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1. 发明申请

WO2019026704A1 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019026704A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/JP2018/027789
申请日：2018-07-25
申请人：シャープ株式会社
发明人：美▲崎▼　克紀
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786
摘要：本発明は、歩留まりを向上でき、電極の低抵抗化が可能な薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。本発明は、ベース基板と、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆うように設けられた酸化シリコンからなる保護絶縁膜とを備えた薄膜トランジスタ基板であって、ソース電極及び前記ドレイン電極は、各々、アルミニウム層及び窒化モリブデン層が順に積層された積層体と、積層体を被覆する窒化チタン／チタン層とを有する薄膜トランジスタ基板である。

2. 发明申请

WO2018163012A1 半導体装置、および半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018163012A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/IB2018/051210
申请日：2018-02-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 及川欣聡 , 奥野直樹 , 安藤元晴 , 岡本悟
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：要約書良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。酸化物と、絶縁体と、絶縁体を間に挟み、酸化物の第１の領域と重なる導電体と、を有し、酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含み、酸化物は、第１の領域と隣接する第２の領域を有し、第２の領域における元素Ｍの濃度は、前記第１の領域における元素Ｍの濃度より大きい。

3. 发明申请

WO2018042835A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2018042835A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/JP2017/022651
申请日：2017-06-20
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：内田　光亮 , 日吉　透 , 酒井　光彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/66068 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7813
摘要：第１主面には、第１側面と、第１底面とにより規定されているゲートトレンチと、第２側面と、第２底面とにより規定されているソーストレンチとが設けられている。炭化珪素基板は、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と、第１領域と、第２領域とを含む。第１領域は、第２領域と接する。ゲート絶縁膜は、第１側面において、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と接し、かつ第１底面において、ドリフト領域に接している。ソース電極は、第２側面と第２底面とにおいて、第２領域と接している。
摘要翻译：在第一主表面上，由第一侧表面和第一底表面，第二侧表面和第二底表面限定的栅极沟槽限定的源极沟槽，第二侧表面和第二底部表面提供。碳化硅衬底包括漂移区，体区，源区，第一区和第二区。第一个区域与第二个区域接触。栅极绝缘膜与漂移区域，本体区域以及与第一侧表面上的源极区域接触的第一底表面处的漂移区域接触。源电极在第二侧面和第二底面上与第二区域接触。

4. 发明申请

WO2017181464A1 TFT阵列基板及其制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017181464A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/CN2016/082411
申请日：2016-05-17
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：宋文庆
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , G02F2202/104 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02667 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/417 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板将TFT(200)的源极(240)和漏极(250)设置在栅极绝缘层(220)上，将数据线(400)设置在覆盖TFT(200)的源极(240)和漏极(250)的第一钝化保护层(300)上，使得数据线(400)与TFT(200)的源极(240)和漏极(250)位于不同的层别，能够通过调整第一钝化保护层(300)的厚度来灵活调整数据线(400)与栅极(210)之间的间距，与现有技术相比，增大了数据线(400)与栅极(210)之间的间距，减小了数据线(400)与栅极(210)之间的寄生电容，降低了数据线(400)的功耗，同时，栅极绝缘层(220)的厚度不受影响，TFT(200)的源极(240)与漏极(250)的位置不变，能够维持TFT特性的稳定。

5. 发明申请

WO2017069461A1 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 审中-公开
标题翻译：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2017069461A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011535
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
发明人： 이상민 , 정연국 , 구황섭 , 김현제 , 정희석
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 고전자이동도 트랜지스터는 소스전극배선형성부위가 정의된 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 베이스층, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 형성되고 중공이 형성된 소스전극, 상기 소스전극과 이격되어 상기 베이스층 상부에 형성되는 드레인전극, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이 상기 베이스층 상부에 형성되는 게이트전극 및 상기 소스전극의 중공 내측 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정 깊이로 식각하고 전도체를 충진하여 형성되는 소스전극배선용 비아패드를 포함한다.
摘要翻译：公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。本发明的高电子迁移率晶体管包括：衬底，其上限定了源电极布线形成区域;衬底层，形成在衬底上;源电极，形成在源电极布线形成区域上的基底层上并形成有中空的，以及形成在基层上以与源电极分隔开的漏电极，形成在源电极和漏电极之间的基层上的栅电极，并且通过从基板的正面蚀刻预定深度并填充导体而形成用于源电极布线的通孔焊盘。

