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1. 发明申请

WO2009067969A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发光元件和辐射分量
公开(公告)号：WO2009067969A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001734
申请日：2008-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , STRAUSS, Uwe
发明人： BRICK, Peter , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0035 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/204 , H01S5/3095 , H01S5/32 , H01S5/3215 , H01S5/4043 , H01S2301/18 , H01S2301/185 , H01S2301/206
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (1) angegeben, bei dem ein Feldverlauf eines Nahfelds (101, 201) in einer senkrecht zu einer Hauptabstrahlungsachse des Bauelements verlaufenden Richtung vorgegeben wird. Aus dem Feldverlauf des Nahfelds wird entlang dieser Richtung ein Brechungsindexprofil (111, 211, 511) ermittelt. Für das Bauelement wird ein Aufbau ermittelt, sodass das Bauelement das zuvor bestimmte Brechungsindexprofil aufweist. Das Bauelement wird gemäß dem zuvor bestimmten Aufbau ausgebildet. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种制造在其中的近场（101，201）的场配置的方向被定义发射辐射的元件（1）的方法，在垂直于组件的方向的辐射的主轴线。从近场的场图形，折射率分布（111，211，511）沿该方向确定。对于设备，被确定的结构，使得该组件具有先前确定的折射率分布。该器件形成于根据预定的结构。此外，发射辐射的元件被指定。

2. 发明申请

WO2013173797A1 DIRECTLY MODULATED LASER FOR PON APPLICATION 审中-公开
标题翻译：用于PON应用的直接调制激光
公开(公告)号：WO2013173797A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/US2013/041712
申请日：2013-05-17
申请人： FINISAR CORPORATION
发明人： MATSUI, Yasuhiro
IPC分类号： G02B26/00 , G02B26/08
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/1221 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/3415 , H01S5/3416 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H04B10/504
摘要： In an embodiment, a distributed Bragg reflector (DBR) laser includes a gain section and a passive section. The gain section includes an active region, an upper separate confinement heterostructure (SCH), and a lower SCH. The upper SCH is above the active region and has a thickness of at least 60 nanometers (nm). The lower SCH is below the active region and has a thickness of at least 60 nm. The passive section is coupled to the gain section, the passive section having a DBR in optical communication with the active region.
摘要翻译：在一个实施例中，分布式布拉格反射器（DBR）激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区，上分离限制异质结构（SCH）和下SCH。上层SCH高于有源区，其厚度至少为60纳米（nm）。较低的SCH低于有源区，并具有至少60nm的厚度。无源部分耦合到增益部分，无源部分具有与有源区域光学通信的DBR。

3. 发明申请

WO2009148204A1 LIGHT GENERATING DEVICE INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF DETERMINING COMPOUND RATIO OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FOR LIGHT GENERATING DEVICE 审中-公开
标题翻译：包括化合物半导体的发光装置和用于确定用于发光装置的化合物半导体的化合物比例的方法
公开(公告)号：WO2009148204A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/KR2008/005929
申请日：2008-10-09
申请人： WOOREE LST CO., LTD. , AHN, Do-Yeol , PARK, Seoung-Hwan , JANG, Jung-Tae
发明人： AHN, Do-Yeol , PARK, Seoung-Hwan , JANG, Jung-Tae
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0035 , H01S5/34333
摘要： A method of manufacturing a light generating device with required wavelength is disclosed. According to the method, a) a required wavelength is determined. b) A polar angle and an azimuthal angle corresponding to the required wavelength in a nitride semiconductor are determined. Then, c) a nitride semiconductor crystal is grown according to the polar angle and the azimuthal angle. Therefore, a light generating device with required wavelength may be manufactured without adjusting amounts of elemsnts of compound semiconductor.
摘要翻译：公开了一种制造具有所需波长的发光装置的方法。根据该方法，a）确定所需的波长。 b）确定对应于氮化物半导体中所需波长的极角和方位角。然后，c）根据极角和方位角生长氮化物半导体晶体。因此，可以在不调整化合物半导体的电子量的情况下制造具有所需波长的发光装置。

