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1. 发明公开

KR20180031061A 전자 소스 审中-公开
标题翻译：电子来源
公开(公告)号：KR20180031061A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR20187007328
申请日：2016-08-12
申请人： KLA TENCOR CORP
发明人： CHUANG YUNG HO ALEX , XIAOLI YINYING , LIU XUEFENG , FIELDEN JOHN
IPC分类号： H01J1/304 , H01J9/02
CPC分类号： G03F7/70008 , H01J1/304 , H01J1/34 , H01J35/065 , H01J37/073 , H01J2201/30411 , H01J2201/3048 , H01J2237/0635
摘要： 전자소스가대향하는제 1 및제 2 표면을갖는실리콘기판상에형성된다. 전자방출을향상시키기위해적어도하나의전계이미터가실리콘기판의제 2 표면상에준비된다. 실리콘의산화를방지하기위해, 얇고연속적인붕소층이산화및 결함을최소화하는공정을사용하여전계이미터의출력표면상에직접적으로배치된다. 전계이미터는피라미드및 둥근위스커와같은다양한형상을취할수 있다. 방출전류의빠르고정확한제어및 높은방출전류를달성하기위해하나또는여러개의선택적게이트층들이전계이미터팁의높이에또는그보다약간낮게배치될수 있다. 전계이미터는 p 형도핑될수 있고역 바이어스모드에서작동하도록구성될수 있거나, 전계이미터는 n 형도핑될수 있다.
摘要翻译：它被形成具有第一表面到第二mitje电子源计数器在硅衬底上。至少一个仪表jeongyeyi在硅衬底的第二表面上而制备，以增强电子发射。为了防止硅的氧化，使用最小化它直接布置在jeongyeyi米的输出表面上的薄的连续层氧化钛和硼的缺陷的方法。字段具有已经chwihalsu多种形状，如金字塔形发射器和卷曲晶须。为了实现一个或几个选择性的栅极层，发射电流的快速而精确的控制和高的发射电流可以略低于的尖端jeongyeyi微米或更小的高度被设置。 Jeongyeyi计来掺杂p型和任一被配置在反向偏置模式下操作，jeongyeyi计可以是掺杂的n型。

2. 发明公开

KR1020140100477A 홀 검사 장치 및 상기 장치를 이용한 홀 검사 방법 有权
标题翻译：孔检查装置和孔检查方法
公开(公告)号：KR1020140100477A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020147013967
申请日：2007-04-03
申请人： 씨이비티 주식회사
发明人： 김호섭
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
摘要： The present invention relates to a via hole inspection apparatus for a semiconductor device using an electron beam. More specifically, many via holes can be quickly inspected in a semiconductor device in which a current is measured because a plurality of electron beams inspected from a plurality of electron beam inspection tools pass through the semiconductor.
摘要翻译：本发明涉及一种使用电子束的半导体器件的通孔检查装置。更具体地，可以在由多个电子束检查工具检查的多个电子束通过半导体的半导体器件中快速检查许多通孔，其中测量电流。

3. 发明公开

KR1020130100191A 홀 검사 장치 및 상기 장치를 이용한 홀 검사 방법 无效
标题翻译：孔检查装置和孔检查方法
公开(公告)号：KR1020130100191A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020137017197
申请日：2007-04-03
申请人： 씨이비티 주식회사
发明人： 김호섭
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
摘要： PURPOSE: A hole inspecting device and a hole inspecting method using the same are provided to reduce the inspecting time of holes formed on an insulation layer by using a plurality of electron beam irradiating units. CONSTITUTION: An electron beam irradiating unit (100) irradiates an electron beam to inspect a hole (21) that is an inspection target. A current measuring unit measures an electron generated by the irradiation of the electron beam through a conductive layer (30) which is located under an insulation layer (20). A data processing unit processes data measured by the current measuring unit. The current value of each hole is measured according to the successive operation of an electron column through a conductive layer in the current measuring unit. The data processing unit obtains hole penetration data by using the current value measured through the conductive layer.
摘要翻译：目的：提供孔检查装置和使用其的孔检查方法，以通过使用多个电子束照射单元来减少形成在绝缘层上的孔的检查时间。构成：电子束照射单元（100）照射电子束以检查作为检查对象物的孔（21）。电流测量单元通过位于绝缘层（20）下方的导电层（30）来测量由电子束照射产生的电子。数据处理单元处理由当前测量单元测量的数据。每个孔的电流值根据电流测量单元中通过导电层的电子柱的连续操作来测量。数据处理单元通过使用通过导电层测量的电流值来获得穿孔数据。

