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1. 发明申请

WO2014105029A1 MODULATION OF VERTICAL CAVITY LASER (VCSEL) FOR ENHANCED RANGE OF MULTI-MODAL FIBER COMMUNICATION 审中-公开
标题翻译：用于多模光纤通信的增强范围的垂直腔激光器（VCSEL）的调制
公开(公告)号：WO2014105029A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/US2012/071868
申请日：2012-12-27
申请人： EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT, LLC
发明人： MARGALIT, Mordehai
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/041 , H01S5/0607 , H01S5/0614 , H01S5/06206 , H01S5/18361
摘要： Technologies are described for enabling VCSELs to transmit phase or frequency modulated signals, which may have a substantially smaller transmission bandwidth and are more robust to transmission in a highly dispersive media such as multi-mode fibers. By applying an electric, magnetic, or electromagnetic field across one or more reflector layers of the VCSEL, a refractive index of the reflector layer(s) may be modified. The VCSEL may then be excited and the laser beam generated by the VCSEL phase-modulated by modifying a magnitude of the applied field.
摘要翻译：描述了使VCSEL能够发送相位或频率调制信号的技术，其可以具有基本更小的传输带宽，并且对于诸如多模光纤的高度色散介质中的传输更加鲁棒。通过在VCSEL的一个或多个反射器层上施加电，磁或电磁场，可以改变反射层的折射率。然后可以激发VCSEL并且通过修改所施加的场的幅度由VCSEL相位调制产生的激光束。

2. 发明申请

WO2004013980A2 SYSTEM FOR AMPLIFYING OPTICAL SIGNALS 审中-公开
标题翻译：放大光信号系统
公开(公告)号：WO2004013980A2
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：PCT/US0324162
申请日：2003-08-01
申请人： AHURA CORP
发明人： VAKHSHOORI DARYOOSH , AZIMI MASUD , JIANG MIN , KNOPP KEVIN J , WANG PEIDONG
IPC分类号： G02F1/01 , G02F1/295 , H01S3/00 , H01S3/094 , H01S3/0941 , H01S3/30 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/062 , H01S5/10 , H04B10/17 , H04J14/02 , H04B
CPC分类号： H04B10/2916 , G02B6/4213 , G02B6/4215 , H01S3/005 , H01S3/0064 , H01S3/094096 , H01S3/0941 , H01S3/302 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/06206 , H01S5/101 , H01S5/1057 , H01S2301/04 , H04J14/02
摘要： The invention is in the field of distributed Raman amplification for digital and analog transmission applications and other applications, e.g., instrumentation and imaging applications, including HFC-CATV applications. In particular, the invention uses a high power broadband source of amplified spontaneous emission (ASE) as the Raman pump source for improved system performance. The invention also includes methods for constructing such a high-power broadband Raman pump.
摘要翻译：本发明在分布式拉曼放大领域用于数字和模拟传输应用以及其它应用，例如包括HFC-CATV应用的仪器和成像应用。特别地，本发明使用放大自发发射（ASE）的高功率宽带源作为拉曼泵浦源，以改善系统性能。本发明还包括构建这种高功率宽带拉曼泵的方法。

3. 发明申请

WO2004109959A3 INTELLIGENT WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS BASED ON ARRAYS OF WAVELENGTH TUNABLE LASERS AND WAVELENGTH TUNABLE RESONANT PHOTODETECTORS 审中-公开
标题翻译：基于波长能量激光和波长可调谐共振光电子阵列的智能波长分割多路复用系统
公开(公告)号：WO2004109959A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/EP2004005888
申请日：2004-06-01
申请人： LEDENTSOV NIKOLAI NIKOLAEVICH , SHCHUKIN VITALY ALEXANDROVICH
发明人： LEDENTSOV NIKOLAI NIKOLAEVICH , SHCHUKIN VITALY ALEXANDROVICH
IPC分类号： H01S1/00 , H01L31/00 , H01S5/026 , H01S5/042 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/183 , H01S5/32 , H01S5/40 , H04B10/155 , H04B10/158 , H04J14/02
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0264 , H01S5/0607 , H01S5/06206 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18341 , H01S5/18372 , H01S5/3211 , H01S2301/173 , H04J14/02
摘要： A wavelength division multiplexing system based on arrays of wavelength tunable lasers and wavelength tunable resonant photodetectors is disclosed. The system allows self-adjusting of the resonance wavelength of the wavelength tunable photodetectors to the wavelengths of the laser light emitted by the lasers. No precise wavelength stabilization of the lasers is required.
摘要翻译：公开了一种基于波长可调谐激光器和波长可调谐共振光电探测器阵列的波分复用系统。该系统允许波长可调光探测器的共振波长自适应到由激光器发射的激光的波长。不需要激光器的精确波长稳定。

