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1. 发明申请

WO2015060942A1 BIPOLAR COLLIMATOR UTILIZED IN A PHYSICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER 审中-公开
标题翻译：在物理蒸气沉积室中使用的双极柱
公开(公告)号：WO2015060942A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/US2014/053164
申请日：2014-08-28
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： LEE, Joung Joo , LIU, Guojun , WANG, Wei W. , KOTHNUR, Prashanth
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/042 , C23C14/22 , C23C14/3471 , H01J37/3426
摘要： The present invention provides an apparatus including a bipolar collimator disposed in a physical vapor deposition chamber and methods of using the same. In one embodiment, an apparatus includes a chamber body and a chamber lid disposed on the chamber body defining a processing region therein, a collimator disposed in the processing region, and a power source coupled to the collimator.
摘要翻译：本发明提供一种装置，包括设置在物理气相沉积室中的双极准直器及其使用方法。在一个实施例中，一种装置包括室主体和设置在室主体上的室盖，其限定其中的处理区域，设置在处理区域中的准直器和耦合到准直器的电源。

2. 发明申请

WO2014161759A1 VORRICHTUNG ZUR VAKUUMBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置用于基材的真空处理
公开(公告)号：WO2014161759A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/EP2014/056090
申请日：2014-03-26
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH
发明人： HAGEDORN, Harro , PISTNER, Jürgen , VOGT, Thomas , MÜLLER, Alexander
IPC分类号： C23C14/56 , H01J37/34 , C23C14/34 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/683 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J37/32834 , H01J37/3447 , H01L21/67742
摘要： Bei der Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten (130) mit einer Vakuumkammer (1) mit einer Plasmaeinrichtung (160) einer Prozeßkammer (110) und einer in der Prozeßkammer (110) unterhalb der Plasmaeinrichtung angeordneten Aufnahmeeinrichtung (135) für Substrate (130), wobei die Prozeßkammer (110) einen oberen Teilabschnitt (105a) mit einer Seitenwand (106a) und einen unteren Teilabschnitt (105b) mit einer Seitenwand (106b) umfasst der obere Teilabschnitt (105a) und der untere Teilabschnitt (105b) relativ zu einander vertikal bewegbar sind ist vorgesehen, dass zwischen der Seitenwand (106a) des oberen Teilabschnitts (105a) und der Seitenwand (106b) des unteren Teilabschnitts (105b) ein unterer Strömungspfad (105c) zwischen dem Innenbereich (140) der Prozeßkammer (110) und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts (105a) angeordneten Innenbereich (1a) der Vakuumkammer (1) verläuft. Ferner ist zwischen einem oberen Randbereich (107) des oberen Teilabschnitts (105a) und einem in einem oberen Teil des Innenbereichs (1a) der Vakuumkammer (1) angeordneten Dichtelement (109) ein oberer Strömungspfad (190) zwischen dem Innenbereich (140) der Prozeßkammer (110) und dem außerhalb des oberen Teilabschnitts (105a) angeordneten Innenbereich (1a) der Vakuumkammer (1) vorgesehen ist, wobei der obere Teilabschnitt (105a) relativ zur Vakuumkammer (1) in eine untere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad (190) geöffnet ist der obere Teilabschnitt (105a) relativ zur Vakuumkammer (1) in eine obere Position bewegbar ist, in der der obere Strömungspfad (190) geschlossen ist.
摘要翻译：在具有真空腔室（1）与等离子装置（160）的处理室（110）和一个在等离子体装置的下方的处理室（110），用于基板的真空处理装置（130），其设置接收装置（135），用于在基板（130），处理室（110）具有上部分（105A）具有侧壁（106A）和具有侧壁（106B）包括上部的下部（105B）（105A）和所述下部（105B）相对于彼此垂直移动是提供的是所述侧壁之间（106A）处理腔室（110）的内部区域（140）和的上部外侧之间的顶部部分（105A）和部分（105B）的下部的侧壁（106B），具有更低的流动路径（105℃）的部部分（105A）设置在所述真空室（1）的内部区域（1a）中。另外，在真空腔室的内部区域（1A）的上部的顶部（105A）和一个的上边缘区域（107）（1）之间布置的密封元件（109），该处理腔室的内部区域（140）之间的上部流路（190）（110）和顶部部分（105A）的外侧布置的内区域（1A）设置在真空室（1），其中，所述上部段（105A）相对于所述真空室（1）可移动到一个较低的位置，其中所述上部流路开（190），所述上部段（105A）相对于所述真空室（1）可移动到上部位置，其中，上部流路（190）被关闭。

