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1. 发明申请

WO2016104754A1 プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法、電極、電極の再生方法、再生電極、プラズマエッチング装置、ガス導入孔の状態分布図及びその表示方法审中-公开
标题翻译：用于等离子体蚀刻装置的电极中提供的气体引入孔的方法，电极，电极再生方法，再生电极，等离子体蚀刻装置和气体介绍孔状态分布图和用于其的显示方法
公开(公告)号：WO2016104754A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/JP2015/086349
申请日：2015-12-25
申请人：エーサット株式会社
发明人：鈴木　崇之
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/2449 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H05H1/46
摘要：　プラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔を高精度に測定することができる測定方法及び精度の高いガス導入孔を備えた電極を提供すること。　本発明のプラズマエッチング装置用の電極に設けられたガス導入孔の測定方法は、プラズマエッチング装置用の電極における基材を厚さ方向に貫通するよう設けられたガス導入孔を測定する方法であって、基材の一方面側からガス導入孔に向けて光を照射する工程と、ガス導入孔を介して基材の他方面側に透過した光の２次元画像を取得する工程と、２次元画像に基づいてガス導入孔の径、内壁面の粗さ及び垂直度合いのうち少なくとも１つを測定する工程と、を備えたことを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种测量方法，通过该方法可以高精度地测量设置在等离子体蚀刻装置的电极中的气体导入孔，并且提供具有高精度的电极气体导入孔。这种测量设置在等离子体蚀刻装置用电极中的气体导入孔的方法是测量以等离子体蚀刻用电极的基材的厚度方向贯穿的方式设置的气体导入孔的方法装置，其特征在于具有：从所述基板的一个表面侧向所述气体导入孔照射光的工序; 获取已经通过所述气体导入孔的光的二维图像到所述基板的另一面的步骤; 以及基于二维图像测量气体导入孔的直径，内壁表面粗糙度和垂直度中的至少一个的步骤。

2. 发明申请

WO2016088590A1 変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ审中-公开
标题翻译：金属氧化物微粒子等离子体加工检测指示剂用作颜色变化层
公开(公告)号：WO2016088590A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/JP2015/082818
申请日：2015-11-24
申请人：株式会社サクラクレパス
发明人：菱川　敬太 , 釆山　和弘
IPC分类号： H01L21/31 , C23C14/22 , C23C14/52 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/67253 , C01G29/00 , C01G31/02 , C01G39/02 , C01G41/02 , C23C14/52 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C24/085 , C23C28/04 , C23C28/042 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/40 , G01N21/75 , G01N21/78 , G01N21/783 , G01N31/223 , G01N31/226 , G01N2021/751 , H01J37/244 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/32136 , H05H1/00
摘要：（課題）プラズマ処理により変色する変色層を有するインジケータであって、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されており、且つ、耐熱性が良好なプラズマ処理検知インジケータを提供する。（解決手段）プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有するプラズマ処理検知インジケータ。
摘要翻译： [问题]提供一种具有由于等离子体处理而改变颜色的变色层的高耐热等离子体处理检测指示器，其中色变层的等离子体处理引起的气化或颜色变化的散射精细废物形式的层被抑制到不影响电子设备特性的水平。解决方案：具有由于等离子体处理而改变颜色的变色层的等离子体处理检测指示器，其中，所述变色层包括从由Mo，W，Sn，V，Ce，Te组成的组中选择的至少一种元素和Bi，并且含有平均粒径为50μm以下的金属氧化物微粒。

3. 发明申请

WO2016057990A2 METHOD FOR DETECTING AND ANALYZING SURFACE FILMS 审中-公开
标题翻译：检测和分析表面膜的方法
公开(公告)号：WO2016057990A2
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2015/055102
申请日：2015-10-12
申请人： ORTHOBOND, INC.
发明人： KATZ, Jordan , BELKIND, Abe , CLEVENGER, Randy
IPC分类号： G01N21/25 , G01N21/62
CPC分类号： G01J3/443 , G01N21/73 , G01N21/8422 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要： Disclosed herein are embodiments of a novel method and system to analyze films using plasma to produce spectral data and analyzing the spectral data.
摘要翻译：本文公开的是使用等离子体分析膜以产生光谱数据并分析光谱数据的新颖方法和系统的实施例。

