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1. 发明申请

WO2013011705A1 PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件基板的处理方法
公开(公告)号：WO2013011705A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/JP2012/051899
申请日：2012-01-23
申请人： SINTOKOGIO, LTD. , INOUE, Kouichi , SHIBUYA, Norihito
发明人： INOUE, Kouichi , SHIBUYA, Norihito
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02664 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01S2304/04
摘要： To provide a processing method of a substrate for semiconductor elements, for applying blast processing to a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. The processing method includes a step of applying the blast processing to the second surface opposite to the first surface on which a compound semiconductor film is formed or is to be formed.
摘要翻译：为了提供一种用于半导体元件的衬底的处理方法，用于对具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的衬底进行鼓风处理。该处理方法包括对与要形成化合物半导体膜的第一表面相对的第二表面施加鼓风处理的步骤。

2. 发明申请

WO2011031718A3 OPTICALLY-PUMPED EXTERNAL-CAVITY SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASERS WITH FRONT-COOLED GAIN-STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：具有前冷却增益结构的光泵浦外壳表面发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011031718A3
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/US2010048076
申请日：2010-09-08
申请人： COHERENT INC , GOVORKOV SERGEI V , AUSTIN R RUSSEL
发明人： GOVORKOV SERGEI V , AUSTIN R RUSSEL
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/183 , H01S3/07 , H01S3/08054 , H01S3/0816 , H01S3/083 , H01S3/1062 , H01S3/1066 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/02484 , H01S5/041 , H01S5/14
摘要： A semiconductor gain-structure functions as a gain-element in a laser-resonator. The gain- structure is bonded to a diamond heat-spreader that is peripherally cooled by a heat-sink configured to allow access to the gain-structure by laser-radiation circulating in the laser- resonator. In one example, the gain-structure is used as a transmissive gain-structure in a traveling-wave ring-resonator. In another example, the gain- structure surmounts a mirror- structure which functions as an end-mirror of a standing- wave laser-resonator.
摘要翻译：半导体增益结构在激光谐振器中用作增益元件。增益结构被结合到金刚石散热器，该金刚石散热器通过被配置为允许通过在激光谐振器中循环的激光辐射而进入增益结构的散热器周边地冷却。在一个示例中，增益结构用作行波环形谐振器中的透射增益结构。在另一个例子中，增益结构超越了用作驻波激光谐振器的端镜的镜面结构。

3. 发明申请

WO2009082013A1 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009082013A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/073881
申请日：2008-12-19
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , HATTORI, Yasushi , SAITO, Shinji , NUNOUE, Shinya , MURAMOTO, Eiji , TACHIBANA, Koichi , ABE, Saori , HWANG, Jongil , SUGAI, Maki
发明人： HATTORI, Yasushi , SAITO, Shinji , NUNOUE, Shinya , MURAMOTO, Eiji , TACHIBANA, Koichi , ABE, Saori , HWANG, Jongil , SUGAI, Maki
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/507 , B82Y20/00 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/327 , H01S5/34333 , H01S5/42 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A light-emitting device which includes a semiconductor light-emitting element (12), and a plurality of plate-like wavelength conversion members (14) which are disposed to face the semiconductor light-emitting element and are inclined with respect to the optical axis (p) of excitation light emitted from the semiconductor light-emitting element, the plate-like wavelength conversion members containing respectively a fluorescent material which is capable of absorbing the excitation light and outputting light having a different wavelength from that of the excitation light, and the plate-like wavelength conversion members as a whole emitting visible light.
摘要翻译：一种发光装置，其包括半导体发光元件（12）和多个板状波长转换构件（14），所述多个板状波长转换构件（14）设置成面向所述半导体发光元件并相对于所述光轴倾斜（p）从所述半导体发光元件发射的激发光，所述板状波长转换构件分别包含能够吸收激发光并输出具有与激发光的波长不同的波长的光的荧光材料，以及板状波长转换构件整体上发射可见光。

