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1. 发明授权

KR101828108B1 묘화방법 및 묘화장치 有权
标题翻译：绘图方法和绘图设备
公开(公告)号：KR101828108B1
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020137006217
申请日：2011-07-27
申请人： 니폰 컨트롤 시스템 가부시키가이샤
发明人： 츠노다다이 , 쇼지마사히로 , 츠노에히로유키 , 하다슈지 , 사토아유코
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31769 , H01J2237/31776 , H01L21/263
摘要： 분할한각 영역마다축적에너지를구하고, 그구한축적에너지를이용하여켤레기울기법에의하여전자빔의최적조사량을구한다. 그때, 행렬 A를계수로하는연립일차방정식 Ax=b의해를구하는켤레기울기법에따르는반복계산순서중 행렬식 Ap의계산이포함되는순서에있어서, 행렬식 Ap의계산을실시하는대신에상기구한축적에너지를이용한다. 이리하여, 행렬식 Ap의값을축적에너지로관리하여, 켤레기울기법에따르는반복계산순서에의하여전자빔의최적조사량을구하도록하면, 회로패턴의미세화에따른다수의요소로이루어진거대한행렬 A를관리하여 Ap의계산을일부러실시할필요가없고, 고속의처리속도로, 또한정밀도높게전자빔의최적조사량을구할수 있게된다.
摘要翻译：对于每个分割区域获得累积能量，并且利用所获得的累积能量通过共轭梯度法获得电子束的最佳剂量。然后，在评估序列的重复顺序的矩阵A根据共轭梯度法包含行列式鸭uigye酸通过联立线性方程Ax = b的一个因数获得的，上述的代替进行计算行列式的鸭获得的累积能量使用。因此，基质鸭由蓄积的能量，一对如果通过迭代计算过程根据所述倾斜机构管理uigap以获得电子束的最佳剂量，通过管理是按照电路图案巨大矩阵A的由多个AP的元件的小型化没有必要有意地进行计算，并且可以以高处理速度和高精度获得电子束的最佳剂量。

2. 发明公开

KR1020160124811A 오버랩 도즈 및 피처 감소에 의한 개선된 스티칭 审中-实审
标题翻译：通过重叠剂量和特征减少增强刺绣
公开(公告)号：KR1020160124811A
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020167025421
申请日：2015-02-18
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 빌란트,마르코
IPC分类号： G03F1/78 , G06F17/50 , G03F7/20 , G03B27/42 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01L21/263
CPC分类号： G06F17/5081 , G03B27/42 , G03F1/78 , G03F7/2059 , G03F7/70475 , H01J37/3026 , H01J37/3177 , H01J2237/31769 , H01L21/263 , H01J37/317
摘要： 복수의충전된입자빔들(24)을사용하여타겟(30) 상에패턴을노출하기위한노출데이터(40)를프로세싱하기위한방법이제공되고, 노출데이터는타겟(30) 상에라이팅될하나또는그 초과의피처들(60)을표현하는패턴데이터(48a; 48ab; 48b) 및충전된입자빔들의노출도즈를설명하는노출도즈데이터(58a; 56ab; 58b)를포함한다. 방법은, 타겟의오버랩영역(36)의포지션에대응하는도즈값들의합(72)이인접한서브영역들(34)이오버랩하지않는타겟의비오버랩영역들(38)에대한최대도즈값을초과하도록노출도즈데이터의하나또는그 초과의도즈값들(70a; 70b)을설정하는단계, 및패턴데이터를복수의서브-섹션들(44)로나누는단계― 서브-섹션들각각은타겟(30)의대응하는서브-영역(34)에라이팅될패턴의부분을설명하는패턴데이터를포함하고, 패턴데이터는인접한서브-영역들(34)이오버랩하는타겟의대응하는오버랩영역(36)에라이팅될패턴의부분을설명하는오버랩패턴데이터(46ab)를포함함―, 및오버랩패턴데이터에의해설명되는하나또는그 초과의피처들(60)의사이즈(62)를감소시키기위하여오버랩패턴데이터(46ab)를프로세싱하는단계를포함한다.

