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1. 发明申请

WO2011007472A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2011007472A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/001321
申请日：2010-02-26
申请人：パナソニック株式会社 , 左文字克哉 , 川口真生 , 萩野裕幸
发明人：左文字克哉 , 川口真生 , 萩野裕幸
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205 , H01S5/16 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/164 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/32341
摘要：　アライメントマーク検出用光源に対して透明な材料からなる基板（１０１）の上に、該基板（１０１）と異なる屈折率を有する材料からなる第２のアライメントマーク（１２０）を形成する。続いて、基板（１０１）の上に、活性層１０５を含むＧａＮ系エピタキシャル層を第２のアライメントマーク（１２０）を埋め込むように成長する。続いて、第２のアライメントマーク（１２０）を参照しながら、ＧａＮ系エピタキシャル層に対する露光の位置合わせを行う。
摘要翻译：在包括对用于检测对准标记的光源透明的材料的基板（101）上形成包括具有与所述基板（101）不同的折射率的材料的第二对准标记（120）。随后，以嵌入第二对准标记（120）的方式在衬底（101）上生长包括有源层（105）的GaN外延层。然后在参照第二对准标记（120）的同时与GaN外延层对准曝光。

2. 发明申请

WO2009141933A1 窒化物半導体レーザ审中-公开
标题翻译：氮化物半导体激光器
公开(公告)号：WO2009141933A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/000216
申请日：2009-01-21
申请人：パナソニック株式会社 , 瀧澤俊幸 , 上田哲三
发明人：瀧澤俊幸 , 上田哲三
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0207 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1053 , H01S5/1057 , H01S5/106 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/223 , H01S5/2238 , H01S5/3213 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要：　下地基板上に凹凸構造を設け、その上に窒化物半導体レーザの層構造を作製する。活性層に用いられるＩｎＧａＮは、面方位に対してＩｎ取り込み効率や成長速度が大幅に変化する。この特性を利用することにより、一回の結晶成長によって光出射端面に低Ｉｎ組成かつ井戸層厚の薄い活性層構造を作り込むことができるため、光出射端面近傍の活性層遷移波長を短波長化することができる。その結果、光出射端面における光吸収による光学損傷を大幅に低減することができるため、高光出力動作が可能な窒化物半導体レーザを実現することができる。
摘要翻译：在基底基板上形成凹凸结构，在凹凸结构上制作氮化物半导体激光器的多层结构体。用于有源层的InGaN具有相对于平面方向变化很大的In导入效率和生长速度。通过使用该特性，可以通过一次晶体生长在光输出端面上制造具有低In组成和薄阱层的有源层结构，由此在光输出端面附近的有源层的跃迁波长可以缩短。因此，光输出端面的光吸收引起的光学损伤可以显着地降低，从而可以实现具有高光输出的氮化物半导体激光器。

3. 发明申请

WO03088367A2 INTEGRATED ACTIVE PHOTONIC DEVICE AND PHOTODETECTOR 审中-公开
标题翻译：集成有源光电器件和光电转换器
公开(公告)号：WO03088367A2
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：PCT/GB0301461
申请日：2003-04-03
申请人： INTENSE PHOTONICS LTD , NAJDA STEPHEN
发明人： NAJDA STEPHEN
IPC分类号： H01L31/12 , H01S5/026 , H01L31/00
CPC分类号： H01S5/0264 , H01L31/125 , H01S5/162 , H01S5/164
摘要： An active photonic semiconductor device, such as a laser, optical amplifier or LED, is monolithically integrated with a photodetector. The device includes an optically active region formed on a substrate including a first electrical contact for initiating emission of photons within the optically active region; an optical confinement structure generally defining a principal optical path through the device and through said optically active region; and a photodetector structure formed on the substrate including a second electrical contact displaced from and substantially electrically insulated from the first contact, overlying a part of the principal optical path, for receiving carriers generated by said emitted photons. The photodetector is preferably positioned to cover an intermixed / non-intermixed region close to a facet of the device and also close to the active region of the device. The photodetector is weakly coupled to the optical confinement structure such that a very small proportion of the optical radiation can be monitored without deleteriously affecting the performance of the device.
摘要翻译：诸如激光器，光放大器或LED的有源光子半导体器件与光电检测器单片集成。该器件包括形成在衬底上的光学活性区域，该光学有源区域包括用于启动光学活性区域内的光子发射的第一电接触点; 光学限制结构通常限定通过该装置并通过所述光学活性区域的主要光路; 以及形成在所述基板上的光电检测器结构，所述光电检测器结构包括位于所述主光路的一部分上的与所述第一接触位置并基本上与电绝缘的第二电接触，用于接收由所述发射的光子产生的载流子。光电探测器优选地定位成覆盖靠近该装置的小平面并且还靠近该装置的有源区域的混合/非混合区域。光电检测器弱耦合到光限制结构，使得可以监测非常小比例的光辐射，而不会有害地影响器件的性能。

