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1. 发明授权

KR102440920B1 이온 빔 시스템에서 빔 매핑을 위한 장치 및 기술 有权
公开(公告)号：KR102440920B1
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：KR1020207015423
申请日：2018-10-23
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244
摘要： 이온빔을모니터링하기위한장치. 장치는프로세서; 및디스플레이루틴을포함하고프로세서에결합된메모리유닛을포함할수 있고, 디스플레이루틴은이온빔의모니터링을관리하도록프로세서상에서작동한다. 디스플레이루틴은이온빔의복수의스폿빔 프로파일을수신하기위한측정프로세서를포함할수 있고, 스폿빔 프로파일은이온빔의고속스캔및 고속스캔과동시에수행되는검출기의저속기계적스캔동안수집된다. 고속스캔은고속스캔방향을따라 10Hz 이상의주파수를갖는복수의스캔사이클을포함할수 있고, 저속기계적스캔은고속스캔방향과평행한방향으로수행된다. 측정프로세서는또한복수의스폿빔 프로파일로부터도출된적어도하나의정보세트를디스플레이하기위한디스플레이신호를발송할수 있다.

2. 发明授权

KR102430355B1 입자 빔 시스템 및 입자 광학 유닛을 동작하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102430355B1
公开(公告)日：2022-08-08
申请号：KR1020150079754
申请日：2015-06-05
IPC分类号： H01J37/10 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147
摘要： 본발명은, 멀티-빔입자광학유닛을동작하는방법으로서: (1) 입자-광학구성요소의효과의제1 설정을제공하는단계 - 입자-광학이미징이적어도두 개의파라미터에의해특징지어짐 - ; (2) 다음의수학식이유효하도록매트릭스(A)를결정하는단계: TIFF112015054368455-pat00078.tif1251 이때, TIFF112015054368455-pat00079.tif1288, 여기서, TIFF112015054368455-pat00080.tif1218는, 제1 설정인경우에구성요소의효과의변화를나타내며, TIFF112015054368455-pat00081.tif1217는, 제1 설정인경우에파라미터의변화를나타냄; (3) 다음의수학식이유효하도록매트릭스(S)를결정하는단계: TIFF112015054368455-pat00082.tif1132, 여기서, DA는대각매트릭스임; (4) 원하는이미징을특징화하는파라미터의값을규정하는단계; (5) 상기입자-광학이미징이규정된값을갖는파라미터에의해특징지어지도록구성요소의효과의제2 설정을제공하는단계로서, 상기제2 설정에필요한효과가다음의수학식에따라결정되며: TIFF112015054368455-pat00083.tif1250 이때, TIFF112015054368455-pat00084.tif1288, 여기서, TIFF112015054368455-pat00085.tif1218는, 제2 설정인경우에구성요소의효과를나타내며, TIFF112015054368455-pat00086.tif1217는파라미터의규정된값을나타내는, 제2 설정제공단계를포함하는, 방법에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020220106034A 하전 입자 빔 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220106034A
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：KR1020210178327
申请日：2021-12-14
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/10 , H01J37/28

4. 发明授权

KR102425377B1 패턴 평가 시스템 및 패턴 평가 방법 有权
公开(公告)号：KR102425377B1
公开(公告)日：2022-07-27
申请号：KR1020200031758
申请日：2020-03-16
IPC分类号： G01N23/2251 , H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/244 , H01L21/66

5. 发明公开

KR1020220097254A TEM 보정기 시스템의 열자기장 노이즈의 감소 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220097254A
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：KR1020210183740
申请日：2021-12-21
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/08 , H01J37/28
摘要： 현미경시스템의광학요소내 열자기장노이즈생성감소를위한시스템이개시된다. 본개시에따른존슨노이즈생성이감소된예시적인현미경광학요소는전기절연성물질로구성된내부코어및 전기전도성물질로구성된외부코팅을포함한다. 외부코팅의두께(t) 및전기전도율(σ)의곱은 0.01Ω-1 미만이다. 외부코팅은광학요소에의해생성되는존슨노이즈에 2배, 3배또는 10배초과의감소를야기한다. 특정실시예에서, 광학요소는존슨노이즈생성이감소된보정기시스템이다. 그러한보정기시스템은외부자성다중극및 내부정전다중극을포함한다. 내부정전다중극은전기절연성물질로구성된내부코어및 전기전도성물질로구성된외부코팅을포함한다.

6. 发明授权

KR102403769B1 빔조사장치 및 빔조사방법 有权
公开(公告)号：KR102403769B1
公开(公告)日：2022-05-30
申请号：KR1020150081702
申请日：2015-06-10
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/244
摘要： 빔조사처리의품질을높이는기술을제공한다. 빔조사장치(10)는, 하전입자빔(B)을소정의주사방향으로왕복주사시키는빔주사기(26)와, 계측대상으로하는영역에입사하는하전입자의각도성분을계측가능한측정기(42)와, 측정기(42)의계측결과를이용하여, 하전입자빔(B)의실효조사이미턴스를산출하는데이터처리부를구비한다. 측정기(42)는, 주사방향으로왕복주사되는하전입자빔(B)이계측대상으로하는영역을통과하여측정기(42)에입사하는시간에걸쳐, 하전입자빔(B)에대한각도분포의시간변화치를계측하고, 데이터처리부는, 측정기가계측한각도분포의시간변화치에포함되는시간정보를위치정보로변환하여실효조사이미턴스를산출한다. 실효조사이미턴스는, 주사방향으로주사되어계측대상으로하는영역에입사하는하전입자빔의일부를서로합침으로써형성될수 있는가상적인빔다발에대한이미턴스를나타낸다.