3. 发明公开

KR1020160114544A 기판 표면 상의 금속 오염을 감소시키는 방법 审中-实审
标题翻译：减少基材表面金属污染的方法
公开(公告)号：KR1020160114544A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020160035557
申请日：2016-03-24
申请人： 소이텍
发明人： 바르제티에리
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/86 , H01L21/02046 , H01L21/2011 , H01L21/263 , H01L21/76251 , H01L29/0649 , H01L21/3065 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/187 , H01L21/324
摘要： 본발명은기판의표면상의금속오염을감소시키는방법에관한것으로, 이온충격에의한기판표면의플라즈마처리를포함하고, 공급된가스의플라즈마가생성되고, 플라즈마내 이온의충격에너지는무선주파수전자기장에의해제어된다. 이온의충격에너지는금속오염을제거하기위해제 1 임계값보다크며, 이온의충격에너지는기판표면의표면품질저하를방지하기위해제 2 임계값보다낮다.

4. 发明公开

KR1020160083654A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160083654A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020147022890
申请日：2013-11-08
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 우사미,다쯔야 , 미우라,유끼오 , 츠찌야,히데아끼
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/311
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/02074 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L21/3105 , H01L21/31144 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76859 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Cu 배선을구비한반도체장치의 TDDB 수명을향상시킨다. 반도체장치는층간절연막(INS2)과, 층간절연막(INS2) 내부에형성된인접하는 Cu 배선(M1W)들과, 층간절연막(INS2) 표면및Cu 배선(M1W)들표면과접하며또 층간절연막(INS2) 및 Cu 배선(M1W)들을피복하는절연성배리어막(BR1)을가진다. 그리고, 인접하는 Cu 배선(M1W)들간에있어서층간절연막(INS2)은그 표면에대미지층(DM1)을가지고, 대미지층(DM1)보다깊은위치에대미지층(DM1)의질소농도보다높은질소농도를가지는전계완화층(ER1)을구비한다.
摘要翻译：由此改善具有Cu布线的半导体器件的TDDB寿命。该半导体装置是在其中形成的层间绝缘膜（INS2）和层间绝缘膜（INS2）邻接的Cu布线（M1W）和层间绝缘膜（INS2）表面和Cu线（M1W）表面和切线进一步的层间绝缘膜（INS2）并覆盖Cu布线M1W的绝缘阻挡膜BR1。并且，氮比层间绝缘膜（INS2）的氮浓度的高浓度对eungeu表面（DM1），损伤比在Cu布线（M1W）之间的邻近所述损伤层（DM1）层（DM1）更深位置的损伤层并有一个电场减少层（ER1）。

5. 发明公开

KR1020160058816A 기판 본딩 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于粘接基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160058816A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020167008064
申请日：2013-09-25
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 윔플링게르,마르쿠스 , 드라고이,비오렐 , 플뢰트젠,크리스토프
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/263 , H01L21/67092
摘要： 본발명은제 1 기판(1)의본딩측부와제 2 기판(14)의본딩측부사이에서전기전도성직접본드를생성하기위한장치및 대응방법에관한것이며, 환경에대해기밀식으로닫힐수 있는작업공간(22)을포함하고, 상기작업공간(22)은, a) 본딩측부들중 적어도하나를변형하기위한적어도하나의플라즈마챔버(4)와, 본딩측부들을본딩하기위한적어도하나의본딩챔버(5)를, 및/또는, b) 본딩측부들중 적어도하나를변형하기위한, 그리고본딩측부들을본딩하기위한, 적어도하나의조합된본딩/플라즈마챔버(20)를포함한다.

6. 发明授权

KR101554430B1 전기적으로 구동되는 반도체 기반의 적외선 열 복사 장치 有权
标题翻译：基于半导体的电驱动红外热辐射器
公开(公告)号：KR101554430B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020140084931
申请日：2014-07-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 유경식 , 유종범
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/263 , H01L21/28525 , H01L21/32055
摘要： 전기적으로 구동되는 반도체 기반의 적외선 열 복사 장치가 개시된다. 적외선 열 복사 장치는, 기판, 기판 위에 형성되는 제1 유전체막, 제1 유전체막 위에 형성되는 반도체막, 및 반도체막 위에 형성되는 제2 유전체막을 포함할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种基于半导体的电驱动红外热辐射器。红外热辐射体包括基板，形成在基板上的第一电介质层，形成在第一电介质层上的半导体层和形成在半导体层上的第二电介质层。

7. 发明授权

KR101524839B1 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：颗粒光束写入装置和颗粒束写入方法
公开(公告)号：KR101524839B1
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130131460
申请日：2013-10-31
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 고미사오리 , 사카이유스케
IPC分类号： H01J37/06 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/31764 , H01L21/263
摘要： 본발명의일태양의하전입자빔묘화장치는, 복수의도형패턴을가지는칩을포함하는영역이메시형상의복수의메시영역으로가상분할된메시영역마다당해칩에관한파라미터를정의한맵을작성하는맵 작성부와, 칩의칩 중심, 또는상술한영역의영역중심을축으로하여당해칩의칩 데이터의반전과회전중 적어도 1개의데이터처리를행할경우, 맵의메시영역마다정의된파라미터들을데이터처리후의도형패턴의위치에대응시켜교체하는교체부와, 하전입자빔을이용하여, 반전과회전중 적어도 1개의데이터처리가행해진칩 내의도형패턴을시료에묘화하는묘화부를구비한것을특징으로한다.

