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1. 发明申请

WO2014179687A1 EXTRACTION ELECTRODE ASSEMBLY VOLTAGE MODULATION IN AN ION IMPLANTATION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：提取电极组件在离子植入系统中的电压调节
公开(公告)号：WO2014179687A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2014/036578
申请日：2014-05-02
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , COLVIN, Neil , ZHANG, Jincheng
发明人： COLVIN, Neil , ZHANG, Jincheng
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/304
摘要： A method is disclosed for reducing particle contamination in an ion implantation system, wherein an ion beam is created via the ion source operating in conjunction with an extraction electrode assembly. A cathode voltage is applied to the ion source for generating ions therein, and a suppression voltage is applied to the extraction assembly for preventing electrons in the ion beam from being drawn into the ion source. The suppression voltage is selectively modulated, thereby inducing a current flow or an arc discharge through the extraction assembly to remove deposits on surfaces thereof to mitigate subsequent contamination of workpieces. An improvement to an ion implantation system is also disclosed in accordance with the foregoing, wherein a controller is configured to selectively modulate a voltage between a predetermined voltage and a predetermined suppression voltage generally concurrent with the transferring of the workpiece, thereby inducing a current flow or an arc discharge through the extraction electrode assembly to remove deposits on surfaces thereof to mitigate subsequent contamination of workpieces.
摘要翻译：公开了一种用于减少离子注入系统中的颗粒污染的方法，其中通过与抽出电极组件一起操作的离子源产生离子束。向离子源施加阴极电压以产生离子，并且将抑制电压施加到提取组件，以防止离子束中的电子被吸入离子源。抑制电压被选择性地调制，从而通过提取组件引起电流或电弧放电以去除其表面上的沉积物，以减轻随后的工件污染。根据前述还公开了对离子注入系统的改进，其中控制器被配置为选择性地调制预定电压和预定的抑制电压之间的电压，通常与工件的传送并行，从而引起电流或通过引出电极组件的电弧放电以去除其表面上的沉积物，以减轻随后的工件污染。

2. 发明申请

WO2014061524A1 荷電粒子線装置および試料作製法审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束装置和样品制备方法
公开(公告)号：WO2014061524A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/JP2013/077453
申请日：2013-10-09
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：佐藤　高広 , 森川　晃成 , 関原　雄
IPC分类号： H01J37/317 , G01N1/28
CPC分类号： H01J37/3178 , G01N1/28 , G01N1/286 , G01N2001/2873 , H01J37/28 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/31 , H01J2237/063 , H01J2237/08 , H01J2237/208 , H01J2237/24564 , H01J2237/2813 , H01J2237/2817 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要：　荷電粒子源と、荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料上に集束させる対物レンズと、試料から放出される二次荷電粒子を検出する検出器と、試料に接触することが可能なプローブと、試料に導電性のガスを放出させるガスノズルと、プローブの駆動とガスノズルからのガス放出を制御する制御部とを備えた荷電粒子線装置において、制御部は、試料に荷電粒子線を照射して試料を加工後、プローブを試料に接触させる前に、ガスノズルからガスを加工位置に向けて放出し、荷電粒子線を照射して試料の加工部に導電性膜を形成し、加工部に形成された導電性膜とプローブが接触したことを判断する接触検知部を備えた荷電粒子線装置を提供する。
摘要翻译：提供一种带电粒子束装置，具有：带电粒子源; 用于将从带电粒子源发射的带电粒子束聚焦到样品上的物镜; 用于检测从样品发射的二次带电粒子的检测器; 能够与样品接触的探针; 用于向样品发射导电气体的气体喷嘴; 以及控制单元，用于控制探头的驱动和来自气体喷嘴的气体发射，其中在将带电粒子束施加到样品以加样样品之前，在使探针与样品接触之前，控制单元朝向从气体喷嘴加工位置并施加带电粒子束以在样品的加工部分上形成导电膜，并且带电粒子束装置设置有接触检测单元，用于确定形成在加工部分上的导电膜和探针相互接触。