4. 发明申请

WO2016040547A1 PROCESSING SYSTEM FOR SMALL SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：小基材加工系统
公开(公告)号：WO2016040547A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/US2015/049292
申请日：2015-09-10
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： HSING, Mitchell David , GOULD, Parker Andrew , SCHMIDT, Martin Arnold
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32807 , C23C14/34 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C14/541 , H01J37/3211 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01J37/32889 , H01J37/32908 , H01J37/32935 , H01L21/6719
摘要： A substrate processing system that is optimized for the production of smaller volumes of semiconductor components is disclosed. To minimize cost, the substrate processing system is designed to accommodate smaller substrates, such as substrates having a diameter of roughly one inch. Additionally, the components of the substrate processing system are designed to be interchangeable, thereby further reducing cost and complexity. In certain embodiments, the substrate processing system comprises a lower assembly, which may be used with one or more upper assemblies. The lower assembly is used to support the substrate and provide many of the fluid, electrical, and sensor connections, while the upper assemblies include the apparatus required to perform a certain fabrication function. For example, different upper assemblies may exist for deposition, etching, sputtering and ion implantation.
摘要翻译：公开了针对较小体积的半导体部件的生产进行优化的衬底处理系统。为了最小化成本，衬底处理系统被设计成容纳更小的衬底，例如具有大约一英寸的直径的衬底。此外，基板处理系统的部件被设计为可互换的，从而进一步降低成本和复杂性。在某些实施例中，衬底处理系统包括可与一个或多个上部组件一起使用的下部组件。下部组件用于支撑基底并提供许多流体，电气和传感器连接，而上部组件包括执行某种制造功能所需的装置。例如，可能存在用于沉积，蚀刻，溅射和离子注入的不同的上部组件。

5. 发明申请

WO2016021496A1 スパッタ装置および処理装置审中-公开
标题翻译：溅射装置和加工装置
公开(公告)号：WO2016021496A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/JP2015/071788
申请日：2015-07-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：廣見　太一 , 下川　英利 , 市川　篤行
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/00 , C23C14/54 , G01L21/00 , H01L21/203 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/564 , C23C16/4401 , G01L21/00 , H01J37/32816 , H01J37/32935 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J37/3476 , H01J2237/026 , H01J2237/24585 , H01J2237/3322 , H01L21/203 , H01L21/285 , H01L21/2855
摘要：　スパッタ装置は、基板に膜を形成するためのスパッタリング空間を規定する空間規定部材を有する。前記空間規定部材は、凹部を有し、前記凹部の底部には、開口部が設けられている。前記スパッタ装置は、前記開口部を前記スパッタリング空間から遮蔽する遮蔽部材を備えている。前記開口部は、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付け可能に形成され、前記遮蔽部材は、少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれるように配置されている。
摘要翻译：该溅射装置具有限定用于在衬底上形成膜的溅射空间的空间限定构件。空间限定构件具有凹部，并且凹部的底部设置有开口。溅射装置设置有用于屏蔽来自溅射空间的开口的屏蔽构件。开口形成为使得能够附接能够测量溅射空间内的压力的压力计，并且屏蔽构件被布置成至少部分地嵌入在凹部内。

6. 发明申请

WO2016003758A1 FREQUENCY TUNING FOR PULSED RADIO FREQUENCY PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：用于脉冲无线电频率等离子体处理的频率调谐
公开(公告)号：WO2016003758A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/US2015/037607
申请日：2015-06-25
申请人： ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.
发明人： MUELLER, Michael , CHOI, Sam
IPC分类号： H05H1/46 , H03B28/00
CPC分类号： H01J37/32155 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
摘要： This disclosure describes systems, methods, and apparatus for pulsed RF power delivery to a plasma load for plasma processing of a substrate. In order to maximize power delivery, a calibration phase using a dummy substrate or no substrate in the chamber, is used to ascertain a preferred fixed initial RF frequency for each pulse. This fixed initial RF frequency is then used at the start of each pulse during a processing phase, where a real substrate is used and processed in the chamber.
摘要翻译：本公开描述了用于脉冲RF功率输送到等离子体负载以用于衬底的等离子体处理的系统，方法和装置。为了最大化功率传递，使用在腔室中使用虚设衬底或无衬底的校准阶段来确定每个脉冲的优选的固定初始RF频率。然后，在处理阶段，在每个脉冲的开始处使用该固定的初始RF频率，其中在腔室中使用和处理实际的基板。

