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1. 发明授权

KR102473026B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102473026B1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：KR1020210176716
申请日：2021-12-10
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 처리대상이되는기판의종류에상관없이, 노즐로부터의처리액의토출을확실하게검출할수 있는기판처리장치및 기판처리방법을제공하는것으로서, 상면처리액노즐(30)은, 스핀척(20)에유지된기판(W)의상방의처리위치와처리컵(40)보다도외측의대기위치의사이에서왕복이동한다. 처리위치로이동한상면처리액노즐(30)이처리액을토출하기전에카메라(70)가상면처리액노즐(30)의선단을포함하는촬상영역을촬상하여토출기준화상을취득한다. 그후, 카메라(70)가연속하여촬상영역을촬상하여취득한복수의감시대상화상과토출기준화상을순차적으로비교하여상면처리액노즐(30)로부터의처리액토출을판정한다. 새로운처리대상이되는기판(W)을처리할때마다토출기준화상을취득하고있으므로, 감시대상화상및 토출기준화상의쌍방의배경으로서비치는기판표면의영향을배제하여처리액의토출을확실하게검출할수 있다.

2. 发明授权

KR102472309B1 검사를 위한 모드 선택 有权
公开(公告)号：KR102472309B1
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：KR1020207030456
申请日：2019-03-28
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66
摘要： 샘플검사모드를선택하기위한방법과시스템이제공된다. 하나의방법은검사서브시스템의하나이상의모드에서관심결함들(defects of interest)(DOIs)과뉴슨스들(nuisances)을어떻게분리가능할지결정하는것을포함한다. 상기 DOIs 및뉴슨스들에대한모드의가분성(separability)은동일한유형의다른샘플들을검사하기위해모드의서브세트를선택하는데사용된다. 모드의성능에대한다른특성은모드를선택하기위한상기가분성과함께사용될수 있다. 또한, 가분성에기초하여선택된모드의서브세트는상기모드의최종서브세트를결정하기위해추가분석이수행되는모드의초기서브세트일수 있다.

3. 发明授权

KR102471585B1 마이크로 LED 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 LED 검사시스템 有权
公开(公告)号：KR102471585B1
公开(公告)日：2022-11-28
申请号：KR1020180040375
申请日：2018-04-06
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/66
摘要： 본발명은현재까지제안된마이크로 LED의전사헤드의문제점을해결하고마이크로 LED 전사에이용될수 있는진공흡착의구조를채택한마이크로 LED 흡착체및 이를이용한마이크로 LED 검사시스템에관한것이다.

4. 发明授权

KR102471280B1 반도체 제조 장치 및 기판 반송 방법 有权
公开(公告)号：KR102471280B1
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：KR1020160081350
申请日：2016-06-29
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 본발명은기판반송장치의분위기를양호하게하는것을목적으로한다. 기판을반송하는반송실과, 기판에처리를실시하는처리실을가지며, 상기반송실은해당반송실의오염상태를검출하는오염모니터를가지는기판반송장치가제공된다.

5. 发明授权

KR102470897B1 실리콘 기판의 분석방법 有权
公开(公告)号：KR102470897B1
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：KR1020207031993
申请日：2019-04-08
IPC分类号： G01N27/62 , G01N27/623 , G01N1/32 , C30B29/06 , C30B33/08 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/66
摘要： 본발명은막두께가두꺼운질화막이성막된실리콘기판에있어서의미량금속등의불순물을, ICP-MS에의해고정밀도로분석가능한실리콘기판의분석방법을제공한다. 본발명은로드포트, 기판반송로봇, 얼라이너, 건조실, 기상분해챔버, 분석스테이지및 기판분석용노즐을갖는분석스캔포트, 분석액채취수단, 유도결합플라즈마분석하는분석수단을구비하는실리콘기판용분석장치를사용한분석방법으로서, 질화막이성막된실리콘기판을, 기판분석용노즐에의해불화수소산과과산화수소수의혼합액의회수액으로실리콘기판표면을소인회수하고, 그후 회수액을실리콘기판표면에토출하여가열건조하고, 강산용액또는강알칼리용액을토출하여가열건조해서, 분석액에의해실리콘기판표면을소인하여회수하고, 분석액을 ICP-MS로분석하는것을특징으로한다.

