基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：WO2018105310A1 - Semiconductor device
- 申请号：PCT/JP2017/040515 申请日：2017-11-10
- 公开(公告)号：WO2018105310A1 公开(公告)日：2018-06-14
- 发明人： 水上 拓
- 申请人： 株式会社デンソー
- 申请人地址： 〒4488661 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 Aichi JP
- 专利权人： 株式会社デンソー
- 当前专利权人： 株式会社デンソー
- 当前专利权人地址： 〒4488661 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 Aichi JP
- 代理机构： 金 順姫
- 优先权： JP2016-238624 20161208
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L29/41 ; H01L29/78
摘要：
半導体装置は、半導体基板（３０）と、前記半導体基板の一面（３０ａ）の表層において環状に形成され、互いに異なる電位となる複数のガードリング（１０）と、それぞれの前記ガードリングに対応して前記ガードリングに沿って形成され、前記ガードリングと電気的に接続された複数の第１電極層（１１）と、前記第１電極層に絶縁層（４１）を介して積層され、前記絶縁層を貫通する中継層（１３）により前記第１電極層と電気的に接続された第２電極層（１２）と、を備える。前記第２電極層は、積層方向において、電位の異なる少なくとも2つの前記第１電極層の少なくとも一部とオーバーラップする。