4. 发明申请

WO1995031741A1 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH BRANCHED WAVEGUIDE 审中-公开
标题翻译：半导体部件与支链波导
公开(公告)号：WO1995031741A1
公开(公告)日：1995-11-23
申请号：PCT/DE1995000612
申请日：1995-05-09
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , STEGMÜLLER, Bernhard
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： G02B06/12
CPC分类号： G02B6/125 , G02B6/12007 , H01S5/06206 , H01S5/10 , H01S5/1032 , H01S5/106
摘要： A semiconducteur component with a strip waveguide (5, 6, 7) on a substrate (1), in which there is a vertical branch point in two superimposed layers (6, 7). A separating layer (3) between said layers is obtained by the suitable setting of the growth conditions when the layers are grown in such a way that there is a continuous increase in the thickness (11) of said separating layer (3) in the branch sections (10). The number of individual layers is the same in the vertical direction.
摘要翻译：（7 5,6）的基板（1），其中，在两个叠加层的垂直分支（6,7）存在于具有条形波导的半导体器件。这些层之间的剥离层（3）由所述的层，例如生长，在分支部（10）是这些分离层（3）的厚度（11）的连续增加期间适当设定的生长条件来制造。层的数量是在垂直方向上彼此相等。

5. 发明申请

WO2004109959A2 INTELLIGENT WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS BASED ON ARRAYS OF WAVELENGTH TUNABLE LASERS AND WAVELENGTH TUNABLE RESONANT PHOTODETECTORS 审中-公开
标题翻译：基于波长能量激光和波长可调谐共振光电子阵列的智能波长分割多路复用系统
公开(公告)号：WO2004109959A2
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/EP2004/005888
申请日：2004-06-01
申请人： LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich
发明人： LEDENTSOV, Nikolai Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly Alexandrovich
IPC分类号： H04J14/02
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0264 , H01S5/0607 , H01S5/06206 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18341 , H01S5/18372 , H01S5/3211 , H01S2301/173 , H04J14/02
摘要： A wavelength division multiplexing system based on arrays of wavelength tunable lasers and wavelength tunable resonant photodetectors is disclosed. The system allows self-adjusting of the resonance wavelength of the wavelength tunable photodetectors to the wavelengths of the laser light emitted by the lasers. No precise wavelength stabilization of the lasers is required.
摘要翻译：公开了一种基于波长可调谐激光器和波长可调谐共振光电探测器阵列的波分复用系统。该系统允许波长可调光探测器的共振波长自适应到由激光器发射的激光的波长。不需要激光器的精确波长稳定。