3. 发明申请

WO2014113168A1 FINNED SHUTTER DISK FOR A SUBSTRATE PROCESS CHAMBER 审中-公开
标题翻译：用于基板工艺室的精加工快门盘
公开(公告)号：WO2014113168A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/US2013/075570
申请日：2013-12-17
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHIA, Bonnie T. , SUH, Song-Moon , TSAI, Cheng-Hsiung Matthew , DINSMORE, Robert , MORI, Glen T.
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32715 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32853 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3423 , H01J37/3447
摘要： Shutter disks for use in process chambers are provided herein. In some embodiments, a shutter disk for use in a process chamber may include a body having an outer perimeter, a top surface of the body, wherein the top surface includes a central portion having a substantially horizontal planar surface, and at least one angled structure disposed radially outward of the central portion, each of the at least one angled structure having a top portion and an angled surface disposed at a downward angle in a radially outward direction from the top portion toward the outer perimeter, and a bottom surface of the body.
摘要翻译：本文提供了用于处理室的快门盘。在一些实施例中，用于处理室的快门盘可以包括具有外周边，主体顶表面的主体，其中顶表面包括具有基本水平的平面表面的中心部分，以及至少一个倾斜结构设置在所述中心部分的径向外侧，所述至少一个倾斜结构中的每一个具有顶部和从所述顶部朝向所述外周边沿径向向外的方向以向下的角度设置的成角度的表面，以及所述主体的底表面。

4. 发明申请

WO2013179544A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：WO2013179544A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/JP2013/002113
申请日：2013-03-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：北田　亨 , 中村　貫人 , 五味　淳 , 宮下　哲也
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332
摘要：【課題】磁性材料からなるターゲットを用いてマグネトロンスパッタを行うにあたり、装置の生産性を高くすることができる技術を提供すること。【解決手段】基板上にて、当該基板の中心軸から前記基板の面に沿った方向にその中心軸が偏移して配置され、磁性材料からなるターゲットである円筒体と、この円筒体を当該円筒体の軸周りに回転させる回転機構と、前記円筒体の空洞部内に設けられたマグネット配列体と、前記円筒体に電圧を印加する電源部と、を備える装置を構成する。そして、前記マグネット配列体の前記円筒体の軸と直交する断面形状は、円筒体の周方向における両端部よりも中央部が当該円筒体の周面側に突出している。これによって、厚さが比較的大きいターゲットを用いても、ターゲットから漏洩する磁場の強度の低下を抑え、且つエロ－ジョンの局所的な進行を抑えることができる。
摘要翻译： [问题]提供使用由磁性材料形成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。 [解决方案]本发明是一种装置，其构造为具有：作为由磁性材料形成的靶的圆筒体，其设置在基板的上方，使得其中心轴线偏离基板的中心轴线沿着基板表面的方向; 旋转机构，其使该圆筒体围绕圆柱体的轴线旋转; 设置在所述圆筒体的中空部内的磁体阵列; 以及向圆柱体施加电压的电源。此外，磁体阵列具有与圆筒体的轴线正交的横截面轮廓，使得中心部分比圆筒体的圆周方向上的两个端部部分更多地突出到圆柱体的圆周表面侧。因此，即使使用厚度较大的靶，也能够抑制从目标泄漏的磁场强度的降低，能够抑制局部的侵蚀。

5. 发明申请

WO2013153536A2 INTAGLIO PRINTING PLATE COATING APPARATUS 审中-公开
标题翻译： INTAGLIO印刷板涂装置
公开(公告)号：WO2013153536A2
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/IB2013/052923
申请日：2013-04-12
申请人： KBA-NOTASYS SA
发明人： GREMION, François , CLAUDE, Laurent
CPC分类号： C23C14/24 , B41F9/00 , B41N3/003 , C23C14/14 , C23C14/165 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/50 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3447 , H01J37/3461 , H01J2237/332
摘要： There is described an intaglio printing plate coating apparatus (1) comprising a vacuum chamber (3) having an inner space (30) adapted to receive at least one intaglio printing plate (10) to be coated, a vacuum system (4) coupled to the vacuum chamber (3) adapted to create vacuum in the inner space (30) of the vacuum chamber (3), and a physical vapour deposition (PVD) system (5) adapted to perform deposition of wear-resistant coating material under vacuum onto an engraved surface (10a) of the intaglio printing plate (10), which physical vapour deposition system (5) includes at least one coating material target (51, 52) comprising a source of the wear-resistant coating material to be deposited onto the engraved surface (10a) of the intaglio printing plate (10). The vacuum chamber (3) is arranged so that the intaglio printing plate (10) to be coated sits substantially vertically in the inner space (30) of the vacuum chamber (3) with its engraved surface (10a) facing the at least one coating material target (51, 52). The intaglio printing plate coating apparatus (1) further comprises a movable carrier (6) located within the inner space (30) of the vacuum chamber (3) and adapted to support and cyclically move the intaglio printing plate (10) in front of and past the at least one coating material target (51, 52).
摘要翻译：描述了一种凹版印刷涂布装置（1），其包括具有内部空间（30）的真空室（3），所述内部空间适于容纳至少一个待涂覆的凹版印刷板（10），真空系统（4）适于在真空室（3）的内部空间（30）中产生真空的真空室（3）和适于在真空下进行耐磨涂层材料沉积的物理气相沉积（PVD）系统（5）到所述凹版印刷版（10）的雕刻表面（10a），所述物理气相沉积系统（5）包括至少一个涂覆材料靶（51,52），所述涂层材料靶（51,52）包含待沉积到所述耐蚀涂层材料凹版印刷版（10）的雕刻表面（10a）。真空室（3）被布置成使得待涂覆的凹版印刷板（10）基本垂直地位于真空室（3）的内部空间（30）中，其刻刻表面（10a）面向至少一个涂层物料目标（51,52）。凹版印刷涂布设备（1）还包括位于真空室（3）的内部空间（30）内的可移动的载体（6），并且适于支撑和循环移动凹版印刷板（10）经过所述至少一个涂层材料靶（51,52）。

