(公告)号：TW201838753A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107113285
申请日：2018-04-19
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小幡翼 , OBATA, TSUBASA
IPC分类号： B23K26/362 , H01L21/302
摘要： [課題]本發明提供一種工件加工方法，能夠以簡單的方法將在透明基板正反兩面具有樹脂層的工件分割為晶片。[解決手段]一種板狀工件加工方法，該工件具有透明基板、層積於該基板正面的第1樹脂層及層積於該基板背面的第2樹脂層，且該第1樹脂層藉由互相交錯的多個分割預定線劃分為多個區域，該工件加工方法之特徵在於具備：黏貼步驟，將具有擴張性的黏著膠帶黏貼於該工件的該第2樹脂層；保持步驟，藉由該黏著膠帶將該工件以雷射加工裝置的卡盤台保持；樹脂層去除步驟，將對於該第1樹脂層具有吸收性且對於該透明基板具有穿透性之波長的雷射光束照射於該工件，並沿著該分割預定線以燒蝕加工將該第1樹脂層去除；改質層形成步驟，於實施該樹脂層去除步驟後，透過已去除該第1樹脂層之正面側的區域將前述雷射光束照射於該工件，且於該透明基板的內部沿著該分割預定線形成與周圍折射率或機械強度不同的改質層；以及分割步驟，於實施該改質層形成步驟後，擴張該黏著膠帶，並以該改質層作為斷裂起點沿著該分割預定線將該透明基板以及背面側的該第2樹脂層斷裂以將該工件分割為晶片。
简体摘要： [课题]本发明提供一种工件加工方法，能够以简单的方法将在透明基板正反两面具有树脂层的工件分割为芯片。[解决手段]一种板状工件加工方法，该工件具有透明基板、层积于该基板正面的第1树脂层及层积于该基板背面的第2树脂层，且该第1树脂层借由互相交错的多个分割预定线划分为多个区域，该工件加工方法之特征在于具备：黏贴步骤，将具有扩张性的黏着胶带黏贴于该工件的该第2树脂层；保持步骤，借由该黏着胶带将该工件以激光加工设备的卡盘台保持；树脂层去除步骤，将对于该第1树脂层具有吸收性且对于该透明基板具有穿透性之波长的激光光束照射于该工件，并沿着该分割预定线以烧蚀加工将该第1树脂层去除；改质层形成步骤，于实施该树脂层去除步骤后，透过已去除该第1树脂层之正面侧的区域将前述激光光束照射于该工件，且于该透明基板的内部沿着该分割预定线形成与周围折射率或机械强度不同的改质层；以及分割步骤，于实施该改质层形成步骤后，扩张该黏着胶带，并以该改质层作为断裂起点沿着该分割预定线将该透明基板以及背面侧的该第2树脂层断裂以将该工件分割为芯片。

4. 发明专利

TW201719745A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201719745A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105132381
申请日：2016-10-06
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 山下陽平 , YAMASHITA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/359
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明的課題為提供一種不會使器件晶片的側面受到損傷而能獲得品質良好之具有以塑模樹脂圍繞的外周之器件的晶圓的加工方法。解決手段是一種晶圓之加工方法，其包含：溝形成步驟，由晶圓的表面側沿著分割預定線照射對於晶圓具有吸收性之波長的雷射光線，且沿著分割預定線形成深度相當於器件晶片的成品厚度的溝；塑膜步驟，在晶圓的表面敷設塑模樹脂，並且將塑模樹脂埋設到溝中；保護構件貼附步驟，在敷設於晶圓表面的塑模樹脂的表面上貼附保護構件；背面磨削步驟，磨削晶圓的背面以使溝顯露，且使埋設於溝中的塑模樹脂露出於晶圓的背面；及分割步驟，以具有比該溝的寬度更薄之厚度的切削刀沿著溝來切削沿著溝露出的塑模樹脂的寬度方向中央部，藉此將晶圓分割成一個個具有以塑模樹脂圍繞的外周的器件晶片。
简体摘要：本发明的课题为提供一种不会使器件芯片的侧面受到损伤而能获得品质良好之具有以塑模树脂围绕的外周之器件的晶圆的加工方法。解决手段是一种晶圆之加工方法，其包含：沟形成步骤，由晶圆的表面侧沿着分割预定线照射对于晶圆具有吸收性之波长的激光光线，且沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的成品厚度的沟；塑膜步骤，在晶圆的表面敷设塑模树脂，并且将塑模树脂埋设到沟中；保护构件贴附步骤，在敷设于晶圆表面的塑模树脂的表面上贴附保护构件；背面磨削步骤，磨削晶圆的背面以使沟显露，且使埋设于沟中的塑模树脂露出于晶圆的背面；及分割步骤，以具有比该沟的宽度更薄之厚度的切削刀沿着沟来切削沿着沟露出的塑模树脂的宽度方向中央部，借此将晶圆分割成一个个具有以塑模树脂围绕的外周的器件芯片。

