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1. 发明申请

WO2019082546A1 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器审中-公开
公开(公告)号：WO2019082546A1
公开(公告)日：2019-05-02
申请号：PCT/JP2018/034095
申请日：2018-09-14
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：福井　大伸 , 山下　浩史
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/146 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H04N5/369 , H04N5/374
摘要：固体撮像装置において電荷転送効率を向上させながら面積を縮小する。　固体撮像装置は、光電変換部と、転送ゲートと、フローティングディフュージョン部と、トランジスタとを具備する。光電変換部は、入射光に応じた電荷を発生する。転送ゲートは、垂直方向に連続する開口を有する柱形状であって、光電変換部から電荷を転送する。フローティングディフュージョン部は、転送ゲートの開口に囲まれる領域まで延伸して形成されて、転送された電荷を電圧信号に変換する。トランジスタは、フローティングディフュージョン部に拡散層を介して電気的に接続される。

2. 发明申请

WO2018105310A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2018105310A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/JP2017/040515
申请日：2017-11-10
申请人：株式会社デンソー
发明人：水上　拓
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78
摘要：半導体装置は、半導体基板（３０）と、前記半導体基板の一面（３０ａ）の表層において環状に形成され、互いに異なる電位となる複数のガードリング（１０）と、それぞれの前記ガードリングに対応して前記ガードリングに沿って形成され、前記ガードリングと電気的に接続された複数の第１電極層（１１）と、前記第１電極層に絶縁層（４１）を介して積層され、前記絶縁層を貫通する中継層（１３）により前記第１電極層と電気的に接続された第２電極層（１２）と、を備える。前記第２電極層は、積層方向において、電位の異なる少なくとも2つの前記第１電極層の少なくとも一部とオーバーラップする。

3. 发明申请

WO2017138505A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2017138505A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/JP2017/004315
申请日：2017-02-07
申请人：パナソニック株式会社
发明人：柴田　大輔 , 田村　聡之 , 石田　昌宏
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要：半導体装置（１２）は、基板（１）と、溝部（１０）を有するドリフト層（２）と、第１の下地層（３）と、平面視において溝部（１０）と異なる位置においてドリフト層（２）にまで達するゲート開口部（９）と、ゲート開口部（９）を覆うように順に形成された第１の再成長層（６）及び第２の再成長層（７）と、第１の再成長層（６）と第２の再成長層（７）との界面近傍に形成される二次元電子ガス層（８）と、第１の下地層（３）にまで達するソース開口部（１１）と、第１の再成長層（６）の上方に形成されたゲート電極（Ｇ）と、二次元電子ガス層（８）及び第１の下地層（３）に接するソース電極（Ｓ）と、基板（１）の裏面上に形成されたドレイン電極（Ｄ）とを備え、溝部（１０）の底面（１０ｂ）は、ゲート開口部（９）の底面（９ｂ）よりも基板（１）に近い。
摘要翻译：
所述的半导体器件（12）包括：基板（1），所述凹槽和具有（10）（2），第一基在平面图层和（3），所述凹槽的漂移层（10 门开口到达漂移层（2））和位置从（9），所述第一再生长依次形成以覆盖栅极开口（9）（6）和第二成长层不同的层（7），第一再生长层（6）和所述第二再生长层（7）和形成在所述接口（8），所述第一基极层的附近的二维电子气体层（3 ），形成在第一再生长层（6）上方的栅电极（G），二维电子气层（8）和第一下层（3）以及漏电极，形成在所述基板的后表面上，其中，所述凹槽的底表面形成有栅电极，更靠近所述衬底（1）比所述开口的底部（9）（图9b）。