4. 发明申请

WO2002061898A1 MOUNTING OF OPTICAL DEVICE ON HEAT SINK 审中-公开
标题翻译：光学装置安装在散热器上
公开(公告)号：WO2002061898A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/GB2002/000293
申请日：2002-01-23
申请人： THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW , HAMILTON, Craig, James , MARSH, John, Haig
发明人： HAMILTON, Craig, James , MARSH, John, Haig
IPC分类号： H01S5/024
CPC分类号： H01S5/024 , H01L2924/0002 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01L2924/00
摘要： There is disclosed an improved optical device (10; 10a), eg comprising a semiconductor optically active or optoelectronic devices such as lasers, modulators, amplifiers, switching structures, or the like, mounted on a heatsink (28; 28a). The invention provides an optically active device (10; 10a) comprising a device body (12; 12a) having an active region (14; 14a) and an optically passive region(s) (20; 22) provided at one or more ends (24, 26; 26a) of the active region (14; 14a); and a heatsink (28; 28a); the device body (12; 12a) and heatsink (28; 28a) being retained in thermal association with one another such that a first end of the at least one of the optically passive region(s) (20, 22; 22a) adjacent an end of the active region (14; 14a) is provided within an area of the heatsink (28; 28a), and a second end of the said at least one optically passive region(s) (20, 22; 22a) is provided outwith the area of the heatsink (28; 28a).
摘要翻译：公开了一种改进的光学器件（10; 10a），例如包括安装在散热片（28; 28a）上的半导体光学或光电器件，例如激光器，调制器，放大器，开关结构等。本发明提供了一种光学有源器件（10; 10a），其包括具有有源区域（14; 14a）的器件本体（12; 12a）和设置在一个或多个端部处的光学无源区域（20; 22） 24,26; 26a）;以及和散热器（28; 28a）; 所述装置主体（12; 12a）和散热器（28; 28a）彼此热关联地保持，使得所述至少一个所述光学无源区域（20,22; 22a）中的所述至少一个邻近有源区域（14; 14a）的端部设置在散热器（28; 28a）的区域内，并且所述至少一个光学无源区域（20,22; 22a）的第二端被设置在外部散热器（28; 28a）的区域。

5. 发明申请

WO1996042130A1 SURFACE EMITTING LASER DIODE 审中-公开
标题翻译：表面发射激光二极管
公开(公告)号：WO1996042130A1
公开(公告)日：1996-12-27
申请号：PCT/DE1996000975
申请日：1996-06-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BITTNAR, Jutta
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01S03/085
CPC分类号： H01S5/18 , H01S5/0203 , H01S5/164 , H01S5/2081 , H01S5/2201
摘要： A laser diode of III-V semiconductor material with a strip-like active region (2) longitudinally embedded in a jacket layer (5) and directed perpendicularly to a crystal plane of the semiconductor material with Miller indices (001), in which a crystal plane with Miller indices (101) gives a mirror surface which reflects the emitted light perpendicularly to the layer plane through the substrate.
摘要翻译：在具有带状的活性区域（2），其是在一个包层（5）的纵向方向被嵌入并垂直于半导体材料的具有米勒指数的晶面（001）对齐的III-V族半导体材料的激光二极管，其中，通过晶面与米勒指数（101）具有一反射镜表面被给予，其反射通过所述衬底垂直于层的平面发射的光。

