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1. 发明申请

WO2017091571A1 METHODS FOR FORMING LOW-RESISTANCE CONTACTS THROUGH INTEGRATED PROCESS FLOW SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：通过集成工艺流程系统形成低电阻接触的方法
公开(公告)号：WO2017091571A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/US2016/063321
申请日：2016-11-22
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： LEI, Yu , BANTHIA, Vikash , WU, Kai , FU, Xinyu , XU, Yi , DAITO, Kazuya , MA, Feiyue , AGARWAL, Pulkit , LIN, Chi-Chou , WU, Dien-Yeh , JIAN, Guoqiang , TANG, Wei V. , BAKKE, Jonathan , CHANG, Mei , RAMAMURTHY, Sundar
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
摘要： Methods for forming metal contacts having tungsten liner layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate includes: exposing a substrate, within a first substrate process chamber, to a plasma formed from a first gas comprising a metal organic tungsten precursor gas or a fluorine-free tungsten halide precursor to deposit a tungsten liner layer, wherein the tungsten liner layer is deposited atop a dielectric layer and within a feature formed in a first surface of the dielectric layer of a substrate; transferring the substrate to a second substrate process chamber without exposing the substrate to atmosphere; and exposing the substrate to a second gas comprising a tungsten fluoride precursor to deposit a tungsten fill layer atop the tungsten liner layer.
摘要翻译：本文提供了用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施例中，一种处理衬底的方法包括：在第一衬底处理室内将衬底暴露于由包含金属有机钨前体气体或无氟卤化钨前体的第一气体形成的等离子体以沉积钨衬里层，其中所述钨衬里层沉积在介电层顶上并且形成在衬底的所述介电层的第一表面中的特征内; 将衬底转移到第二衬底处理室而不将衬底暴露于大气; 以及将衬底暴露于包含氟化钨前体的第二气体以在钨衬垫层顶上沉积钨填充层。

2. 发明申请

WO2017062087A1 SHOWERHEAD WITH REDUCED BACKSIDE PLASMA IGNITION 审中-公开
标题翻译：具有减少背面等离子体点火的淋浴
公开(公告)号：WO2017062087A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/US2016/044080
申请日：2016-07-26
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： WANG, Haitao , NOORBAKHSH, Hamid , ZHANG, Chunlei , SHOJI, Sergio Fukuda , RAMASWAMY, Kartik , SMITH, Roland , MAYS, Brad L.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4401 , H01J37/3244
摘要： Embodiments of the present disclosure relate to a showerhead assembly for use in a processing chamber. The showerhead assembly includes a porous insert disposed in a space defined between a gas distribution plate and a base plate to moderate the corrosive radicals resulting from plasma ignition to reduce particle issues and metal contamination in the chamber. The porous insert is a conductive material, such as metal, used to reduce the gap electrical field strength, or may be a dielectric material such as ceramic, polytetrafluoroethylene, polyamide-imide, or other materials with a low dielectric loss and high electrical field strength under conditions of high frequency and strong electric fields. As such, the electrical breakdown threshold is enhanced. The porous insert may reduce and/or eliminate showerhead backside plasma ignition and may include multiple concentric narrow rings that cover gas holes of the gas distribution plate.
摘要翻译：本公开的实施例涉及一种用于处理室的喷头组件。喷头组件包括设置在气体分配板和基板之间的空间中的多孔插件，以缓和由等离子体点火引起的腐蚀性自由基，以减少腔室中的颗粒问题和金属污染。多孔插入物是用于减小间隙电场强度的导电材料，例如金属，或者可以是诸如陶瓷，聚四氟乙烯，聚酰胺 - 酰亚胺或具有低介电损耗和高电场强度的其它材料的介电材料在高频和强电场的条件下。因此，电击穿阈值增强。多孔插入件可以减少和/或消除喷头背面等离子体点火，并且可以包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心的窄环。