4. 发明申请

WO2009020033A1 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009020033A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/063735
申请日：2008-07-31
申请人：日亜化学工業株式会社 , 市原隆志 , 吉田裕史 , 山田孝夫 , 若井陽平
发明人：市原隆志 , 吉田裕史 , 山田孝夫 , 若井陽平
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/301 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333
摘要：　サファイアウェハをチップ化する際、極めて高い歩留りで正確にチップ化することができる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。オリフラ面を有するサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウェハから半導体発光素子を製造する方法であって、前記オリフラ面に平行な方向Ｘoにオフ角θを有するサファイア基板の第１主面上に半導体層を積層し、前記半導体層側に、前記方向Ｘoに対して略垂直な方向Ｙに延びる第１破断溝を形成し、前記サファイア基板の内部に、前記第１破断溝に平行に、かつオフ角θの傾きに対応して第１破断溝内の分割予定線から±Ｘo方向に所定距離シフトさせて、第２破断線を形成し、前記第１及び／又は第２破断線に沿ってウェハを分割する工程を含む半導体発光素子の製造方法。
摘要翻译：提供一种制造半导体发光元件的方法，通过该方法可以将蓝宝石晶片以极高的产量精确地分成芯片。半导体发光元件由晶片制造，其中氮化镓化合物半导体层压在具有取向平坦表面的蓝宝石衬底上。该方法包括以下步骤：将半导体层层压在蓝宝石衬底的第一主表面上，其平行于取向平面的Xo方向具有偏角（θ）;沿Y方向延伸的第一断裂槽，在半导体层的侧面形成与Xo方向基本垂直的第二断开线，通过在X射线方向上以规定的距离从规划的分割线在第一断开槽，对应于偏角（θ）的倾斜，并且沿着第一和/或第二断裂线分割晶片。

5. 发明申请

WO2007074720A1 半導体素子実装用基板とそれを用いた半導体装置および半導体素子実装用基板の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体元件安装基板，使用该半导体元件的半导体器件以及用于制造半导体元件安装基板的工艺
公开(公告)号：WO2007074720A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/JP2006/325544
申请日：2006-12-21
申请人：株式会社アライドマテリアル , 高島浩一 , 森上英明 , 成田雅士
发明人：高島浩一 , 森上英明 , 成田雅士
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/14
CPC分类号： H01L24/27 , H01L23/14 , H01L23/3732 , H01L24/29 , H01L24/31 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01S5/0213 , H01S5/02484 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29144 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：　他部材との間での熱伝導の効率を向上できるため、ダイヤモンド複合材料の高い熱伝導性を十分に活かして、例えば半導体レーザー等の発光素子が、それ自体の発熱によって動作不良を生じるのを、確実に防止できる半導体素子実装用基板を提供する。　前記発光素子等を接続するための接続面を、深さまたは高さが１０～４０μｍ、面方向の差し渡し長さが１０μｍ～３ｍｍである凹部および凸部のうち少なくとも一方の、単位面積あたりの個数が５０個／ｃｍ 2 以下である状態に仕上げると共に、前記接続面に、半田またはロウ材からなり、厚みが１～３０μｍ、表面粗さを示す粗さ曲線の算術平均粗さＲ a がＲ a ≦２μｍ、最大高さ粗さＲ z がＲ z ≦１５μｍであって、前記凹部または凸部を埋める被覆層を形成した半導体素子搭載用基板である。
摘要翻译：本发明提供一种半导体元件安装基板，其通过提高基板与其他部件之间的导热效率，可以可靠地防止例如半导体激光器等发光元件由于发热不良而发生故障发光元件本身令人满意地利用金刚石复合材料的高导热性。在半导体元件安装基板中，用于连接上述发光元件等的连接面被完成，使得每单位面积的至少一个具有10〜40μm的深度或高度的凹部和突起的数量，以及 10μm至3mm的表面方向直径尺寸不大于50 / cm 2。此外，在连接面上设置覆盖层。覆盖层由焊料或钎料形成，厚度为1〜30μm，粗糙度曲线中的算术平均粗糙度R a a a表示R a a的表面粗糙度， SUB> =2μm，R z的最大高度粗糙度R z =15μm。覆盖层填充并覆盖凹部或突起。