5. 发明专利

TW201947646A 晶圓的分割方法审中-公开
简体标题：晶圆的分割方法
公开(公告)号：TW201947646A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108115884
申请日：2019-05-08
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小幡翼 , OBATA, TSUBASA
IPC分类号： H01L21/301
摘要： [課題]進行成在分割晶圓的情況下，不使碎屑附著於分割後的晶片的側面。 [解決手段]一種晶圓的分割方法，包含：以工作夾台保持晶圓之已將膠帶貼附在形成有元件的正面之膠帶側，使切割刀片從晶圓背面側切入，且沿著分割預定線使切割刀片切割進給，以形成未將晶圓完全切斷的切割溝之步驟；在切割溝形成步驟後，將水溶性液狀樹脂供給至背面，以在包含切割溝的底面與側面之晶圓背面形成水溶性保護膜之步驟；將雷射光線的聚光點定位於切割溝的底面，並且從晶圓背面側將雷射光線照射於形成有水溶性保護膜的切割溝，以將晶圓完全切斷之步驟；及在雷射切斷步驟後，將洗淨水噴附於晶圓背面，以將水溶性保護膜溶解並去除之步驟。
简体摘要： [课题]进行成在分割晶圆的情况下，不使碎屑附着于分割后的芯片的侧面。 [解决手段]一种晶圆的分割方法，包含：以工作夹台保持晶圆之已将胶带贴附在形成有组件的正面之胶带侧，使切割刀片从晶圆背面侧切入，且沿着分割预定线使切割刀片切割进给，以形成未将晶圆完全切断的切割沟之步骤；在切割沟形成步骤后，将水溶性液状树脂供给至背面，以在包含切割沟的底面与侧面之晶圆背面形成水溶性保护膜之步骤；将激光光线的聚光点定位于切割沟的底面，并且从晶圆背面侧将激光光线照射于形成有水溶性保护膜的切割沟，以将晶圆完全切断之步骤；及在激光切断步骤后，将洗净水喷附于晶圆背面，以将水溶性保护膜溶解并去除之步骤。

6. 发明专利

TWI679693B 晶圓的加工方法有权
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI679693B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105111065
申请日：2016-04-08
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

TW201725611A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201725611A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105131082
申请日：2016-09-26
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 山下陽平 , YAMASHITA, YOHEI , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/2686 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834
摘要：提供一種晶圓的加工方法，即使在基板的表面形成有影像檢測器的晶圓，也可以使品質不會下降地分割成各影像檢測器。一種晶圓的加工方法，是將藉由被積層在基板的表面的功能層而形成影像檢測器的晶圓，沿著將該影像檢測器區劃的複數分割預定線分割，包含：將保護構件貼合在晶圓的表面的保護構件貼合過程；及從構成晶圓的基板的背面側將切削刀片定位於與分割預定線對應的領域且將未達到功能層基板的一部分殘留地形成分割溝的分割溝形成過程；及從分割溝形成過程被實施的基板的背面側沿著分割溝的底將雷射光線照射，將殘存的基板的一部分及功能層切斷的晶圓分割過程。
简体摘要：提供一种晶圆的加工方法，即使在基板的表面形成有影像检测器的晶圆，也可以使品质不会下降地分割成各影像检测器。一种晶圆的加工方法，是将借由被积层在基板的表面的功能层而形成影像检测器的晶圆，沿着将该影像检测器区划的复数分割预定线分割，包含：将保护构件贴合在晶圆的表面的保护构件贴合过程；及从构成晶圆的基板的背面侧将切削刀片定位于与分割预定线对应的领域且将未达到功能层基板的一部分残留地形成分割沟的分割沟形成过程；及从分割沟形成过程被实施的基板的背面侧沿着分割沟的底将激光光线照射，将残存的基板的一部分及功能层切断的晶圆分割过程。