3. 发明申请

WO2008073734A2 MAGNETIC MONITORING OF A FARADAY CUP FOR AN ION IMPLANTER 审中-公开
标题翻译：法拉第杯用于离子注入器的磁性监测
公开(公告)号：WO2008073734A2
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/US2007/086240
申请日：2007-12-03
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. , DZENGELESKI, Joseph, P. , EVANS, Morgan, D. , SCHEUER, Jay, Thomas , SHETTY, Ashwin , SWENSON, Kenneth
发明人： DZENGELESKI, Joseph, P. , EVANS, Morgan, D. , SCHEUER, Jay, Thomas , SHETTY, Ashwin , SWENSON, Kenneth
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317 , G01R19/00
CPC分类号： G01R33/07 , B82Y25/00 , G01R19/0061 , G01R33/093 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24405 , H01J2237/24535 , H01J2237/24564 , H01J2237/304 , H01J2237/31703
摘要： This disclosure provides an approach for magnetic monitoring of a Faraday cup for an ion implanter. In this disclosure, there is a vacuum chamber and a Faraday cup located within the vacuum chamber. The Faraday cup is configured to move within the path of an ion beam entering the vacuum chamber. A magnetic monitor located about the vacuum chamber, is configured to distinguish a magnetic field associated with the Faraday cup from stray magnetic fields.
摘要翻译：本公开提供了用于离子注入机的法拉第杯的磁性监测的方法。在本公开中，存在位于真空室内的真空室和法拉第杯。法拉第杯被配置成在离子束进入真空室的路径内移动。位于真空室周围的磁性监测器被配置为区分与法拉第杯相关的磁场与杂散磁场。

4. 发明申请

WO2014080823A1 磁気抵抗効果素子の製造方法及びデバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件制造方法及器件制造方法
公开(公告)号：WO2014080823A1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/JP2013/080743
申请日：2013-11-14
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：小平　吉三 , 竹内　功 , 中村　美保子
IPC分类号： H01L43/12 , H01J37/305 , H01L21/302 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , H01J37/3056 , H01J2237/20214 , H01J2237/304 , H01L21/3065
摘要：　磁気抵抗効果素子の素子分離工程において該素子の側壁に付着する再付着膜をイオンビームエッチングにより効率良く除去する製造方法を提供する。　基板の位置をグリッドに対して傾け、基板を回転させながら行うイオンビームエッチングにおいて、基板の回転速度を制御することにより、基板上に形成されたパターン溝が延在する方向側から入射するイオンビームのエネルギー量を、他の方向側から入射するイオンビームのエネルギー量よりも大きくして、基板上に形成された磁気抵抗効果素子の側壁に付着した再付着膜を効率良くエッチング除去する。
摘要翻译：提供了一种制造方法，其中通过离子束蚀刻有效地除去磁阻效应元件的元件分离步骤中的磁阻效应元件的侧壁上的再粘附膜。在本发明中，在基板相对于栅格倾斜的位置旋转基板时进行的离子束蚀刻中，在基板上形成的磁阻效应元件的侧壁上的再粘附膜被有效地去除通过控制基板的旋转速度进行蚀刻，使得从图案凹槽延伸的方向输入的所述图案凹槽形成在基板上的离子束的能量大于从其它方向输入的离子束的能量。

5. 发明申请

WO2010042494A2 REDUCED IMPLANT VOLTAGE DURING ION IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：离子植入期间减少的植入电压
公开(公告)号：WO2010042494A2
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/US2009059667
申请日：2009-10-06
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT , HATEM CHRISTOPHER R , GODET LUDOVIC
发明人： HATEM CHRISTOPHER R , GODET LUDOVIC
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/304 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
摘要： A method for ion implantation is disclosed which includes decreasing the implant energy level as the implant process is ongoing. In this way, either a box-like profile or a profile with higher retained dose can be achieved, enabling enhanced activation at the same junction depth. In one embodiment, the initial implant energy is used to implant about 25% of the dose. The implant energy level is then reduced and an additional 50% of the dose is implanted. The implant energy is subsequently decreased again and the remainder of the dose is implanted. The initial portion of the dose can optionally be performed at cold, such as cryogenic temperatures, to maximize amorphization of the substrate.
摘要翻译：公开了一种用于离子注入的方法，其包括当植入过程正在进行时降低植入能量水平。以这种方式，可以实现具有更高保留剂量的盒状轮廓或轮廓，使得能够在相同的结深处增强激活。在一个实施例中，初始植入能量用于植入约25％的剂量。然后植入能量水平降低，另外50％的剂量被植入。随后植入能量再次减少，并且植入其余的剂量。剂量的初始部分可以任选地在冷的温度下进行，例如低温，以使底物的非晶化最大化。

