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    • 4. 发明授权
    • 하전 입자선 장치
    • 充电颗粒光束装置
    • KR101685274B1
    • 2016-12-09
    • KR1020147030888
    • 2013-04-12
    • 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
    • 다찌바나,이찌로스즈끼,나오마사
    • H01J37/21H01J37/28H01J37/10H01J37/147H01J37/26
    • H01J37/21H01J37/10H01J37/147H01J37/263H01J37/28H01J37/3178H01J2237/04756H01J2237/0492H01J2237/063H01J2237/10H01J2237/15H01J2237/21H01J2237/244H01J2237/2602H01J2237/281
    • 깊은구멍관찰등을위해서리타딩과부스팅을조합해서제어함으로써, 신호전자를에너지선택해서검출하는경우, 포커스조정에는대물렌즈의자장변화를사용할수밖에없지만, 자장변화는응답성이나쁘기때문에, 스루풋이저하되어버린다. 1차전자선을발생하는전자원과, 상기 1차전자선을집속하는대물렌즈와, 상기 1차전자선을편향시키는편향기와, 상기 1차전자선의조사에의해시료로부터발생하는 2차전자또는반사전자를검출하는검출기와, 상기 1차전자선이통과하는구멍을갖는전극과, 상기전극에부전압을인가하는전압제어전원과, 상기시료에부전압을인가함으로써상기시료상에상기 1차전자선을감속시키는전계를생성하는리타딩전압제어전원을구비하고, 상기전극에인가되는전압과상기시료에인가되는전압의차를일정하게한 채초점조정을행한다.
    • 当通过组合并控制用于观察深孔等的延迟和升压来进行能量选择来检测信号电子时,聚焦调整的唯一方式是使用物镜的磁场变化。 然而,由于磁场变化的响应性差,吞吐量降低。 带电粒子束装置包括:电子源,被配置为产生一次电子束; 配置成聚焦一次电子束的物镜; 偏转器,被配置为偏转所述一次电子束; 检测器,被配置为通过一次电子束的照射来检测从样品产生的二次电子或反射电子; 具有一次电子束通过的孔的电极; 电压控制电源,被配置为向所述电极施加负电压; 以及延迟电压控制电源,被配置为通过向样本施加负电压来产生使样品上的一次电子束减速的电场,其中带电粒子束装置执行焦点调整,同时施加到 施加到样品的电极和电压保持不变。
    • 6. 发明授权
    • 주사 전자 현미경
    • 扫描电子显微镜
    • KR101369670B1
    • 2014-03-06
    • KR1020120059186
    • 2012-06-01
    • (주)오로스 테크놀로지
    • 박태훈박필화
    • H01J37/28H01J37/244
    • H01J37/28H01J2237/244H01J2237/2608
    • 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)이 개시된다. 주사 전자 현미경은 진공(vaccum) 상태에서 열 또는 전계를 가하여 일함수(work function) 이상의 에너지를 가해 많은 전자들(electrons)을 방출하고, 전자빔(electron beam)을 생성하는 전자총, 집속 렌즈, 편향기, 대물 렌즈 및 조리개를 구비하는 경통(column); 전자빔의 가속된 전자들을 인가받아 관찰대상 시료에 조사하고, 상기 시료로부터 방출된 2차전자(secondary electron) 등의 검출 신호를 적어도 하나 이상의 검출기(detector)를 통해 제공하는 챔버(chamber); 및 상기 경통과 미세거리로 이격되고 상기 챔버의 경계면에 설치되며, 광축을 중심으로 집속된 전자빔의 전자들(electrons)을 통과시키고 공기를 통과시키지 않으며, 상기 경통(column)으로부터 제공된 전자빔을 상기 챔버로 제공하는 필터를 포함한다. 전자총을 구비한 진공(vaccum) 상태의 경통(column)으로부터 불활성 가스가 주입된 비진공 챔버(non vaccum chamber)의 경계면에 설치된 필터(filter)를 통해 전자빔의 가속된 전자들이 조사된 시료에 방출된 2차전자 등의 검출 신호를 검출기로 감지하고, 챔버(chamber)가 경통(column)과 분리 가능하여 다양한 경통(column)과 인터페이스가 가능하고, 기존 진공 챔버의 부피를 줄이게 되었다.
    • 7. 发明公开
    • 이온 도핑 장치 및 이의 도핑 방법
    • 离子喷涂装置及其喷涂方法
    • KR1020080074293A
    • 2008-08-13
    • KR1020070013111
    • 2007-02-08
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 김덕회이청
    • G02F1/13G02F1/136
    • H01J37/3171H01J37/304H01J2237/244H01J2237/24507H01J2237/24535H01J2237/31703
    • An ion doping apparatus and a method thereof are provided to prevent a doping defect by controlling a beam current of an ion beam and an ion amount in real time. An ion doping apparatus includes an ion source(100), a substrate fixing unit(200), a beam current correcting unit(300), a doping amount measuring unit(400), and an ion beam control unit(500). The ion source produces ion beam. The substrate fixing unit fixes a substrate to which an ion is doped. The beam current correcting unit corrects beam current by positions of the ion beam between the ion source and the substrate fixing unit. The doping amount measuring unit is positioned on the same plate as that of the substrate, and measures a doping amount of ion. The ion beam control unit is connected with the doping amount measuring unit, and controls the ion source and the beam current correcting unit according to the doping amount of the ion.
    • 提供了一种离子掺杂装置及其方法,以通过实时控制离子束的束电流和离子量来防止掺杂缺陷。 离子掺杂装置包括离子源(100),基板固定单元(200),束电流校正单元(300),掺杂量测量单元(400)和离子束控制单元(500)。 离子源产生离子束。 衬底固定单元固定掺杂有离子的衬底。 光束电流校正单元通过离子源和衬底固定单元之间的离子束的位置校正束电流。 掺杂量测量单元位于与衬底相同的板上,并测量离子的掺杂量。 离子束控制单元与掺杂量测量单元连接,并且根据离子的掺杂量控制离子源和束电流校正单元。