6. 发明申请

WO2009057254A1 半導体レーザ装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2009057254A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/002913
申请日：2008-10-15
申请人：パナソニック株式会社 , 川口真生 , 油利正昭
发明人：川口真生 , 油利正昭
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/16 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/34333
摘要：　半導体レーザ装置は、基板（１）の主面上に形成され、III族窒化物半導体よりなるＭＱＷ活性層（５）を含む積層構造体を有している。積層構造体はその主面に形成されたストライプ状の導波路を有し、導波路の互いに対向する端面同士の一方が光出射端面である。凹部（２）の周囲には、ＭＱＷ活性層（５）における禁制帯幅がＥｇ１である第１の領域と、該第１の領域と隣接し且つＭＱＷ活性層（５）における禁制帯幅がＥｇ２（但し、Ｅｇ２≠Ｅｇ１）である第２の領域とが形成されている。導波路は、第１の領域及び第２の領域を含む一方、段差領域を含まないように形成され、光出射端面は第１の領域及び第２の領域のうち光吸収波長が短い領域（５ａ）に形成されている。
摘要翻译：半导体激光装置具有包含在基板（1）的主表面上由属于III族的元素的半导体氮化物形成的MQW活化层（5）的层状结构。分层结构具有形成在其主表面上的条形波导，波导的相对端面中的一个是发光端面。围绕凹部（2）形成在MQW激活层（5）中具有禁止带宽Eg1的第一区域和与第一区域相邻的第二区域，并且具有禁止带宽Eg2（Eg2不等于Eg1） MQW活化层（5）。波导形成为包含第一区域和第二区域，并且不包含阶梯区域。发光端形成在光吸收波长短的第一和第二区域的区域（5a）中。

7. 发明申请

WO2003043150A1 窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造审中-公开
标题翻译：使用氮化物单晶单晶层的发光元件结构
公开(公告)号：WO2003043150A1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/IB2002/004441
申请日：2002-10-28
申请人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン , 日亜化学工業株式会社 , ドヴィリニスキロベルト , ドラジニスキロマン , ガルチニスキイエジ , シェシュプトフスキレシェック , 神原康雄
发明人：ドヴィリニスキロベルト , ドラジニスキロマン , ガルチニスキイエジ , シェシュプトフスキレシェック , 神原康雄
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y20/00 , C30B7/005 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/0218 , H01S5/0281 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： A high-output type nitride light emitting element, specifically a nitride light emitting element including an active layer between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the above substrate is cut out of the bulk single crystal of a gallium-containing nitride, has an epitaxial growth plane having a defect density of up to 105/cm2, can be provided with an epitaxial growth-use A plane or M plane in parallel to the C-axis of a hexagonal crystal, and comprises the above n-type semiconductor layer directly laminated on the plane. When the above active layer consists of an In-containing nitride semiconductor, a protection film consisting of a single crystal AlxGa1-xN 0
摘要翻译：高输出型氮化物发光元件，特别是包括n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的有源层的氮化物发光元件，其中将上述衬底从本体单晶切割出含镓氮化物具有缺陷密度高达105 / cm2的外延生长平面，可以提供与六方晶体的C轴平行的外延生长用A平面或M平面，并且包括上述n型半导体层直接层压在平面上。当上述有源层由含In的氮化物半导体构成时，可以在不损害有源层的低温下形成由单晶Al x Ga 1-x N 0 <= x <= 1构成的保护膜。