6. 发明申请

WO2011161760A1 アラインメント機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置审中-公开
标题翻译：具有对准功能的基板放置装置和具有基板放置装置的成膜装置
公开(公告)号：WO2011161760A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/JP2010/060515
申请日：2010-06-22
申请人：株式会社アルバック , 加藤裕子 , 菊池正志 , 亀崎厚治 , 岡山智彦 , 堀英介 , 清水美穂 , 阿部慶子 , 下田圭介 , 江藤謙次
发明人：加藤　裕子 , 菊池　正志 , 亀崎　厚治 , 岡山　智彦 , 堀　英介 , 清水　美穂 , 阿部　慶子 , 下田　圭介 , 江藤　謙次
IPC分类号： B65G49/06 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/682 , B65G49/061 , B65G2249/02 , H01J37/3447
摘要：　耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置を提供するために、載置台（１２）の四辺に貫通孔（９）を設け、貫通孔（９）内に筒部（３）と、筒部（３）に挿通した軸部（４）を配置する。軸部（３）の上端にフランジ部（８）を設けておき、筒部（３）と軸部（４）を上昇させて、載置台（１２）の上方に位置する基板（２０）をフランジ部（８）に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部（４）を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部（４）に向けて傾斜させ、基板（２０）を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。
摘要翻译：公开了一种具有对准功能的基板放置装置，并且具有高耐久性和低成本。通孔（9）设置在放置台（12）的四侧，分别插入圆筒部（3）的圆筒部（3）和轴部（4）配置在通孔（9）中，分别。在相应的轴部分（3）的上端设有凸缘部（8），通过将圆柱形部分（3）抬起，将位于放置台（12）上方的基片（20）放置在凸缘部分（8）并且轴部（4）中，四边的两侧的轴部（4）朝向对准侧（即，另一侧）的轴部（4）倾斜，通过倾斜机构通过按压基板（20）使基板（20）与对准侧的轴部（4）的侧面接触来进行对准。相机和XY？阶段不需要，并且准确地进行对准。

7. 发明申请

WO2011019566A3 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：用于射频物理气相沉积的工艺成套工具
公开(公告)号：WO2011019566A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/US2010044420
申请日：2010-08-04
申请人： APPLIED MATERIALS INC , HAWRYLCHAK LARA , SAVANDAIAH KIRANKUMAR , RASHEED MUHAMMAD M , WANG RONGJUN , ALLEN ADOLPH MILLER , XIE ZHIGANG
发明人： HAWRYLCHAK LARA , SAVANDAIAH KIRANKUMAR , RASHEED MUHAMMAD M , WANG RONGJUN , ALLEN ADOLPH MILLER , XIE ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要： Embodiments of the invention generally relate to a process kit for a semiconductor processing chamber, and a semiconductor processing chamber having a kit. More specifically, embodiments described herein relate to a process kit including a cover ring, a shield, and an isolator for use in a physical deposition chamber. The components of the process kit work alone and in combination to significantly reduce particle generation and stray plasmas. In comparison with existing multiple part shields, which provide an extended RF return path contributing to RF harmonics causing stray plasma outside the process cavity, the components of the process kit reduce the RF return path thus providing improved plasma containment in the interior processing region.
摘要翻译：本发明的实施例一般涉及用于半导体处理室的处理套件以及具有套件的半导体处理室。更具体地说，这里描述的实施例涉及一种工艺套件，其包括用于物理沉积室中的盖环，屏蔽件和隔离器。处理工具包的组件单独使用并结合使用，可显着减少颗粒产生和杂散等离子体。与现有的多部分屏蔽件相比，这些屏蔽件提供了扩展的RF返回路径，这些RF返回路径导致RF谐波，从而在处理腔外部引起杂散等离子体，处理套件的组件减少了RF返回路径，从而改善了内部处理区域中的等离子体遏制。