6. 发明申请

WO2009155272A3 CROSS-SECTION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：交叉部分系统和方法
公开(公告)号：WO2009155272A3
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/US2009047474
申请日：2009-06-16
申请人： CARL ZEISS SMT INC , SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
发明人： SCIPIONI LAWRENCE , KNIPPELMEYER RAINER , RIEDESEL CHRISTOPH , MORGAN JOHN , MANTZ ULRICH , WAGEMANN ULRICH
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A first instrument (230) is used to image a first semiconductor article having a trench (110) of defined cross-section, while a second instrument (220) is used to simultaneously prepare a second semiconductor article with a trench of defined cross-section. Furthermore, a method is disclosed to prepare a trench (110) of defined cross-section in a semiconductor article by rough milling and subsequent fine milling.
摘要翻译：使用第一器具（230）来成像具有限定的横截面的沟槽（110）的第一半导体制品，同时使用第二器械（220）来同时制备具有限定的横截面的沟槽的第二半导体制品。此外，公开了一种通过粗铣和随后的精铣在半导体制品中制备具有限定的横截面的沟槽（110）的方法。

7. 发明申请

WO2007035389A8 VACUUM REACTION CHAMBER WITH X-LAMP HEATER 审中-公开
标题翻译：真空反应室与X灯加热器
公开(公告)号：WO2007035389A8
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/US2006035753
申请日：2006-09-13
申请人： APPLIED MATERIALS INC , AL-BAYATI AMIR , D CRUZ LESTER A , DEMOS ALEXANDROS T , DUBOIS DALE R , ELSHEREF KHALED A , IWASAKI NAOYUKI , M SAAD HICHEM , ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS , SHAH ASHISH , SHIMIZU TAKASHI
发明人： AL-BAYATI AMIR , D CRUZ LESTER A , DEMOS ALEXANDROS T , DUBOIS DALE R , ELSHEREF KHALED A , IWASAKI NAOYUKI , M SAAD HICHEM , ROCHA-ALVAREZ JUAN CARLOS , SHAH ASHISH , SHIMIZU TAKASHI
IPC分类号： G21G5/00
CPC分类号： H01J37/317 , B23K15/00 , C23F4/00 , H01J37/026 , H01J37/20 , H01J2237/004 , H01J2237/0044 , H01J2237/2001 , H01J2237/304 , H01J2237/3156 , H01J2237/316 , H01J2237/3165 , H01L21/67115
摘要： Methods and apparatus for electron beam treatment of a substrate are provided. An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, at least one thermocouple assembly in communication with the vacuum chamber, a heating device in communication with the vacuum chamber, and combinations thereof are provided. In one embodiment, the vacuum chamber comprises an electron source wherein the electron source comprises a cathode connected to a high voltage source, an anode connected to a low voltage source, and a substrate support. In another embodiment, the vacuum chamber comprises a grid located between the anode and the substrate support. In one embodiment the heating device comprises a first parallel light array and a second light array positioned such that the first parallel light array and the second light array intersect. In one embodiment the thermocouple assembly comprises a temperature sensor made of aluminum nitride.
摘要翻译：提供了用于电子束处理基板的方法和装置。提供了包括真空室，与真空室连通的至少一个热电偶组件，与真空室连通的加热装置及其组合的电子束装置。在一个实施例中，真空室包括电子源，其中电子源包括连接到高电压源的阴极，连接到低电压源的阳极和衬底支撑件。在另一个实施例中，真空室包括位于阳极和衬底支撑件之间的栅格。在一个实施例中，加热装置包括第一平行光阵列和第二光阵列，第一光阵列和第二光阵列被定位成使得第一平行光阵列和第二光阵列相交。在一个实施例中，热电偶组件包括由氮化铝制成的温度传感器。