4. 发明申请

WO2016166635A1 半導体装置およびその作製方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016166635A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：PCT/IB2016/051931
申请日：2016-04-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：鳥海聡志 , 浜田崇 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 本田龍之介 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/34 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： C23C14/34 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
摘要：微細なトランジスタを提供する。基板上の半導体と、半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、第１の導電体と接する第１の金属酸化物と、第２の導電体と接する第２の金属酸化物と、第１の金属酸化物及び第２の金属酸化物上の第１の絶縁体と、半導体上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、第３の絶縁体は第１の絶縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第１の導電体および第１の金属酸化物の底面と、が重なる第１の領域を有し、半導体と、第２の導電体および第２の金属酸化物の底面と、が重なる第２の領域を有し、半導体と、第３の導電体の底面と、が重なる第３の領域を有し、半導体の上面と第３の導電体の底面との間の長さは、第１の領域と第３の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。
摘要翻译：本发明提供了一种非常小的晶体管。一种在衬底上具有半导体的半导体器件，半导体上的第一和第二导体，与第一导体接触的第一金属氧化物，与第二导体接触的第二金属氧化物，第一金属氧化物上的第一绝缘体，金属氧化物，半导体上的第二绝缘体，第二绝缘体上的第三绝缘体和第三绝缘体上的第三导体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧表面接触，半导体具有：第一区域，其中半导体并且所述第一导体和所述第二金属氧化物的底表面重叠; 第二区域，其中第二导体和第二金属氧化物的半导体和底表面重叠; 以及其中半导体和第三导体的底表面重叠的第三区域，导体的顶表面与第三导体的底表面之间的距离大于第一区域和第三区域之间的距离。

5. 发明申请

WO2016163258A1 可撓性デバイス审中-公开
标题翻译：柔性装置
公开(公告)号：WO2016163258A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/JP2016/059875
申请日：2016-03-28
申请人：ソニー株式会社
发明人：野元　章裕 , 小野　秀樹 , 湯本　昭 , 石井　由威 , 加藤　裕 , 近藤　修司 , 八木　巖 , 佐々木　僚
IPC分类号： H01L29/41 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号： H01L29/41 , H01L51/50 , H05B33/02
摘要：　本技術の一実施形態である第１の可撓性デバイスは、少なくとも一部に曲線領域を有する分岐部および開孔の少なくとも一方が設けられた機能層を備える。
摘要翻译：根据本技术的一个实施例，第一柔性装置设置有设置有分支部分和/或开口的功能层，所述分支部分和开口具有至少作为其一部分的曲线区域。

6. 发明申请

WO2016152397A1 窒化物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：WO2016152397A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/JP2016/056119
申请日：2016-02-29
申请人：シャープ株式会社
发明人：近江　晋 , 栗栖　崇 , 永田　正幸 , ロバーツ　ペーター　ジョン
IPC分类号： H01L33/10 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L33/32 , H01L33/38
CPC分类号： H01L21/28 , H01L29/41 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要：窒化物半導体発光素子１は基板１１、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層、ｎ型窒化物半導体層上の露出部１２ａ、ｐ型窒化物半導体層上の一部領域に形成された第２の電流拡散層１４ｂ、ｐ型窒化物半導体層上の前記一部領域とは異なる他の領域に形成された複数の第２の電流非注入層１３ｄと、ｎ型窒化物半導体層上の露出部１２ａ上に形成されたｎ側電極１７ａ、第２の電流拡散層１４ｂ上に形成されたｐ側電極１７ｂ及びｐ側電極１７ｂから延伸されてｐ型窒化物半導体層上に形成されたｐ側電極１７ｂの延伸部１７ｄを備える。複数の第２の電流非注入層１３ｄはｐ側電極１７ｂの延伸部１７ｄ下に形成される。
摘要翻译：该氮化物半导体发光元件1设置有：基板11; n型氮化物半导体层; 活性层 p型氮化物半导体层; n型氮化物半导体层上的露出部分12a; 形成在p型氮化物半导体层的区域中的第二电流扩散层14b; 多个第二电流非注入层13d，其形成在p型氮化物半导体层上的区域中，所述区域与p型氮化物半导体层上的上述区域不同; 形成在n型氮化物半导体层上的露出部分12a上的n侧电极17a; 形成在第二电流扩散层14b上的p侧电极17b; 以及从p侧电极17b延伸并形成在p型氮化物半导体层上的p侧电极17b的延伸部17d。多个第二电流非注入层13d形成在p侧电极17b的延伸部17d的下方。

7. 发明申请

WO2015192538A1 基板及其制作方法、显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2015192538A1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：PCT/CN2014/087894
申请日：2014-09-30
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：孔祥永 , 刘凤娟
IPC分类号： H01L29/41 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02178 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02255 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/32133 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/41 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/78636 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/558
摘要：一种基板及其制作方法、显示装置，用以解决在衬底(1)的铝电极(2)上形成绝缘层(4)时绝缘层(4)存在断层的问题。所述基板包括：位于衬底(1)上具有第一设定图形的铝电极(2)，以及与所述铝电极(2)同层设置的具有第二设定图形的氧化铝层或氮化铝层(3)。所述第一设定图形和所述第二设定图形互补。