8. 发明授权

KR101412978B1 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：多带电粒子束绘制设备和多带电粒子束绘制方法
公开(公告)号：KR101412978B1
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020120096304
申请日：2012-08-31
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 요시카와료이치 , 오가사와라무네히로
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31766 , H01L21/263 , H01L21/2633 , H01L21/3085
摘要： 광학계의 변형 등에 의한 멀티빔의 조사 위치의 이탈에 의한 패턴 치수의 변동을 억제하는 묘화 장치를 제공한다. 묘화 장치(100)는 XY 스테이지(105)와 전자총(201)과 복수의 홀을 가지고, 전자빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티빔을 형성하는 애퍼처 부재(203)와, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭킹 플레이트(204)와, 각 빔의 시료 상의 각각의 조사 위치에, 각 빔을 모아서 편향하는 편향기(208)와, 서로 상이한 홀을 통과한 복수의 빔끼리를 시료 상에서 소정의 제어 그리드 간격으로 묘화 처리를 진행시키도록 제어하는 묘화 처리 제어부(18)와, 묘화되는 빔끼리의 간격이 상기 제어 그리드 간격으로부터 이탈할 경우, 이탈량에 따라, 이탈에 관여하는 빔의 조사량을 가변으로 제어하는 조사량 제어부(16)를 구비한 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明提供一种成像装置，其抑制由于光学系统等的变形引起的多光束的照射位置的偏差而引起的图案尺寸的变化。绘图设备100包括具有XY平台105，电子枪201和多个孔的孔径构件203，多个电子束各自穿过孔构件203以形成多光束，执行消隐板204，每个样品上的每个束的照射位置，并收集每个波束预定的控制栅，偏转器208和，多个通过彼此不同的孔传递到偏压样品上的光束之间的以及控制单元，用于当待绘制的光束之间的间隔偏离控制栅格间隔时，根据偏差量来控制涉及偏差的光束的照射量可变并且照射量控制单元（16）

9. 发明公开

KR1020140063742A 박리에 의해 분리될 복합 구조를 제조하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：用于制备通过分离分离的复合结构的方法
公开(公告)号：KR1020140063742A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020147008089
申请日：2012-07-18
申请人： 소이텍
发明人： 피게크리스토프 , 구델크리스토프
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02345 , H01L21/263 , H01L21/304 , H01L21/3105 , H01L21/76254 , H01L23/564 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 조사에 의해 분리될 층(215)을 포함하는 복합 구조(225)를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(205); 분리될 층(215); 및 분리될 층과 지지 기판 사이에 개재된 분리층(210)을 포함하는 스택의 형성을 포함하고, 분리층은 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선(222a)의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있고, 이 방법은 복합 단계를 형성하기 위한 단계 동안, 지지 기판과 분리층 사이의 계면에서의 또는 지지 기판의 상면(205a) 위에서의 반사 광학 특성들을 수정하는 처리 단계를 더 포함한다.

10. 发明公开

KR1020140035260A 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：反应管，基板加工装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020140035260A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020130108258
申请日：2013-09-10
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 오카다사토시 , 타카기코스케 , 카가유키나오
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/263 , C23C16/34 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45546
摘要： The present invention provides a reaction tube capable of improving uniformity in the surface of a substrate and between the surfaces and improving gas flow by preventing the gas uniformity failure of the TOP region of a reaction tube, a substrate processing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device. In a tube-type reaction tube which receives staked substrates, a tube part; and a ceiling part which covers the upper part of the tube part and has an actually flat inner ceiling surface. The reaction tube which has the thickness of the sidewall of the ceiling part which is greater than that of the tube part is provided.
摘要翻译：本发明提供一种反应管，其能够通过防止反应管的TOP区域的气体均匀性破坏，基板处理装置和制造方法来提高基板的表面和表面之间的均匀性，并改善气体流动半导体器件。在管式反应管中，接收经浸渍的基材，管部分; 以及覆盖管部的上部并具有实际上平坦的内部天花板表面的顶板部。提供具有天花板部分的侧壁的厚度大于管部分的反应管的反应管。

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