8. 发明申请

WO2011025899A1 SYSTEM AND APPARATUS TO FACILITATE PHYSICAL VAPOR DEPOSITION TO MODIFY NON-METAL FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：系统和装置，以帮助物理蒸发沉积物修饰半导体基板上的非金属膜
公开(公告)号：WO2011025899A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/US2010/046864
申请日：2010-08-26
申请人： SEMICAT, INC. , KIM, Jin Hyun , NAM, Michael , PARK, Jae Yeol , PARK, Jonggu
发明人： KIM, Jin Hyun , NAM, Michael , PARK, Jae Yeol , PARK, Jonggu
IPC分类号： B23K9/00
CPC分类号： H01J37/3452 , C23C14/32 , C23C14/35 , C23C14/351 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J2237/327 , H01J2237/3322 , H01L21/67011
摘要： Embodiments of the invention relate generally to semiconductor device fabrication and processes, and more particularly, to an apparatus and a system for implementing arrangements of magnetic field generators configured to facilitate physical vapor deposition ("PVD") and/or controlling impedance matching associated with a non-metal-based plasma used to modify a non-metal film, such as a chalcogenide-based film.
摘要翻译：本发明的实施例一般涉及半导体器件制造和工艺，更具体地，涉及一种用于实现配置成促进物理气相沉积（“PVD”）和/或控制与用于改性非金属膜的非金属基等离子体，例如基于硫族化物的膜。

9. 发明申请

WO2011007832A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2011007832A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/JP2010/061980
申请日：2010-07-15
申请人：株式会社アルバック , 小平周司 , 吉浜知之 , 鎌田恒吉 , 堀田和正 , 濱口純一 , 中西茂雄 , 豊田聡
发明人：小平　周司 , 吉浜　知之 , 鎌田　恒吉 , 堀田　和正 , 濱口　純一 , 中西　茂雄 , 豊田　聡
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3447 , H01L21/2855
摘要：　被処理体の表面にスパッタ法を用いて被膜を形成する成膜装置であって、互いに対向するように配置された前記被処理体と前記被膜の母材であるターゲットとを収納するチャンバと；前記チャンバ内を減圧する排気手段と；前記ターゲットのスパッタ面前方に磁場を発生させる磁場発生手段と；前記ターゲットに負の直流電圧を印加する直流電源と；前記チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入手段と；前記ターゲットと前記被処理体との間に発生したプラズマが安定状態となるまで、前記被処理体へのスパッタ粒子の入射を防ぐ手段と；を備える。
摘要翻译：公开了一种通过使用溅射法在待处理物体的表面上形成涂膜的成膜设备，其包括：包含待处理物体的室和作为被处理物的基材的靶涂层膜，使得被处理物和目标物彼此面对; 用于减小腔室内的压力的排气装置; 用于在靶的溅射表面前方产生磁场的磁场产生装置; 用于向所述目标施加负的直流电压的直流电源; 气体引入装置，用于将溅射气体引入所述腔室; 以及用于防止溅射颗粒在待处理物体上的入射直到在目标和待处理物体之间产生的等离子体变得稳定的装置。

10. 发明申请

WO2010068625A3 SHAPED ANODE AND ANODE-SHIELD CONNECTION FOR VACUUM PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：用于真空物理气相沉积的形状阳极和阳极 - 屏蔽连接
公开(公告)号：WO2010068625A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/US2009067147
申请日：2009-12-08
申请人： FUJIFILM CORP , LI YOUMING , BIRKMEYER JEFFREY
发明人： LI YOUMING , BIRKMEYER JEFFREY
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3438 , H01J37/3447
摘要： A physical vapor deposition apparatus includes a vacuum chamber with side walls, a cathode, a radio frequency power supply, a substrate support, a shield, and an anode. The cathode is inside the vacuum chamber, and the cathode is configured to include a sputtering target. The radio frequency power supply is configured to apply power to the cathode. The substrate support is inside and electrically isolated from the side walls of the vacuum chamber. The shield is inside and electrically connected to the side walls of the vacuum chamber. The anode is inside and electrically connected to the side walls of the vacuum chamber. The anode includes an annular body and an annular flange projecting inwardly from the annular body, and the annular flange is positioned to define a volume below the target for the generation of plasma.
摘要翻译：物理气相沉积设备包括具有侧壁，阴极，射频电源，衬底支撑件，屏蔽件和阳极的真空室。阴极在真空室内，并且阴极被配置为包括溅射靶。射频电源被配置为向阴极施加功率。衬底支撑在里面并与真空室的侧壁电隔离。屏蔽在里面并与真空室的侧壁电连接。阳极在里面并与真空室的侧壁电连接。阳极包括环形本体和从环形本体向内突出的环形凸缘，并且环形凸缘定位成限定产生等离子体的目标下的体积。

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