8. 发明申请

WO2003036771A1 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体激光元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2003036771A1
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：PCT/JP2002/011136
申请日：2002-10-28
申请人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン , 日亜化学工業株式会社 , ドヴィリニスキロベルト , ドラジニスキロマン , ガルチニスキイエジ , シェシュプトフスキレシェック , 神原康雄
发明人：ドヴィリニスキロベルト , ドラジニスキロマン , ガルチニスキイエジ , シェシュプトフスキレシェック , 神原康雄
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y20/00 , C30B7/005 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/406 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/0218 , H01S5/0281 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： A nitride semiconductor laser element which is provided with high−output type resonator end surfaces and which has a resonator containing an active layer consisting of an In−containing nitride semiconductor between an n−type nitride semiconductor layer and a p−type semiconductor layer, wherein an end surface film, consisting of a single crystal Al x Ga 1−x N (0≤x≤1) that is formed at low temperatures not damaging the active layer consisting of the In−containing nitride semiconductor, is formed on at least an outgoing end surface out of the opposing resonator end surfaces of the laser element.
摘要翻译：一种氮化物半导体激光元件，其设置有高输出型谐振器端面，并且具有包含由n型氮化物半导体层和ap型半导体层之间的含In氮化物半导体构成的有源层的谐振器的谐振器，其中，由低温下形成的单晶Al x Sb（Ga x Sb）1-x N（0≤x≤1）构成的端面膜不会损坏由含In氮化物半导体形成在激光元件的相对的谐振器端面之外的至少一个出射端表面上。

9. 发明申请

WO02021578A1 SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体激光元件
公开(公告)号：WO02021578A1
公开(公告)日：2002-03-14
申请号：PCT/JP2001/007724
申请日：2001-09-06
IPC分类号： H01L25/00 , H01L31/109 , H01S3/091 , H01S5/00 , H01S5/16 , H01S5/223 , H01S5/30 , H01S5/343 , H01L5/16
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要： A semiconductor laser element comprising a first current block layer for defining a stripe-like current feeding area extending in a direction of connecting a laser beam-emitting front end face with an opposite rear end face, and a second current block layer formed to cross the stripe-like current feeding area in the vicinity of the front end face, the first and second current block layers being constituted by the same layer. Accordingly, a current block structure which is easy to produce, does not damage a semiconductor laser element, and minimizes a characteristic deterioration is provided near an end face, whereby implementing a high end-face optical damage/destruction level and a high reliability after an extended, continuous operation.
摘要翻译：一种半导体激光元件，包括：第一电流阻挡层，用于限定沿连接激光束发射前端面与相对的后端面的方向延伸的条状电流馈送区;以及第二电流阻挡层，在前端面附近的条状电流馈送区域，第一和第二电流阻挡层由相同的层构成。因此，在端面附近设置容易生产的当前块结构，不会损坏半导体激光元件，并且使特性劣化最小化，从而在后端实现高端面光损伤/破坏水平和高可靠性延长，连续运行。

10. 发明申请

WO98057401A1 HIGH POWER DIODE TYPE LASER DEVICES 审中-公开
标题翻译：高功率二极管激光器件
公开(公告)号：WO98057401A1
公开(公告)日：1998-12-17
申请号：PCT/RO1998/000007
申请日：1998-06-09
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/16 , H01S5/20 , H01S3/085 , H01S3/19
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S2304/06
摘要： Diode type laser devices (diode lasers) with nonabsorbing windows that are obtained in low confinement asymmetric structures, asymmetric structures that consist of a waveguide and an active region, the active region being situated asymmetrically relative to the waveguide, at an extremity of the waveguide central layer, outside, at the margin or inside the waveguide central layer. The nonabsorbing mirrors are obtained by the partial etching of the diode lasers layered structures, by this etching the active region being removed but in a large extent the layered structure remaining unaffected, and by the regrowth of a material with an adequate crystalline structure and nonabsorbing for the radiation emitted by the laser. By etching - regrowth processes the optical properties of the waveguide are reconstructed in a large extent, so that the radiation propagates to the mirror into a waveguide similar with the waveguide of the rest of the laser.
摘要翻译：具有在低约束不对称结构中获得的非吸收窗口的二极管型激光器件（二极管激光器），由波导和有源区域组成的不对称结构，该有源区域相对于波导位于不对称的波导中心层，外侧，边缘处或波导中心层内部。通过对二极管激光器分层结构进行局部蚀刻，可以获得非吸收镜，通过这种蚀刻去除活性区域，但在很大程度上保留层状结构不受影响，并且通过具有足够晶体结构和不吸收的材料的再生长激光发射的辐射。通过蚀刻 - 再生长处理，波导的光学特性在很大程度上重建，使得辐射传播到反射镜成波导与激光的其余部分的波导相似。

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