8. 发明申请

WO2006126997A1 TWO DIMENSIONAL STATIONARY BEAM PROFILE AND ANGULAR MAPPING 审中-公开
标题翻译：两维静态光束轮廓和角度映射
公开(公告)号：WO2006126997A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/US2005/018083
申请日：2005-05-23
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , BENVENISTE, Victor
发明人： BENVENISTE, Victor
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/244 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/304 , H01J2237/31703
摘要： An ion beam uniformity detector (300) of the present invention includes a number of horizontal rods (302) and a number of vertical rods (301) placed on parallel planes and separated by a selected distance. Crossover measurement points are defined by intersections of the horizontal and vertical rods. By selectively and sequentially applying a pulse to the vertical rods and concurrently biasing horizontal rods, measurements can be obtained for the crossover measurement points, which can then be employed to determine ion beam shape and ion beam intensity at the crossover measurement points. Based on these measurements, adjustments can be made to a continuing ion implantation process in order to increase uniformity with respect to intensity as well as to provide a desired beam shape. Additionally, pairs of vertical and horizontal rods can be employed to also obtain measurements that indicate angle of incidence in two dimensions at the various crossover points.
摘要翻译：本发明的离子束均匀性检测器（300）包括多个水平杆（302）和多个垂直杆（301），放置在平行平面上并分离出选定的距离。交叉测量点由水平杆和垂直杆的交点定义。通过选择性地并且顺序地向垂直杆施加脉冲并且同时偏置水平杆，可以获得交叉测量点的测量值，然后可以采用该测量点来确定交叉测量点处的离子束形状和离子束强度。基于这些测量，可以进行连续离子注入工艺的调整，以便增加相对于强度的均匀性以及提供期望的光束形状。此外，可以使用成对的垂直杆和水平杆来获得在各个交叉点处二维地指示入射角的测量。

9. 发明申请

WO2011106750A3 METHOD AND APPARATUS FOR ENHANCED LIFETIME AND PERFORMANCE OF ION SOURCE IN AN ION IMPLANTATION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于增强离子植入系统中离子源的生命寿命和性能的方法和装置
公开(公告)号：WO2011106750A3
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011026388
申请日：2011-02-26
申请人： ADVANCED TECH MATERIALS , KAIM ROBERT , SWEENEY JOSEPH D , AVILA ANTHONY M , RAY RICHARD S
发明人： KAIM ROBERT , SWEENEY JOSEPH D , AVILA ANTHONY M , RAY RICHARD S
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2225 , F17C7/00 , H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/304 , H01L21/223 , H01L21/26506 , Y02E60/321 , Y10T428/13
摘要： An ion implantation system and process, in which the performance and lifetime of the ion source of the ion implantation system are enhanced, by utilizing isotopically enriched dopant materials, or by utilizing dopant materials with supplemental gas(es) effective to provide such enhancement.
摘要翻译：通过利用同位素富集的掺杂剂材料或通过利用具有有效提供这种增强作用的补充气体的掺杂剂材料，离子注入系统和工艺，离子注入系统的离子源的性能和寿命得到增强。

10. 发明申请

WO2010021543A1 CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND TARGET POSITIONING DEVICE 审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束光刻系统和目标定位装置
公开(公告)号：WO2010021543A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/NL2009/050499
申请日：2009-08-18
申请人： MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. , PEIJSTER, Jerry , DE BOER, Guido
发明人： PEIJSTER, Jerry , DE BOER, Guido
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/026 , H01J2237/202 , H01J2237/304
摘要： The invention relates to a charged particle beam lithography system comprising: a charged particle optical column arranged in a vacuum chamber for projecting a charged particle beam onto a target, wherein the column comprises deflecting means for deflecting the charged particle beam in a deflection direction, a target positioning device comprising a carrier for carrying the target, and a stage for carrying and moving the carrier along a first direction, wherein the first direction is different from the deflection direction, wherein the target positioning device comprises a first actuator for moving the stage in the first direction relative to the charged particle optical column, wherein the carrier is displaceably arranged on the stage and wherein the target positioning device comprises retaining means for retaining the carrier with respect to the stage in a first relative position.
摘要翻译：本发明涉及一种带电粒子束光刻系统，包括：带电粒子光学柱，布置在真空室中，用于将带电粒子束投射到靶上，其中该柱包括偏转装置，用于偏转带电粒子束的偏转方向，目标定位装置，包括用于承载目标的载体，以及用于沿着第一方向承载和移动载体的载物台，其中所述第一方向不同于所述偏转方向，其中所述目标定位装置包括用于使所述载物台移动的第一致动器相对于带电粒子光学柱的第一方向，其中所述载体可位移地布置在所述载物台上，并且其中所述目标定位装置包括用于将所述载体相对于所述载物台保持在第一相对位置的保持装置。

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