3. 发明申请

WO2017008838A1 EVAPORATION SOURCE. 审中-公开
标题翻译：蒸发源
公开(公告)号：WO2017008838A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2015/065988
申请日：2015-07-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , BANGERT, Stefan , DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel , KELLER, Stefan , SPATZ, Norbert
发明人： BANGERT, Stefan , DIEGUEZ-CAMPO, Jose Manuel , KELLER, Stefan , SPATZ, Norbert
IPC分类号： C23C14/24 , C23C16/44
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/246 , C23C16/4401
摘要： An evaporation source (100) for a metal or a metal alloy is described. The evaporation source includes an evaporation crucible (104), wherein the evaporation crucible is configured to evaporate the metal or metal alloy, a distribution pipe (106) with one or more outlets (712) provided along the length of the distribution pipe, wherein the distribution pipe is in fluid communication with the evaporation crucible, wherein the distribution pipe further comprises a first outer tube (234) and a first inner tube (232), and wherein the distribution pipe and the evaporation crucible are provided as one single piece.
摘要翻译：描述了用于金属或金属合金的蒸发源（100）。蒸发源包括蒸发坩埚（104），其中蒸发坩埚被构造成蒸发金属或金属合金，分配管（106）具有沿着分配管的长度设置的一个或多个出口（712），其中分配管与蒸发坩埚流体连通，其中分配管还包括第一外管（234）和第一内管（232），并且其中分配管和蒸发坩埚被设置为一个单件。

4. 发明申请

WO2016178754A1 PROCESS KIT FOR A HIGH THROUGHPUT PROCESSING CHAMBER 审中-公开
标题翻译：高速加工室的工艺包
公开(公告)号：WO2016178754A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：PCT/US2016/023520
申请日：2016-03-22
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： GHOSH, Kalyanjit , KULKARNI, Mayur G. , BALUJA, Sanjeev , CHUC, Kien N. , KIM, Sungjin , WANG, Yanjie
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , H01L21/6719
摘要： A processing chamber for processing a substrate is disclosed herein. In one embodiment, the processing chamber includes a liner assembly disposed within an interior volume of the processing chamber, and a C-channel disposed in an interior volume of the chamber, circumscribing the liner assembly. In another embodiment, a process kit disposed in the interior volume of the processing chamber is disclosed herein. The process kit includes a liner assembly, a C-channel, and an isolator disposed in the interior volume. The C-Channel and the isolator circumscribe the liner assembly. A method for depositing a silicon based material on a substrate by flowing a precursor gas into a processing chamber is also described herein.
摘要翻译：本文公开了一种处理衬底的处理室。在一个实施例中，处理室包括设置在处理室的内部容积内的衬套组件，以及设置在室的内部容积中的C形通道，其限定衬套组件。在另一个实施例中，本文公开了一种设置在处理室的内部容积中的处理套件。该处理套件包括衬里组件，C通道和设置在内部容积中的隔离器。 C通道和隔离器限定衬套组件。本文还描述了通过将前体气体流入处理室而将硅基材料沉积在基底上的方法。

5. 发明申请

WO2016108931A1 CRYSTAL PRODUCTION SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：水晶生产系统及方法
公开(公告)号：WO2016108931A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/US2015/000293
申请日：2015-12-23
申请人： SITEC GMBH , DASSEL, Mark, W.
发明人： DASSEL, Mark, W. , KERAT, Uwe
IPC分类号： H01L29/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/205 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4411 , C23C16/4417 , C23C16/442 , C23C16/46 , C30B29/00 , H01L29/04
摘要： Mechanically fluidized systems and processes allow for efficient, cost-effective production of silicon coated particles having very low levels of contaminants such as metals and oxygen. These silicon coated particles are produced, conveyed, and formed into crystals in an environment maintained at a low oxygen level or a very low oxygen level and a low contaminant level or very low contaminant level to minimize the formation of silicon oxides and minimize the deposition of contaminants on the coated particles. Such high purity coated silicon particles may not require classification and may be used in whole or in part in the crystal production method. The crystal production method and the resultant high quality of the silicon boules produced are improved by the reduction or elimination of the silicon oxide layer and contaminants on the coated particles.
摘要翻译：机械流化系统和工艺允许有效地，成本有效地生产具有非常低水平的污染物例如金属和氧的硅涂覆的颗粒。这些硅涂覆的颗粒在保持在低氧水平或非常低的氧水平和低污染物水平或非常低的污染物水平的环境中生产，输送并形成晶体，以使氧化硅的形成最小化并最小化涂层颗粒上的污染物。这种高纯度涂覆的硅颗粒可能不需要分级，并且可以全部或部分地用于晶体生产方法中。通过减少或消除涂覆的颗粒上的氧化硅层和污染物，可以提高晶体生产方法和所产生的高质量的硅凝胶。