6. 发明申请

WO02097934A3 WAVELENTH-TUNABLE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：水平方向垂直孔表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO02097934A3
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：PCT/EP0205861
申请日：2002-05-28
申请人： LEDENTSOV NIKOLAI NIKOLAEVICH , SHCHUKIN VITALY ALEXANDROVICH
发明人： LEDENTSOV NIKOLAI NIKOLAEVICH , SHCHUKIN VITALY ALEXANDROVICH
IPC分类号： H01S1/00 , H01S5/026 , H01S5/042 , H01S5/062 , H01S5/183 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0264 , H01S5/06206 , H01S5/1833 , H01S5/18341
摘要： A wavelength tunable semiconductor vertical cavity surface emitting laser which includes at least one active element including an active layer generating an optical gain by injection of a current, and at least one phase control element, and mirrors. The phase control element contains a modulator exhibiting a strong narrow optical absorption peak on a short wavelength side from the wavelength of the laser generation. The wavelength control is realized by using a position-dependent electro-optical effect. If a reverse bias is applied, the absorption maximum is shifted to longer wavelengths due to the Stark effect. If a forward bias is applied, a current is injected and results in the bleaching and reduction of the peak absorption. In both cases a strong modulation of the refractive index in the phase control element occurs. The effect tunes the wavelength of the cavity mode, and the sign and the value of the wavelength shift are defined by the position of the modulator.
摘要翻译：一种波长可调谐半导体垂直腔表面发射激光器，其包括至少一个有源元件，该有源元件包括通过注入电流产生光学增益的有源层以及至少一个相位控制元件和反射镜。相位控制元件包含在激光产生的波长的短波长侧表现出强窄的光吸收峰的调制器。通过使用位置相关的电光效应来实现波长控制。如果施加反向偏压，则由于斯塔克效应，吸收最大值被转移到更长的波长。如果施加正向偏压，则注入电流并导致峰值吸收的漂白和降低。在这两种情况下，发生相位控制元件中的折射率的强调制。该效果调节腔模式的波长，波长偏移的符号和值由调制器的位置定义。

7. 发明申请

WO2002097934A2 WAVELENTH-TUNABLE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：水平方向垂直孔表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO2002097934A2
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：PCT/EP2002/005861
申请日：2002-05-28
申请人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
发明人： LEDENTSOV, Nikolai, Nikolaevich , SHCHUKIN, Vitaly, Alexandrovich
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0264 , H01S5/06206 , H01S5/1833 , H01S5/18341
摘要： A wavelength tunable semiconductor vertical cavity surface emitting laser which includes at least one active element including an active layer generating an optical gain by injection of a current, and at least one phase control element, and mirrors. The phase control element contains a modulator exhibiting a strong narrow optical absorption peak on a short wavelength side from the wavelength of the laser generation. The wavelength control is realized by using a position-dependent electro-optical effect. If a reverse bias is applied, the absorption maximum is shifted to longer wavelengths due to the Stark effect. If a forward bias is applied, a current is injected and results in the bleaching and reduction of the peak absorption. In both cases a strong modulation of the refractive index in the phase control element occurs. The effect tunes the wavelength of the cavity mode, and the sign and the value of the wavelength shift are defined by the position of the modulator. Two phase control cascades can be implemented into the laser, one of which shifts the wavelength of the emitted light to larger values, and the other shifts the wavelength of the emitted light to smaller values. A power equalizing element can be used in such laser allowing either to maintain the constant output power at different emission wavelengths or to realize an independent frequency and amplitude modulation. A photodetecting element can be implemented in the laser allowing calibration of the laser for all operations.
摘要翻译：一种波长可调谐半导体垂直腔表面发射激光器，其包括至少一个有源元件，该有源元件包括通过注入电流产生光学增益的有源层以及至少一个相位控制元件和反射镜。相位控制元件包含在激光产生的波长的短波长侧表现出强窄的光吸收峰的调制器。通过使用位置相关的电光效应来实现波长控制。如果施加反向偏压，则由于斯塔克效应，吸收最大值被转移到更长的波长。如果施加正向偏压，则注入电流并导致峰值吸收的漂白和降低。在这两种情况下，发生相位控制元件中的折射率的强调制。该效果调节腔模式的波长，波长偏移的符号和值由调制器的位置定义。两个相位控制级联可以实现到激光器中，其中一个将发射的光的波长偏移到更大的值，另一个将发射的光的波长偏移到更小的值。功率均衡元件可以用于这样的激光器中，以允许在不同的发射波长下保持恒定的输出功率或实现独立的频率和幅度调制。可以在激光器中实现光电检测元件，从而可以对所有操作的激光进行校准。