6. 发明申请

WO2006105281A2 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILMS, STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
标题翻译：金属氧化物半导体膜，结构和方法
公开(公告)号：WO2006105281A2
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/US2006011619
申请日：2006-03-28
申请人： MOXTRONICS INC , RYU YUNGRYEL , LEE TAE-SEOK , WHITE HENRY W
发明人： RYU YUNGRYEL , LEE TAE-SEOK , WHITE HENRY W
IPC分类号： H01L33/28
CPC分类号： H01L33/28 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/00 , C01G11/00 , C01G11/006 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/46 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02554 , H01L21/0256 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02617 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01S5/0213 , H01S5/3018
摘要： Materials and structures for improving the performance of semiconductor devices include ZnBeO alloy materials, ZnCdOSe alloy materials, ZnBeO alloy materials that may contain Mg for lattice matching purposes, and BeO material. The atomic fraction x of Be in the ZnBeO alloy system, namely, Zn 1 - X Be X 0, can be varied to increase the energy band gap of ZnO to values larger than that of ZnO. The atomic fraction y of Cd and the atomic fraction z of Se in the ZnCdOSe alloy system, namely, Zn 1 - Y Cd Y Oi- Z Se Z , can be varied to decrease the energy band gap of ZnO to values smaller than that of ZnO. Each alloy formed can be undoped, or p-type or n-type doped, by use of selected dopant elements. These alloys can be used alone or in combination to form active photonic layers that can emit over a range of wavelength values, heterostructures such as single and multiple quantum wells and superlattice layers or cladding layers, and to fabricate optical and electronic semiconductor devices. These structures can be applied to improve the function, capability, and performance of semiconductor devices.
摘要翻译：用于提高半导体器件性能的材料和结构包括ZnBeO合金材料，ZnCdOSe合金材料，可能含有用于晶格匹配目的的Mg的ZnBeO合金材料和BeO材料。可以改变ZnBeO合金体系中Be的原子分数x，即Zn 1-x O 2 X 0，以增加能量 ZnO的带隙比ZnO的值大。 ZnCdOSe合金体系中Cd的原子分数y和Se的原子分数z，即Zn 1-x N y O y O - 可以改变Z 3，以使ZnO的能带隙减小到小于ZnO的能带宽。通过使用所选择的掺杂元素，形成的每个合金可以是未掺杂的，或者是p型掺杂或n型掺杂的。这些合金可以单独使用或组合使用以形成能够在波长范围内发射的有源光子层，诸如单个和多个量子阱以及超晶格层或覆层的异质结构，以及制造光学和电子半导体器件。这些结构可用于提高半导体器件的功能，性能和性能。

7. 发明申请

WO2006052068A1 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006052068A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/KR2005/003702
申请日：2005-11-04
申请人： LG INNOTEK CO., LTD , YANG, Seung, Huyn
发明人： YANG, Seung, Huyn
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/30
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02436 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01S5/34386 , H01S2301/04
摘要： A nitride semiconductor light emitting device including: a first nitride semiconductor layer; an active layer formed on the first nitride semiconductor layer and including at least one barrier layer grown under hydrogen atmosphere of a high temperature; and a second nitride semi conductor layer formed on the active layer, and a method of fabricating the same are provided. According to the light emitting device and method of fabricating the same, the light power of the light emitting device is increased and the operation reliability is enhanced.
摘要翻译：一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层; 形成在所述第一氮化物半导体层上并且包括在高温氢气氛下生长的至少一个势垒层的有源层; 以及形成在有源层上的第二氮化物半导体层及其制造方法。根据发光装置及其制造方法，发光装置的光功率增加，操作可靠性提高。