6. 发明申请

WO2016038660A1 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：WO2016038660A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/JP2014/073675
申请日：2014-09-08
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：山腰　莉早 , 尾崎　貴志 , 寺崎　昌人 , 赤江　尚徳 , 堀田　英樹
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要：　基板に対して第１のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、基板に対して第１のノズルとは異なる第２のノズルを介して窒化ガスと酸化ガスとを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、基板上に、酸窒化膜を形成する工程を有し、窒化ガスと酸化ガスとを供給する工程では、窒化ガスの供給を停止した状態で酸化ガスを供給する工程と、窒化ガスと酸化ガスとを同時に供給する工程と、を連続的に行う。
摘要翻译：这种半导体器件制造方法具有通过以下步骤在基板上进行非同时执行的循环来形成氮氧化物膜的步骤：通过第一喷嘴将原料气体供给到基板的步骤; 以及通过与第一喷嘴不同的第二喷嘴将氮化气体和氧化气体供给到基板的工序。在氮化气体和氧化气体的供给工序中，连续进行氮化气体供给停止的状态下供给氧化气体的工序，同时供给氮化气体和氧化气体的工序。

7. 发明申请

WO2016021496A1 スパッタ装置および処理装置审中-公开
标题翻译：溅射装置和加工装置
公开(公告)号：WO2016021496A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/JP2015/071788
申请日：2015-07-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：廣見　太一 , 下川　英利 , 市川　篤行
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/00 , C23C14/54 , G01L21/00 , H01L21/203 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/564 , C23C16/4401 , G01L21/00 , H01J37/32816 , H01J37/32935 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J37/3476 , H01J2237/026 , H01J2237/24585 , H01J2237/3322 , H01L21/203 , H01L21/285 , H01L21/2855
摘要：　スパッタ装置は、基板に膜を形成するためのスパッタリング空間を規定する空間規定部材を有する。前記空間規定部材は、凹部を有し、前記凹部の底部には、開口部が設けられている。前記スパッタ装置は、前記開口部を前記スパッタリング空間から遮蔽する遮蔽部材を備えている。前記開口部は、前記スパッタリング空間内の圧力を計測可能な圧力計が取り付け可能に形成され、前記遮蔽部材は、少なくとも一部が前記凹部に埋め込まれるように配置されている。
摘要翻译：该溅射装置具有限定用于在衬底上形成膜的溅射空间的空间限定构件。空间限定构件具有凹部，并且凹部的底部设置有开口。溅射装置设置有用于屏蔽来自溅射空间的开口的屏蔽构件。开口形成为使得能够附接能够测量溅射空间内的压力的压力计，并且屏蔽构件被布置成至少部分地嵌入在凹部内。