7. 发明授权

KR102395462B1 하전 입자선 장치 有权
公开(公告)号：KR102395462B1
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：KR1020200029955
申请日：2020-03-11
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28
摘要： 본발명은, 서로다른층에위치하는패턴사이의중첩어긋남양이큰 경우에도, 안정적으로중첩어긋남양의올바른측정을실행하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위한수단으로서, 이하전입자선장치는, 시료에하전입자선을조사하는하전입자선조사부와, 상기시료로부터의이차전자를검출하는제1 검출기와, 상기시료로부터의반사전자를검출하는제2 검출기와, 상기제1 검출기의출력에의거해서, 상기시료의표면에위치하는제1 패턴의화상을포함하는제1 화상을생성함과함께, 상기제2 검출기의출력에의거해서, 상기시료의표면보다도하층에위치하는제2 패턴의화상을포함하는제2 화상을생성하는화상처리부를구비한다. 제어부는, 상기제1 화상에대한제1 템플레이트화상에의거해, 상기제1 화상에있어서의측정에어리어의위치를조정함과함께, 상기제2 화상에대한제2 템플레이트화상에의거해, 상기제2 화상에있어서의측정에어리어의위치를조정한다.

8. 发明授权

KR102375694B1 이온주입장치, 이온주입방법 및 빔계측장치 有权
公开(公告)号：KR102375694B1
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：KR1020150111353
申请日：2015-08-07
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147
摘要： 소정궤도를가지는빔성분을양호한정밀도로계측한다. 이온주입장치는, 전단빔경로(P1)를통과하는이온빔을편향시키고, 웨이퍼(40)를향하여후단빔경로(P2)를통과하도록빔을출사시키는빔편향장치(42)와, 빔편향장치(42)와웨이퍼(40)의사이에위치하여, 후단빔경로(P2) 내를진행하는빔을부분적으로차폐하여소정궤도를가지는빔성분을웨이퍼(40)를향하여통과시키는빔필터슬릿(52)과, 빔편향장치(42)와빔필터슬릿(52)의사이에위치하여, 빔편향장치(42)로부터출사되는빔의일부를빔전류로서계측하는도스컵(50)과, 빔편향장치(42)와도스컵(50)의사이에위치하여, 빔편향장치(42)로부터출사하여도스컵(50)을향하는빔 중소정궤도로부터일탈한궤도를가지는빔성분이도스컵(50)의계측영역에입사하는것을방지하는궤도제한기구(60)를구비한다.

9. 发明授权

KR102373865B1 하전 입자 빔 시료 검사 시스템 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102373865B1
公开(公告)日：2022-03-14
申请号：KR1020150107231
申请日：2015-07-29
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/04
摘要： 하전입자빔 시료검사시스템이설명된다. 이시스템은적어도하나의하전입자빔을방출하기위한방출기; 시료를지지하도록구성된시료지지테이블; 적어도하나의하전입자빔을포커싱하기위한대물렌즈; 대물렌즈와시료지지테이블사이에제공된전하제어전극 - 전하제어전극은적어도하나의하전입자빔을위한적어도하나의애퍼쳐개구를가짐 -; 및시료의충전을위한추가하전입자들을방출하도록구성된플러드건 - 전하제어전극은플러드건 애퍼쳐개구를가짐 - 을포함한다.

10. 发明授权

KR102371121B1 하전 입자선 장치 有权
公开(公告)号：KR102371121B1
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：KR1020200075564
申请日：2020-06-22
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/244 , H01J37/28 , G01N21/01
摘要： 본발명은, 종래의방법으로는측정할수 없었던디바이스의전기특성을측정하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위한수단으로서, 하전입자선장치(1)는, 하전입자선조건과광 조건과전자디바이스회로정보가입력되는입출력기(50)와, 전자선조건에의거하여시료에조사하는하전입자선을제어하는하전입자선제어계와, 광조건에의거하여시료에조사하는광을제어하는광 제어계와, 하전입자선및 광의조사에의해시료로부터방출되는이차전자를검출하고, 검출신호를출력하는검출기(25)와, 전자디바이스회로정보에의거하여연산용넷리스트를생성하고, 연산용넷리스트및 광조건에의거하여광 조사시 넷리스트를생성하고, 광조사시 넷리스트및 하전입자선조건에의거하여하전입자선및 광이시료에조사되었을때의제1 조사결과를추정하고, 제1 조사결과와전자선조건에의거하여실제로시료에하전입자선및 광이조사되었을때의제2 조사결과를비교하는연산기(31)를구비한다.

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