6. 发明申请

WO2017069460A2 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 审中-公开
标题翻译：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2017069460A2
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011534
申请日：2016-10-14
申请人： (주)기가레인
发明人： 이상민 , 정연국 , 구황섭 , 김현제 , 정희석
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 고전자이동도 트랜지스터는, 소스전극배선형성부위가 정의된 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 베이스층, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 형성되는 소스전극, 상기 소스전극과 이격되어 상기 베이스층 상부에 형성되는 드레인전극, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이 상기 베이스층 상부에 형성되는 게이트전극 및 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정 깊이로 식각하고 전도체를 충진하여 형성되는 소스전극배선용 비아패드를 포함한다.
摘要翻译：提供高电子迁移率晶体管及其制造方法。根据本发明的晶体管包括形成在所述基极层之上的基极层上形成源极电极的一个实施例的示例性高电子迁移率，被形成在基板上的源电极布线形成区域，定义的源电极布线形成部在其上基板上方，它是从在所述漏电极与源电极隔开，在基极层的源极电极的上方和漏极电极形成在所述基层上上之间形成栅电极和基极层和所述源电极配线形成区域的衬底并且通过从栅电极蚀刻预定深度并填充导体而形成用于源电极布线的通孔焊盘。

7. 发明申请

WO2017051530A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2017051530A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/JP2016/004291
申请日：2016-09-20
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：原田　剛史 , 宇高　孝二
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/28 , H01L27/098 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
摘要：半導体装置（１００）は、基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成された、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ＧａＮ層（１０６）と、ｐ型ＧａＮ層（１０６）の表面に形成されたＴｉ膜（１１６）とを有し、Ｔｉ膜（１１６）は、Ｔｉ膜（１１６ａ）と、Ｔｉ膜（１１６ａ）よりも化学的活性度が低い窒素含有Ｔｉ膜（１１６ｂ）とを含み、平面視で窒素含有Ｔｉ膜（１１６ｂ）はＴｉ膜（１１６ａ）の外周を連続して囲んでいる。
摘要翻译：半导体器件（100）具有：衬底（101）; 形成在所述基板（101）上的p型GaN层（106），并且由含有p型杂质的GaN形成; 以及形成在p型GaN层（106）的表面上的Ti膜（116）。 Ti膜（116）包括Ti膜（116a）和具有比Ti膜（116a）化学活性低的含氮Ti膜（116b），并且含氮Ti膜（116b）连续地在平面图中围绕Ti膜（116a）的外周。

8. 发明申请

WO2017043408A1 電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：制造电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017043408A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/JP2016/075629
申请日：2016-09-01
申请人： DIC株式会社
发明人：高武　正義 , 村田　秀之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要：下地金属層と、前記下地金属層に積層される絶縁層とを有する電子デバイスの製造方法であって、前記下地金属層の一部を露出する開口部を有する形状にパターニングされたパターニング膜を前記下地金属層に積層させる反転オフセット印刷法により前記絶縁層を形成する。
摘要翻译：一种用于制造电子器件的方法，其包括层叠在下面的金属层上的下面的金属层和绝缘层，其中所述绝缘层通过反相胶印形成方法形成，其中图案化膜被图案化为具有开口的形状，暴露在下面的金属层的层叠在下面的金属层上。

9. 发明申请

WO2016208864A1 노멀리-오프를 구현하는 질화물계 트랜지스터 审中-公开
标题翻译：用于实现正常关闭的基于氮化物的晶体管
公开(公告)号：WO2016208864A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/KR2016/004501
申请日：2016-05-12
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 요코가와도시야
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要： 일 실시 예에 따르는 노멀리-오프를 구현하는 질화물계 트랜지스터는 m-면 상에서 성장한 n형 도핑된 제1 질화물계 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 절연성 제2 질화물계 제2 반도체층; 및 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 게이트 전극층을 구비한다. 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 에너지 밴드갭을 가진다.
摘要翻译：根据实施例的用于实现常关的氮化物基晶体管包括：在m面上生长的n型掺杂的第一氮化物基第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的绝缘的第二氮化物基第二半导体层; 以及设置在第二半导体层上的栅电极层。第一半导体层和第二半导体层具有不同的能带隙。

10. 发明申请

WO2016177213A1 阵列基板及其制造方法、显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016177213A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/CN2016/077858
申请日：2016-03-30
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
发明人：冯博 , 苗青 , 马禹
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L21/28
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L27/1288 , H01L29/417 , H01L29/41733 , H01L29/786
摘要：提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。其中，阵列基板包括多个像素区域，每个该像素区域包括：同层设置、相互独立的像素电极（7）和漏电极（6），该像素电极（7）和漏电极（6）之间通过异层的导电部件（9）连接，该像素电极（7）、漏电极（6）与该导电部件（9）之间间隔有绝缘层。该绝缘层与该漏电极（6）对应的位置具有贯穿该绝缘层的第一过孔（10），该绝缘层与该像素电极（7）对应的位置具有贯穿该绝缘层的第二过孔（11），该漏电极（6）通过该第一过孔（10）与该导电部件（9）连接，该像素电极（7）通过该第二过孔（11）与该导电部件（9）连接。

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