4. 发明公开

KR1020080102232A 홀 검사 장치 및 상기 장치를 이용한 홀 검사 방법 无效
标题翻译：孔检查装置和孔检查方法
公开(公告)号：KR1020080102232A
公开(公告)日：2008-11-24
申请号：KR1020087023284
申请日：2007-04-03
申请人： 씨이비티 주식회사
发明人： 김호섭
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
摘要： A hole inspection apparatus and a hole inspection method using the same are provided to inspect many semiconductor devices within the short time by measuring the current passing through the semiconductor device. A hole inspection apparatus comprises the electron beam irradiation unit irradiating the electron beam in order to examine the object hole; the current measuring device for measuring the electronics through the conductive layer located in the lower part of hole or the conductive layer and the separate detector; the data processing unit processing the data measured from the current measuring device. The current measuring device measures the current value of holes. A plurality of electronics columns of the electron beam irradiation unit are arranged with nxm so that the shell electron column is corresponded to a plurality of holes.
摘要翻译：通过测量通过半导体器件的电流，提供了一种孔检查装置和使用该孔检查方法的孔检查方法，以在短时间内检查许多半导体器件。孔检查装置包括电子束照射单元，照射电子束以检查物体孔; 用于通过位于孔的下部的导电层或导电层和分离的检测器测量电子元件的电流测量装置; 所述数据处理单元处理从所述当前测量装置测量的数据。电流测量装置测量孔的当前值。电子束照射单元的多个电子列排列为n×m，使得壳电子柱对应于多个孔。

5. 发明公开

KR1020160102588A 나노구조 팁의 전자빔의 밀도를 향상시키는 전자방출원을 구비한 초소형전자칼럼 无效
标题翻译：具有电子发射器的微电子柱，改善了从纳米结构尖端发出的电子束的密度
公开(公告)号：KR1020160102588A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020150024732
申请日：2015-02-20
申请人： 선문대학교 산학협력단
发明人： 김호섭 , 오태식 , 김대욱 , 안승준 , 김형우
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2237/04924 , H01J2237/063 , H01J2237/06341 , H01J2237/0635 , H01J2237/083 , H01J2237/1205 , H01J1/304
摘要： 본발명은나노에서수십나노크기의튜브, 기둥또는덩어리형태의구조를가진나노구조팁을구비한초소형전자칼럼에관한것으로서, 보다구체적으로는전압을인가하면끝 부분에높은전기장이형성되어전자를용이하게방출할수 있는나노구조팁을구비하고있으며, 다른전자렌즈부품, 즉전자렌즈어퍼처홀과정렬이용이하며사용이편리한초소형전자칼럼에관한것이다. 본발명의초소형전자칼럼은나노구조팁의크기가소스렌즈의구경보다큰 것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有纳米结构的具有几纳米尺寸的管，柱或晶粒结构的微电子柱。更具体地说，本发明涉及一种微电子柱，其具有通过在施加电压时在末端形成强电场而容易地发射电子的纳米结构尖端，并且便于不同的电子透镜，即电子透镜孔孔和对齐。在本发明的微电子柱中，纳米结构尖端的尺寸大于源透镜的直径。因此，可以提高电子束的密度。