8. 发明申请

WO2004098007A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004098007A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/004974
申请日：2004-04-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 長谷川義晃 , 横川俊哉 , 山田篤志
发明人：長谷川義晃 , 横川俊哉 , 山田篤志
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：　本発明による半導体発光素子の製造方法は、ストライプ状のマスク層を第１のⅢ−Ⅴ族化合物半導体上に形成する工程（Ａ）と、第１のⅢ−Ⅴ族化合物半導体の表面のうち前記マスク層で覆われていない領域上に第２のⅢ−Ⅴ族化合物半導体を選択的に成長させることにより、前記マスク層によって規定されるストライプ状開口部を有する電流狭窄層を形成する工程（Ｂ）と、マスク層を選択的に除去する工程（Ｃ）と、ストライプ状開口部を介して露出する前記第１のⅢ−Ⅴ族化合物半導体の表面、および前記電流狭窄層の表面を覆う第３のⅢ−Ⅴ族化合物半導体を成長させる工程（Ｄ）とを含む。
摘要翻译：公开了一种制造半导体发光器件的方法，其包括步骤（A），其中在第一III-V族化合物半导体上形成条状图案化掩模层;步骤（B），其中第二III-V族化合物半导体选择性地生长在未被掩模层覆盖的第一III-V族化合物半导体表面的区域上，从而形成具有由掩模层限定的条形图案化开口部分的电流变窄层，步骤（C）其中所述掩模层被选择性地去除;以及步骤（D），其中生长第三III-V族化合物半导体以使其覆盖通过条形图案化的开口部分暴露的第一III-V族化合物半导体的表面和当前变窄的层。

9. 发明申请

WO01069662A1 GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体及其制造方法
公开(公告)号：WO01069662A1
公开(公告)日：2001-09-20
申请号：PCT/JP2001/001396
申请日：2001-02-23
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/34 , H01S5/02 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L33/025 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要： A sapphire substrate (1) is etched in a stripe pattern having a width of 10 mu m, an interval of 10 mu m, and a depth of 10 mu m. An AlN buffer layer (2) with a thickness of about 40 nm is formed mainly on the top and bottom surfaces of a step on the substrate (1). A GaN layer (3) is formed by vertical and horizontal epitaxial growth. Thus the step is covered by the buffer layer (21) grown on the top surface of the step by horizontal epitaxy, and therefore the surface is planarized. The threading dislocations in the portion of the GaN layer (3) above the bottom of the step are significantly suppressed compared with the portion thereof above the top of the step.
摘要翻译：将蓝宝石基板（1）以宽度10μm，间隔10μm，深度10μm的条纹图案进行蚀刻。主要在基板（1）上的台阶的顶表面和底表面上形成厚度约为40nm的AlN缓冲层（2）。通过垂直和水平外延生长形成GaN层（3）。因此，通过水平外延在步骤的顶表面上生长的缓冲层（21）覆盖该步骤，因此该表面被平坦化。与步骤顶部之上的部分相比，步骤底部之上的GaN层（3）部分的穿透位错显着地被抑制。

10. 发明申请

WO98034304A1 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO98034304A1
公开(公告)日：1998-08-06
申请号：PCT/US1998/001494
申请日：1998-01-27
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/323 , H01S3/025 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/0201 , H01L33/007 , H01L2224/48463 , H01L2224/4918 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0213 , H01S5/32341
摘要： A method for fabricating a semiconductor laser diode and the laser diode constructed therewith. A laser diode according to the present invention is constructed by depositing a buffer layer (9) on a substrate (8). A crystalline layer (10-13) is then deposited on the buffer layer (9). The crystalline layer (10-13) includes the waveguide for the laser. A portion (110) of the buffer layer (9) is etched from under the crystalline layer (10-13) leaving a portion (110) of the crystalline layer (10-13) cantilevered over the substrate (8). The crystalline layer (10-13) is then cleaved in the cantilevered portion (110) to generate a reflecting surface (15) for reflecting light generated in the waveguide. This method is well suited for GaN based laser diodes that are to be constructed on sapphire substrates.
摘要翻译：一种用于制造半导体激光二极管的方法和由其构成的激光二极管。根据本发明的激光二极管通过在衬底（8）上沉积缓冲层（9）而构成。然后将结晶层（10-13）沉积在缓冲层（9）上。结晶层（10-13）包括用于激光的波导。缓冲层（9）的一部分（110）从晶体层（10-13）的下面被蚀刻，留下悬臂在基片（8）上的结晶层（10-13）的一部分（110）。然后在悬臂部分（110）中切割晶体层（10-13），以产生用于反射在波导管中产生的光的反射表面（15）。该方法非常适用于将要在蓝宝石衬底上构造的GaN基激光二极管。

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