8. 发明申请

WO2015041025A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015041025A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/JP2014/072811
申请日：2014-08-29
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：川尻　智司 , 小川　嘉寿子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/28 , H01L29/0692 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/41708 , H01L29/423 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/78
摘要：　第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の上に配置された第２導電型の第２半導体領域と第２半導体領域の上に配置された第１導電型の第３半導体領域と、第３半導体領域の上に配置された第２導電型の第４半導体領域と、第４半導体領域の上面から延伸して第４半導体領域及び第３半導体領域を貫通して第２半導体領域まで達する溝の内壁上に配置された絶縁膜と、溝の側面において絶縁膜上に配置され、第３半導体領域に対向する制御電極と、第１半導体領域と電気的に接続する第１の主電極と、第４半導体領域と電気的に接続する第２の主電極と、溝の底面において絶縁膜の上に配置され、且つ制御電極と離間して配置された底面電極とを備え、平面視において溝の延伸する方向の長さは溝の幅よりも大きく、且つ、互いに隣接する前記溝の間隔よりも前記溝の幅が広い。
摘要翻译：本发明提供以下：第一导电类型的第一半导体区域; 设置在所述第一半导体区域的顶部上的第二导电类型的第二半导体区域; 第一导电类型的第三半导体区域设置在第二半导体区域的顶部; 设置在第三半导体区域的顶部的第二导电类型的第四半导体区域; 设置在从第四半导体区域的上表面延伸并穿过第四半导体区域和第三半导体区域直至到达第二半导体区域的沟槽内壁上的绝缘膜; 控制电极，其布置在所述凹槽的所述绝缘膜的顶部并且面向所述第三半导体区域; 电连接到第一半导体区域的第一主电极; 电连接到第四半导体区域的第二主电极; 以及底面电极，其设置在所述凹槽的底面处的所述绝缘膜的顶部，并且与所述控制电极分离设置。在平面图中，槽的延伸方向上的长度大于槽的宽度，并且槽的宽度大于相邻槽之间的间隔。

9. 发明申请

WO2013047533A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2013047533A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/074593
申请日：2012-09-25
申请人：シャープ株式会社 , 瀬戸剛
发明人：瀬戸　剛
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L29/41 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/41725 , H01L29/4232 , H01L29/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45016 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48101 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要：　半導体チップ（３）のゲート電極（４）・ソース電極（５）は、ゲート端子（７）・ソース端子（９）と導電体（１１ａ・１１ｂ）によってそれぞれ接続され、ゲート端子（７）の導電体（１１ａ）との接合部分は、ゲート電極（４）と近接するように配置され、ソース端子（９）の導電体（１１ｂ）との接合部分は、ソース電極（５）と近接するように配置されている。
摘要翻译：半导体芯片（3）的栅电极（4）和源电极（5）各自通过导体（11a，11b）连接到栅极端子（7）和源极端子（9）。与导体（11a）连接的栅极端子（7）的连接部分以与栅电极（4）接近的方式设置，源端子（9）的连接部分导体（11b）以接近源电极（5）的方式设置。

10. 发明申请

WO2007124413A3 DRIVE CIRCUIT AND DRAIN EXTENDED TRANSISTOR FOR USE THEREIN 审中-公开
标题翻译：驱动电路和漏电延迟晶体管
公开(公告)号：WO2007124413A3
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/US2007067068
申请日：2007-04-20
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC , PENDHARKAR SAMEER P
发明人： PENDHARKAR SAMEER P
IPC分类号： H01L21/425 , H01L29/94 , H04B1/06
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0692 , H01L29/1087 , H01L29/41 , H01L29/41725 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H03K19/00384
摘要： A transistor (100) comprises a source region of a first conductivity type and electrically communicating with a first semiconductor region. The transistor also comprises a drain region of the first conductivity type and electrically communicating with a second semiconductor region that differs from the first semiconductor region. An interface exists between the first semiconductor region and the second semiconductor region. The transistor also comprises a voltage tap region comprising at least a portion located in a position that is closer to the interface than the drain region (118). A mixed technology circuit is also described.
摘要翻译：晶体管（100）包括第一导电类型的源极区域并与第一半导体区域电连通。晶体管还包括第一导电类型的漏极区域，并且与第一半导体区域不同的第二半导体区域电连通。在第一半导体区域和第二半导体区域之间存在界面。晶体管还包括电压抽头区域，该电压抽头区域至少包括位于比漏极区域（118）更接近界面的位置的部分。还描述了一种混合技术电路。

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