6. 发明授权

KR100686294B1 카본 나노튜브를 갖는 전자원과 그것을 이용한 전자현미경 및 전자선 묘화 장치 失效
标题翻译：具有碳纳米管的排放源，电子显微镜和使用该纳米光子的电子束光刻设备
公开(公告)号：KR100686294B1
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020030055263
申请日：2003-08-11
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 후지에다다다시 , 히다까기시오 , 하야시바라미쯔오 , 스즈끼슈이찌 , 누마따요시미찌 , 호리우찌토시아끼
IPC分类号： H01J1/304 , H01J37/26 , C01B31/02 , H01J9/02
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , H01J2237/0635 , Y10S977/876 , Y10S977/939
摘要： 카본 나노튜브와 도전성 베이스의 오오믹 콘택트를 확보할 수 있고 충분한 접합 강도를 갖는 동시에, 빔축 조정이 용이한 고신뢰성 전자원과, 그것을 이용함으로써 종래 기종과 비교하여 고분해능화, 고휘도화, 저가속 전압화에 의한 시료 손상의 저감화, 저비용화, 소형화를 실현하는 전자 현미경 및 고정세화, 고효율화, 저비용화, 소형화를 실현하는 전자선 묘화 장치를 제공한다.
도전성 베이스의 선단 중앙부에 도전성 접합 재료를 거치거나, 혹은 유기 재료를 거쳐서 카본 나노튜브를 부착한 후, 열처리에 의해 상기 유기 재료를 탄화 처리하거나, 또는 확산 접합에 의해 카본 나노튜브를 오오믹 콘택트 접합한 전자원을 전자 현미경 및 전자선 묘화 장치에 적용한다.
카본 나노튜브, 전자원, 전자총, 전자 렌즈, 대물 렌즈

7. 发明公开

KR1020050056923A 스폿 그리드 어레이 전자 이미징 시스템 无效
标题翻译：点阵阵列电子成像系统
公开(公告)号：KR1020050056923A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020047007008
申请日：2002-11-07
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 알모기,길라드 , 라체스,오렌
IPC分类号： H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J2237/024 , H01J2237/0635 , H01J2237/1503 , H01J2237/20228 , H01J2237/2817
摘要： A high data-rate electron beam spot-grid array imaging system is provided that overcomes the low resolution and severe linearity requirements of prior art systems. Embodiments include an imaging system comprising an electron beam generator for simultaneously irradiating an array of spots spaced apart from each other on a surface of an object to be imaged, and a detector for collecting backscattered and/or secondary electrons emitted as a result of the interaction of the spots with the surface of the object to form an image of the irradiated portions of the object surface. A mechanical system moves the substrate in a direction which is nearly parallel to an axis of the array of spots such that as the substrate is moved across the spot array in the scan direction (the y-direction) the spots trace a path which leaves no gaps in the mechanical cross-scan direction (the x- direction). A compensator, such as a servo or a movable mirror, compensates for mechanical inaccuracies in the moving stage, thereby increasing imaging accuracy. In other embodiments, multiple detectors placed at different angles to the substrate collect electrons to provide multiple perspective imaging of the substrate surface.
摘要翻译：提供了一种高数据速率电子束点阵阵列成像系统，其克服了现有技术系统的低分辨率和严格的线性要求。实施例包括一种成像系统，包括电子束发生器，用于同时照射待成像物体的表面上彼此间隔开的点阵列，以及用于收集由于相互作用而发射的反向散射和/或二次电子的检测器具有物体表面的斑点以形成物体表面的照射部分的图像。机械系统使基板沿着几乎平行于点阵列的轴线的方向移动，使得当基板在扫描方向（y方向）上移动穿过光点阵列时，斑点追踪不留下的路径机械横向扫描方向（x方向）的间隙。诸如伺服或可移动镜的补偿器补偿了移动台中的机械不准确度，从而提高了成像精度。在其他实施例中，以与衬底不同的角度放置的多个检测器收集电子以提供衬底表面的多个透视成像。