8. 发明申请

WO2006077641A1 光導波路デバイス及び半導体デバイス审中-公开
标题翻译：光波导器件和半导体器件
公开(公告)号：WO2006077641A1
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/JP2005/000699
申请日：2005-01-20
申请人：富士通株式会社 , 高林和雅 , 森戸健
发明人：高林和雅 , 森戸健
IPC分类号： G02B6/12 , H01S5/026 , H01S5/50
CPC分类号： G02F1/025 , B82Y20/00 , G02B6/14 , G02B6/2813 , G02B2006/12152 , G02F1/01708 , G02F2001/217 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/06206 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/50
摘要：　容易、かつ、確実に、接合界面における反射光の影響を抑制できるようすべく、光導波路デバイスを、第１光導波路（１）と、第１光導波路（１）と異なる材料又は構造により形成され、第１光導波路（１）に接合される第２光導波路（２）と、第１光導波路（１）及び第２光導波路（２）の接合界面の近傍で第１光導波路（１）及び第２光導波路（２）の幅を広くして形成される１×１多モード干渉導波路（３）とを備えるものとして構成する。
摘要翻译：光波导器件设置有第一光波导（1）; 第二光波导（2），其由与所述第一光波导（1）的材料或结构不同的材料或结构组成并耦合到所述第一光波导（1）; 以及通过在第一光波导（1）和第二光波导（1）的耦合接口附近扩大第一光波导（1）和第二光波导（2）的宽度而形成的1×1多模干涉波导（3）光波导（2），从而可以容易且可靠地抑制在耦合界面处反射的光的影响。

9. 发明申请

WO2004088802A1 光半導体素子および光半導体集積回路审中-公开
标题翻译：光学半导体器件和光学半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004088802A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004517
申请日：2004-03-30
申请人：日本電信電話株式会社 , 布谷伸浩 , 柴田泰夫 , 藤原直樹 , 菊池順裕 , 東盛裕一
发明人：布谷伸浩 , 柴田泰夫 , 藤原直樹 , 菊池順裕 , 東盛裕一
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B6/136 , G02B6/4202 , H01S5/026 , H01S5/06206 , H01S5/06256 , H01S5/0654 , H01S5/068 , H01S5/101 , H01S5/1017 , H01S5/1025 , H01S5/1085 , H01S5/1215 , H01S5/1221 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227 , H01S2301/173
摘要：半導体基板上において、屈折率およびその温度依存性の異なる材料を組み合わせることによって、光半導体素子および光半導体集積回路を提供する。特に、半導体レーザの利得領域と屈折率の温度依存性が異なる材料および／または構造を有する伝搬領域により、発振波長の温度依存性を制御することが可能になる。また、光導波路において、光導波方向に沿って複数の界面を形成し、第１の界面で反射した光が他の界面で反射した光によって弱められるように構成することができる。さらに、界面が光の伝播方向に対して傾くように配置することによって、屈折率が異なる光導波路間における反射および屈折による導波路損失を低減することもできる。
摘要翻译：使用折射率不同的折射率和温度依赖性的材料的组合的光学半导体器件以及光学集成电路。特别地，可以通过具有与半导体激光器的增益区域的折射率的温度依赖性不同的材料和/或结构的传播区域来控制振荡波长的温度依赖性。光波导可以具有沿着导光方向形成界面的结构，并且从第一界面反射的光被从其他界面反射的光减弱。此外，通过将界面设置在相对于光传播方向的角度，可以减少由于不同折射率的光波导之间的反射和折射引起的波导损耗。

10. 发明申请

WO1994013044A1 TUNABLE SURFACE-EMITTING LASER DIODE 审中-公开
标题翻译：可调二极管表面发射激光器
公开(公告)号：WO1994013044A1
公开(公告)日：1994-06-09
申请号：PCT/EP1993003301
申请日：1993-11-24
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , KÖCK, Anton , GORNIK, Erich
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01S03/085
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/06203 , H01S5/06206 , H01S5/1046
摘要： In a tunable surface-emitting laser diode, an active layer (5) and a tuning layer (3) are arranged transversely to each other between contact layers (2, 6), in the manner of a TTG laser diode, and are mutually separated by a central layer (49), so that these layers may be separately driven by appropriately doping the surrounding semiconductor material. Above a radiation-generating area, the semiconductor has at its surface a spatially periodical structure provided with a thin metal film (7), so that when the laser diode is operated a directed surface-radiation may be emitted by exciting the surface plasmon polaritons and its direction of propagation may be regulated by tuning its wavelenght.

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