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    • 4. 发明申请
    • PARTICULATE PREVENTION IN ION IMPLANTATION
    • 离子注入中的颗粒预防
    • WO2006133038A3
    • 2007-02-01
    • PCT/US2006021643
    • 2006-06-02
    • AXCELIS TECH INCVANDERPOT JOHNBERRIAN DONALD
    • VANDERPOT JOHNBERRIAN DONALD
    • H01J37/317H01J37/08H01J37/304
    • H01J37/244H01J37/045H01J37/09H01J37/302H01J37/3171H01J2237/022H01J2237/026H01J2237/028H01J2237/30433H01J2237/31705
    • A system and method for mitigating contamination in an ion implantation system is provided. The system comprises an ion source (200), a power supply (216) operable to supply power to a filament (214) and mirror electrode (218) of the ion source, a workpiece handling system, and a controller (228), wherein the ion source is selectively tunable via the controller to provide rapid control of a formation of an ion beam. The controller is operable to selectively rapidly control power to the ion source, therein modulating a power of the ion beam between an implantation power and a minimal power in less than approximately 20 microseconds based, at least in part, to a signal associated with a workpiece position. Control of the ion source therefore mitigates particle contamination in the ion implantation system by minimizing an amount of time at which the ion beam is at the implantation current.
    • 提供了一种减轻离子注入系统污染的系统和方法。 该系统包括离子源(200),可操作以向离子源的细丝(214)和镜电极(218)供电的电源(216),工件处理系统和控制器(228),其中 离子源可以经由控制器选择性地调节,以提供对离子束形成的快速控制。 控制器可操作以选择性地快速地控制离子源的功率,其中至少部分地基于与工件相关联的信号,在小于约20微秒内在注入功率和最小功率之间调制离子束的功率 位置。 因此,离子源的控制因此通过使离子束处于注入电流的时间量最小化来减轻离子注入系统中的颗粒污染。
    • 5. 发明申请
    • 光源装置
    • 光源设备
    • WO2015098031A1
    • 2015-07-02
    • PCT/JP2014/006223
    • 2014-12-12
    • ウシオ電機株式会社
    • 新美 剛太藪田 泰伸
    • H05G2/00
    • H05G2/003F21V14/04G03F7/70033G03F7/70916H01J37/16H01J37/3244H01J37/3266H01J2237/022H01J2237/026H01J2237/028H05G2/008
    •  デブリに起因するデブリトラップの光透過率の低下や集光鏡における反射率の低下を抑制する光源装置が開示される。この装置において、固定式ホイルトラップ(5)の前に開口部(6a)を有する遮へい部材(6)を設け、高温プラズマ(P)から放出される光の立体角を制限する。また、固定式ホイルトラップ(5)に駆動機構(7)を設け、ホイルトラップのデブリ付着部分が開口部(6a)から臨む位置から外れるように回動させる。これにより、デブリの付着に起因する光の透過率の低下を抑制(または回復)させ、使用寿命を長寿命化することができる。なお、ホイルトラップとして、回転動作によりプラズマから飛来するデブリを捕捉する回転式ホイルトラップ(4)を用いてもよい。さらに、EUV集光鏡(9)を回動させることにより、デブリの付着による反射率の低下を抑制するようにしてもよい。
    • 本发明公开了一种使聚光镜的反射率降低或由于碎片导致的碎片陷阱的透射率最小化的光源装置。 在该装置中,在固定箔捕获器(5)的前方设置有具有开口(6a)的遮蔽构件(6),以限制由高温等离子体(P)发射的光所对向的立体角。 此外,固定箔捕获器(5)设置有驱动机构(7),并且远离其上附着有碎屑的箔片捕获部分面向上述开口(6a)的位置旋转。 这使得可能由于附着的碎屑而使透光率降低(或反转)最小化(或反转),导致更长的使用寿命。 箔捕获器还可以是旋转的箔捕获器(4),其通过旋转捕获来自等离子体的碎屑。 还可以旋转EUV聚光镜(9),以便最小化由附着的碎片引起的反射率的降低。
    • 8. 发明申请
    • CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND TARGET POSITIONING DEVICE
    • 充电颗粒光束光刻系统和目标定位装置
    • WO2010021543A1
    • 2010-02-25
    • PCT/NL2009/050499
    • 2009-08-18
    • MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V.PEIJSTER, JerryDE BOER, Guido
    • PEIJSTER, JerryDE BOER, Guido
    • H01J37/20H01J37/317
    • H01J37/3174B82Y10/00B82Y40/00H01J37/20H01J37/26H01J2237/026H01J2237/202H01J2237/304
    • The invention relates to a charged particle beam lithography system comprising: a charged particle optical column arranged in a vacuum chamber for projecting a charged particle beam onto a target, wherein the column comprises deflecting means for deflecting the charged particle beam in a deflection direction, a target positioning device comprising a carrier for carrying the target, and a stage for carrying and moving the carrier along a first direction, wherein the first direction is different from the deflection direction, wherein the target positioning device comprises a first actuator for moving the stage in the first direction relative to the charged particle optical column, wherein the carrier is displaceably arranged on the stage and wherein the target positioning device comprises retaining means for retaining the carrier with respect to the stage in a first relative position.
    • 本发明涉及一种带电粒子束光刻系统,包括:带电粒子光学柱,布置在真空室中,用于将带电粒子束投射到靶上,其中该柱包括偏转装置,用于偏转带电粒子束的偏转方向, 目标定位装置,包括用于承载目标的载体,以及用于沿着第一方向承载和移动载体的载物台,其中所述第一方向不同于所述偏转方向,其中所述目标定位装置包括用于使所述载物台移动的第一致动器 相对于带电粒子光学柱的第一方向,其中所述载体可位移地布置在所述载物台上,并且其中所述目标定位装置包括用于将所述载体相对于所述载物台保持在第一相对位置的保持装置。