8. 发明申请

WO2015134135A1 CRITICAL CHAMBER COMPONENT SURFACE IMPROVEMENT TO REDUCE CHAMBER PARTICLES 审中-公开
标题翻译：关键室组分表面改性以减少泡沫颗粒
公开(公告)号：WO2015134135A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/US2015/013917
申请日：2015-01-30
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： DUAN, Ren-Guan , ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos , SANKARAKRISHNAN, Ramprakash
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/48
CPC分类号： C04B41/0081 , C03C23/007 , C04B35/111 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2235/3225 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C23C14/564 , C23C16/4401 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D2007/063 , F27D2019/0028 , C04B35/00 , C04B35/10 , C04B35/584 , C04B35/48
摘要： Embodiments described herein generally relate to apparatus and methods for thermally treating chamber components for use in ultraviolet semiconductor processing chambers. Thermal treatment of chamber components comprising unitary ceramic or glass articles may reduce the probability of particle generation when the chamber components are exposed to corrosive environments, such as exposure to ultraviolet light and ozone/oxygen radicals. A method of thermally treating chamber components includes heating the unitary article at an acceptable ramp rate to a desired temperature for a desired time period and subsequently cooling the unitary article at the ramping rate.
摘要翻译：本文描述的实施方案一般涉及用于紫外线半导体处理室中用于热处理腔室部件的设备和方法。包括单一陶瓷或玻璃制品的腔室部件的热处理可能会降低室内部件暴露于腐蚀性环境（如暴露于紫外线和臭氧/氧自由基）时产生颗粒的可能性。热处理腔室部件的方法包括以可接受的斜坡速率将整体制品加热到期望的温度达所需的时间段，然后以斜坡速度冷却整体制品。

9. 发明申请

WO2015120513A1 ELECTROSTATIC CONTROL OF METAL WETTING LAYERS DURING DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：沉积期间金属湿润层的静电控制
公开(公告)号：WO2015120513A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/AU2015/050026
申请日：2015-01-28
申请人： BUTCHER, Kenneth Scott Alexander
发明人： BUTCHER, Kenneth Scott Alexander
IPC分类号： B82B1/00 , C23C16/00 , C23C4/06
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/06 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/515 , C30B25/16 , C30B29/406 , C30B30/02 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02653
摘要： There is disclosed a system for the electrostatic control of a metal wetting layer during deposition and a method of electrostatically controlling a metal wetting layer during deposition using a deposition system. In one example, control of the metal wetting layer is provided by changing or applying an electrostatic field acting on a deposited material or acting on a substrate on which a material is deposited. In another example, control is of the thickness of the metal wetting layer. In another example, control is of the presence or absence of the metal wetting layer. The metal wetting layer can be a liquid metal or liquid metal alloy, for example the metal wetting layer could be Boron, Aluminium, Indium, Gallium or Thallium. In another example, control is of the thickness, or presence, of a Gallium wetting layer during GaN film growth.
摘要翻译：公开了一种用于在沉积期间静电控制金属润湿层的系统以及使用沉积系统在沉积期间静电控制金属润湿层的方法。在一个实例中，通过改变或施加作用在沉积材料上或作用在其上沉积材料的基底上的静电场来提供金属润湿层的控制。在另一个实例中，控制是金属润湿层的厚度。在另一个实例中，控制是存在或不存在金属润湿层。金属润湿层可以是液态金属或液态金属合金，例如金属润湿层可以是硼，铝，铟，镓或铊。在另一个实例中，控制在GaN膜生长期间具有镓湿润层的厚度或存在。

10. 发明申请

WO2014179093A1 FLOW CONTROLLED LINER HAVING SPATIALLY DISTRIBUTED GAS PASSAGES 审中-公开
标题翻译：具有空气分配气体通道的流量控制衬管
公开(公告)号：WO2014179093A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2014/034785
申请日：2014-04-21
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： SAMIR, Mehmet Tugrul , LAU, Shu-Kwan
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4401 , C23C16/455 , C23C16/45519 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , Y10T137/87265
摘要： Embodiments of the present disclosure provide a liner assembly including a plurality of individually separated gas passages. The liner assembly enables tenability of flow parameters, such as velocity, density, direction and spatial location, across a substrate being processed. The processing gas across the substrate being processed may be specially tailored for individual processes with a liner assembly according to embodiment of the present disclosure.
摘要翻译：本公开的实施例提供了一种衬套组件，其包括多个单独分离的气体通道。衬套组件使得能够处理正在处理的衬底上的流动参数（例如速度，密度，方向和空间位置）的可维护性。正在处理的衬底上的处理气体可以根据本公开的实施例专门针对具有衬套组件的各个工艺进行定制。

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