8. 发明专利

TW201642336A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201642336A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105111065
申请日：2016-04-08
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/00 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：提供一種晶圓的加工方法，其可抑制搬送時晶圓破損之情形，且可容易地補正雷射光線的照射位置。晶圓的加工方法具備保護膠帶貼著步驟、切削溝形成步驟與分割步驟。保護膠帶貼著步驟是於晶圓的功能層之表面貼著會因外界刺激而硬化之保護膠帶。切削溝形成步驟是自基板的背面側沿分割預定線以切削刀片切削，並形成未到達功能層之留下殘存部的切削溝。分割步驟是於實施切削溝形成步驟後，沿切削溝照射對基板具有吸收性之波長的雷射光線，而將殘存部分割並將晶圓分割為元件晶片。在切削溝形成步驟中，會於晶圓之外周剩餘區域形成未形成切削溝之非加工部。
简体摘要：提供一种晶圆的加工方法，其可抑制搬送时晶圆破损之情形，且可容易地补正激光光线的照射位置。晶圆的加工方法具备保护胶带贴着步骤、切削沟形成步骤与分割步骤。保护胶带贴着步骤是于晶圆的功能层之表面贴着会因外界刺激而硬化之保护胶带。切削沟形成步骤是自基板的背面侧沿分割预定线以切削刀片切削，并形成未到达功能层之留下残存部的切削沟。分割步骤是于实施切削沟形成步骤后，沿切削沟照射对基板具有吸收性之波长的激光光线，而将残存部分割并将晶圆分割为组件芯片。在切削沟形成步骤中，会于晶圆之外周剩余区域形成未形成切削沟之非加工部。

9. 发明专利

TWI677039B 晶圓的加工方法有权
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI677039B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105107378
申请日：2016-03-10
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 長岡健輔 , NAGAOKA, KENSUKE , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 伴祐人 , BAN, YURI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/544

10. 发明专利

TW201820437A 晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201820437A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106133675
申请日：2017-09-29
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：山下陽平 , YAMASHITA, YOHEI , 小幡翼 , OBATA, TSUBASA , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/304
摘要： [課題]本發明之課題是在於提供一種晶圓的加工方法，其可以將在正面藉由複數條分割預定線而被區劃成複數個元件的晶圓，在不使元件的品質降低的情形下有效率地分割成一個個的元件。 [解決手段]根據本發明可提供一種晶圓的加工方法，其至少是由下述步驟所構成：保護膠帶貼附步驟，在晶圓的正面配設會因照射紫外線而使黏著力降低之保護膠帶；背面磨削步驟，將該保護膠帶側保持於工作夾台上並磨削該晶圓的背面來進行薄化；切削溝形成步驟，從該晶圓的背面對應於分割預定線來定位切削刀並形成未到達正面的切削溝；切斷步驟，從該晶圓的背面沿著該切削溝照射雷射光線，以將該分割預定線完全地切斷；紫外線照射步驟，對貼附於該晶圓的正面的該保護膠帶照射紫外線來使其降低黏著力；框架支撐步驟，於該晶圓的該保護膠帶側貼附黏著膠帶，並且在具有收容該晶圓的開口部的框架上貼附該黏著膠帶的外周，而透過該黏著膠帶以該框架支撐該晶圓；及拾取步驟，從該晶圓中拾取一個個的元件。
简体摘要： [课题]本发明之课题是在于提供一种晶圆的加工方法，其可以将在正面借由复数条分割预定线而被区划成复数个组件的晶圆，在不使组件的品质降低的情形下有效率地分割成一个个的组件。 [解决手段]根据本发明可提供一种晶圆的加工方法，其至少是由下述步骤所构成：保护胶带贴附步骤，在晶圆的正面配设会因照射紫外线而使黏着力降低之保护胶带；背面磨削步骤，将该保护胶带侧保持于工作夹台上并磨削该晶圆的背面来进行薄化；切削沟形成步骤，从该晶圆的背面对应于分割预定线来定位切削刀并形成未到达正面的切削沟；切断步骤，从该晶圆的背面沿着该切削沟照射激光光线，以将该分割预定线完全地切断；紫外线照射步骤，对贴附于该晶圆的正面的该保护胶带照射紫外线来使其降低黏着力；框架支撑步骤，于该晶圆的该保护胶带侧贴附黏着胶带，并且在具有收容该晶圆的开口部的框架上贴附该黏着胶带的外周，而透过该黏着胶带以该框架支撑该晶圆；及十取步骤，从该晶圆中十取一个个的组件。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式