7. 发明申请

WO2015100793A1 一种干法刻蚀机及其刻蚀方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015100793A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/CN2014/070527
申请日：2014-01-13
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：刘思洋
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： B05B12/02 , B05B1/005 , B05B12/12 , G02F1/1303 , G02F1/1333 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32935
摘要：一种干法刻蚀机及其刻蚀方法。该干法刻蚀机包括反应室（40）以及设置于反应室中的上电极板（30）和下电极板（70），上电极板（30）上开设有多个用于向反应室（40）中通入气体的通气孔，多个通气孔与多个刻蚀区域一一对应设置；还包括：与反应室连接的流量控制器（20），用于交替地控制多个通气孔中的气流量；设置在反应室（40）中的多个刻蚀速率检测装置（90），用于检测基板上各个刻蚀区域的刻蚀速率；分别与流量控制器和多个刻蚀速率检测装置电连接的中央控制器（100），用于获取多个刻蚀区域的刻蚀速率，并在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不等时，在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不等时控制流量控制器调整相应的通气孔的气流量，以使多个刻蚀区域的刻蚀速率均相等。

8. 发明申请

WO2015089997A1 阵列基板制作方法、膜层刻蚀监控方法及设备审中-公开
公开(公告)号：WO2015089997A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/CN2014/078263
申请日：2014-05-23
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：刘政 , 任章淳
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/66757 , H01L29/66765
摘要：提供一种阵列基板的制作方法、膜层刻蚀监控方法及设备。该监控方法包括：在形成膜层图形之后监测并记录所述膜层的透光率基准值；在所述膜层图形上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中，实时监测所述膜层的透光率现有值，通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对所述膜层的刻蚀程度，从而防止过度刻蚀。所述设备包括若干个光源（3）和光感探头（4），所述光源（3）向基板上的所述膜层照射，所述光感探头（4）用于感应所述膜层的透光率。

9. 发明申请

WO2015041273A1 成膜装置、温度算出方法及びプログラム审中-公开
标题翻译：成膜装置，温度计算方法和程序
公开(公告)号：WO2015041273A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/JP2014/074644
申请日：2014-09-18
申请人：ブラザー工業株式会社
发明人：篠田　健太郎 , 金田　英樹 , 滝　和也
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/511 , G01J5/00 , H05H1/00 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/52 , G01J5/0003 , G01J5/0044 , G01J2005/0048 , G01J2005/0074 , H01J37/32192 , H01J37/32724 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：　被加工材料の放射率と異なる放射率を有する膜の成膜中における被加工材料の表面温度を、放射温度計を用いて低誤差で測定することが可能となる成膜装置を提供する。処理容器内に配置された被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波をマイクロ波供給口を介して供給するマイクロ波供給部と、被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を負電圧電極を介して被加工材料に印加する負電圧印加部と、処理容器に設けられた窓部の外側に配置されて被加工材料の処理表面の温度を測定する放射温度計と、成膜処理経過に応じて被加工材料の第１放射率と被加工材料の処理表面に成膜される皮膜の第２放射率とに基づいて設定された補正放射率と放射温度計の出力温度と放射温度計に設定された温度計設定放射率とを基に、成膜処理中における被加工材料の処理表面の表面温度を算出する温度算出部と、を備える。
摘要翻译：提供一种成膜装置，其能够使用辐射温度计以低误差率测量当形成具有不同于待加工材料的发射率的发射率的膜时待加工材料的表面温度。本发明包括：微波供应单元，其经由微波供应端口沿着待处理材料的处理表面提供用于产生等离子体的微波，所述处理表面设置在处理容器内; 负电压施加单元，其通过负电压电极施加负极化电压，所述负偏压使得护套层沿着待加工材料的加工表面扩展到待加工材料; 辐射温度计，设置在设置于处理容器的窗单元的外侧，并测量待加工材料的加工面的温度; 以及温度计算单元，其计算在成膜处理期间待加工材料的处理表面的表面温度。基于辐射温度计设定的校正发射率，辐射温度计的输出温度和温度计组发射率来计算表面温度。校正发射率是根据成膜处理的进行情况设定的，其基于待加工材料的第一发射率和形成在待加工材料的加工表面上的涂膜的第二发射率。

10. 发明申请

WO2015007237A1 刻蚀产额的建模方法和刻蚀表面演化仿真方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015007237A1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：PCT/CN2014/082517
申请日：2014-07-18
申请人：清华大学
发明人：宋亦旭 , 阮聪 , 高扬福 , 孙晓民
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , G06F17/10 , H01J37/32422 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/334
摘要：一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工技术中对刻蚀表面过程模拟技术领域；该方法包括：将多种离子的刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来得到刻蚀产额模型中的优化参数；在优化过程中，选取沟槽表面的一些特定位置，通过比较演化过程中不同时刻这些点的模拟刻蚀速率与实际刻蚀速率来计算每组模型参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步模型参数集的依据。将得到模型参数代入到模型参数化的公式中，即得到刻蚀产额的模型。根据刻蚀加工数据对多种离子的刻蚀产额模型参数进行优化，解决了离子轰击实验法和分子动力学方法求取刻蚀产额参数不准确的问题。

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