8. 发明公开

KR1020030028460A 다축전자렌즈를 이용한 멀티 빔 노광 장치,다축전자렌즈의 제조방법, 반도체소자 제조방법 无效
标题翻译：使用多轴电子透镜的多光束曝光设备，制造多轴电子透镜的方法以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020030028460A
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：KR1020027013241
申请日：2001-03-22
申请人： 주식회사 아도반테스토
发明人： 하마구치신이치 , 하라구치타께시 , 야스다히로시
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3177 , H01J2237/0635 , H01J2237/1205
摘要： 전자빔에 의해 웨이퍼를 노광하는 전자빔 노광장치에 있어서, 복수의 전자빔을 독립적으로 집속하는 다축전자렌즈와, 웨이퍼에 복수의 전자빔을 조사할 것인지 아닌지를 전자빔마다 독립적으로 절체하는 조사절체수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치를 제공한다. 당해 조사절체수단은 블랭킹 전극 어레이 또는 블랭킹 애퍼쳐 어레이 디바이스를 포함하는 것이 바람직하다.

9. 发明公开

KR1020090119778A 면 방출형 전자원 및 묘화 장치 失效
标题翻译：表面发射型电子源和绘图装置
公开(公告)号：KR1020090119778A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020097020219
申请日：2008-04-23
申请人： 크레스텍 코포레이션
发明人： 코지마,아키라 , 오이,히데유키
IPC分类号： H01J1/30 , H01J37/073
CPC分类号： H01J37/073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/3174 , H01J2201/312 , H01J2237/0635
摘要： A surface emission type electron source comprises a planar first electrode, a planar second electrode provided in opposition to the first electrode, an electron passage layer provided between the first electrode and the second electrode, and a power section for applying voltage to the second electrode and the first electrode. In the electron passage layer, a plurality of quantum wires extending in a first direction heading for the second electrode from the first electrode are provided with a predetermined gap therebetween. Electrons are emitted from the surface of the second electrode. The quantum wire is composed of silicon. In the quantum wire, a plurality of portions whose thickness is thin are formed with a predetermined gap therebetween in the first direction.
摘要翻译：表面发射型电子源包括平面第一电极，与第一电极相对设置的平面第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层，以及用于向第二电极施加电压的功率部分，第一个电极。在电子通过层中，从第一电极朝第二电极的第一方向延伸的多个量子线在它们之间设置有预定的间隙。电子从第二电极的表面发射。量子线由硅组成。在量子线中，厚度薄的多个部分在第一方向上以规定的间隔形成。

10. 发明授权

KR100562701B1 전자 소스 및 이를 이용한 구멍의 오픈 불량 검사 장치와방법 失效
标题翻译：用于检查使用其的孔的非开放的电子源，装置和方法
公开(公告)号：KR100562701B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020040000854
申请日：2004-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤영지 , 전충삼 , 전상문
IPC分类号： H01L21/66 , B82Y35/00
CPC分类号： B82Y10/00 , G01R31/307 , H01J1/3042 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , H01J2237/0635 , H01J2237/2594
摘要： 구멍의 오픈 불량 검사 장치는 다수의 구멍들이 형성된 검사 대상체가 안치되는 애노우드 전극을 포함한다. 전자를 방출하는 캐소우드 전극이 애노우드 전극 상부에 배치된다. 캐소우드 전극으로부터 방출된 전자를 미세한 간격으로 배열된 직진성의 전자빔으로 전환시키는 다발형 나노튜브가 캐소우드 전극의 하부에 검사 대상체의 정면을 향해서 배치된다. 전류계가 각 구멍들로부터 검사 대상체의 배면을 통해 누설되는 전류를 측정한다. 미세한 직경을 가지면서 미세 간격으로 배열된 구멍들에 전자빔이 균일하게 조사될 수가 있게 되므로, 검사 대상체의 전면에 대해서 구멍의 오픈 불량 검사를 실시할 수가 있게 된다.

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