6. 发明授权

KR102469634B1 반도체 공정의 기판 불량 검출 시스템 有权
公开(公告)号：KR102469634B1
公开(公告)日：2022-11-23
申请号：KR1020200060240
申请日：2020-05-20
IPC分类号： H01L21/66 , G01J3/46
摘要： 본발명은반도체공정의기판불량검출시스템에관한것이다. 본발명은기판에대한반도체공정이수행되는반도체장비, 상기반도체장비의내부에설치되어상기기판을촬영하여이미지정보를획득하는이미지정보획득부, 원격지에설치된상위제어기로부터전달받은공정레시피정보(process recipe information)에따라상기반도체장비의동작을제어하고상기이미지정보획득부로부터상기기판의이미지정보를전달받는장비제어기및 상기장비제어기와상기상위제어기간의통신을후킹(hooking)하여상기기판의로트아이디(Lot ID)와공정레시피정보및 후킹시점의이미지정보를획득하고, 상기후킹시점의이미지정보와기준데이터베이스에저장되어있는기준정보를비교하여상기기판의불량여부를판단하는기판불량판단기를포함한다. 본발명에따르면, 반도체공정중에서용액을사용하여기판에대한식각, 세정등을수행하는습식공정에서기판의색상변화를공정시간의흐름에따라분석하여기판에불량이발생하였는지여부를실시간으로검출할수 있다.

7. 发明授权

KR102468977B1 고처리율 전자 빔 장치를 위한 열 확산 블랭킹 시스템 有权
公开(公告)号：KR102468977B1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：KR1020187022825
申请日：2017-01-05
IPC分类号： H01L21/66 , G03F1/86 , G03F7/20
摘要： 전자빔 장치는구경조리개상의열을고르게확산시킴으로써구경조리개상으로고전력열을침투시켜서발생하는블랭킹문제를해결한다. 상기장치는구경조리개및 구경조리개상으로전자빔을편향시키는디플렉터를포함할수 있다. 전자빔은구경주위에서패턴으로구경조리개에지향된다. 패턴은원형, 정사각형또는다각형일수 있다. 패턴은또한구경에대해가변궤적을포함할수 있다.

8. 发明授权

KR102468971B1 모델 기반 단일 파라미터 측정 有权
公开(公告)号：KR102468971B1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：KR1020177030498
申请日：2016-03-23
IPC分类号： G01B11/06 , G01B11/24 , G01N21/00 , H01L21/66
摘要： 부수적모델파라미터와연관된측정신호정보로부터관심파라미터와연관된측정신호정보를격리하기위해파라미터격리모델을구성(build)하고사용하기위한방법및 시스템이본 명세서에제시되어있다. 파라미터격리모델은복수의부수적모델파라미터의공지의값 및관심파라미터의공지의값을갖는계측타겟의제1 세트의인스턴스, 및복수의부수적모델파라미터의공칭값및 관심파라미터의공지의값을갖는계측타겟의제2 세트의인스턴스와연관된측정신호를맵핑함으로써트레이닝된다. 트레이닝된파라미터격리모델은원시측정신호를수신하고모델기반파라미터추정을위한특정관심파라미터와연관된측정신호정보를격리한다. 측정모델의부동(floating) 파라미터의수는감소되어, 연산노고의상당한감소를야기한다.

9. 发明授权

KR102463962B1 스캐닝 전자 현미경 빔 왜곡에 따른 계측 오차에 대한 디자인을 이용한 보상 有权
公开(公告)号：KR102463962B1
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：KR1020207022217
申请日：2019-01-03
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 계측동작에사용되는이미지에서의불균일성을정량화및 보정하기위한방법및 시스템이개시된다. 웨이퍼의계측영역이미지와디자인클립이사용될수 있다. 계측영역이미지는스캐닝전자현미경이미지일수 있다. 디자인클립은웨이퍼의디자인클립이거나합성디자인클립일수 있다. 전자빔왜곡을포함하는툴 왜곡을정량화하고보정할수 있다. 디자인클립은계측영역이미지에적용되어하나이상의공정변화변이가억제되고하나이상의툴 왜곡이개선되도록합성이미지를획득할수 있다.

10. 发明授权

KR102462520B1 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR102462520B1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：KR1020217001451
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , C23C14/08 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L29/24 , H01L29/04
摘要： 결정부를포함하고매우안정한물성을갖는금속산화물막이제공된다. 결정부의크기는 10 nm 이하이고, 이는측정범위가 5 nmφ이상 10 nmφ이하인경우금속산화물막의단면의나노빔전자회절패턴에서원주상으로배치된스폿의관찰을가능하게한다.

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