4. 发明申请

WO2009039808A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发光元件和辐射分量
公开(公告)号：WO2009039808A2
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001377
申请日：2008-08-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter
发明人： BRICK, Peter
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0035 , H01S5/1064 , H01S5/2004 , H01S5/22 , H01S5/3095 , H01S2301/18 , H01S2301/206
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (1) angegeben. Eine Abstrahlcharakteristik im Fernfeld wird vorgegeben. Aus der vorgegebenen Abstrahlcharakteristik wird ein Brechungsindexprofil für das strahlungsemittierende Bauelement (1) in einer senkrecht zu einer Hauptabstrahlungsrichtung des Bauelements verlaufenden Richtung ermittelt. Ein Aufbau für das Bauelement wird ermittelt, sodass das Bauelement das zuvor bestimmte Brechungsindexprofil aufweist. Das Bauelement (1) wird gemäß dem zuvor bestimmten Aufbau ausgebildet. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种制造发射辐射的元件（1）的方法。在远场中的辐射被设置。从预定辐射图案，所述辐射发射元件（1）的折射率分布是在沿垂直于部件的方向的主发射方向确定。被确定用于所述部件的结构，使得组件具有先前确定的折射率分布。组分（1）被形成在按照预定的结构。此外，发射辐射的元件被指定。

5. 发明申请

WO2019118408A1 DYNAMIC LASER DIODE COMPENSATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2019118408A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/US2018/064876
申请日：2018-12-11
申请人： MICROVISION, INC.
发明人： MCVITTIE, Patrick J.
IPC分类号： H01S5/068 , H01S5/00 , H01S5/06 , H01S5/0683
CPC分类号： H01S5/06812 , H01S5/0021 , H01S5/0035 , H01S5/0617 , H01S5/06216 , H01S5/06825 , H01S5/06832 , H01S5/06835 , H01S2301/06
摘要： A laser drive circuit (700) compensates for laser diode (110) dynamics. A compensation value is determined from a sum of weighted basis functions. The basis functions may be a function of current desired optical powers and/or past desired optical powers. The weights may be updated periodically based at least in part on accumulated basis function outputs and measured optical powers.

6. 发明申请

WO2013121927A1 半導体素子审中-公开
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：WO2013121927A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/JP2013/052566
申请日：2013-02-05
申请人：ソニー株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：田才　邦彦 , 中島　博 , 風田川　統之 , 簗嶋　克典 , 塩谷　陽平 , 熊野　哲弥 , 京野　孝史
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0035 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34333
摘要：　六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板と、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１－ｘ１－ｙ１Ｎ（ｘ１＞０、ｙ１＞０）からなる第１導電型の第１クラッド層と、Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１－ｘ２－ｙ２Ｎ（０≦ｘ２≦０．０２、０．０３≦ｙ２≦０．０７）からなる第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に形成される発光層とを有し、前記半導体基板の半極性面上に形成されたエピタキシャル層と、を備える半導体素子。
摘要翻译：一种半导体元件，包括：具有由六方晶III族氮化物半导体形成的半极性表面的半导体衬底; 由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N（其中x1> 0和y1> 0）形成的第一导电类型的第一包层; 由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N（其中0 <= x2 <= 0.02和0.03 <= y2 <= 0.07）形成的第二导电类型的第二覆层; 以及形成在第一包层和第二包层之间的发光层。该半导体元件设置有形成在半导体基板的半极性表面上的外延层。

7. 发明申请

WO2010127060A1 FOLDED LASERS SYSTEM 审中-公开
标题翻译：折叠激光系统
公开(公告)号：WO2010127060A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/US2010/032882
申请日：2010-04-29
申请人： CORNING INCORPORATED , ALMORIC, Etienne , GOLLIER, Jacques , HUGHES, Lawrence C. Jr. , PIECH, Garrett A
发明人： ALMORIC, Etienne , GOLLIER, Jacques , HUGHES, Lawrence C. Jr. , PIECH, Garrett A
IPC分类号： H01S3/081
CPC分类号： H01S5/02252 , G02F1/3775 , H01S5/0035 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/0427 , H01S5/1085
摘要： A folded laser system having an optical axis, the laser system comprising: (I) a coherent light source; (II) a reflector; (III) a lens component situated between the light source and the reflector; and (IV) a non-linear optical crystal, wherein the light source and the non-linear optical crystal are separated by a distance d>50µm. The lens component is positioned to provide a collimated beam when intercepting light from the light source, such that the collimated beam is at an angle Θ' to the optical axis, the reflector is situated to intercept the collimated beam and to reflect the collimated beam to the non-linear optical crystal through the lens; and the lens component is structured to provide an image on the non-linear optical crystal.
摘要翻译：一种具有光轴的折叠激光系统，所述激光系统包括：（I）相干光源; （II）反射器; （III）位于光源和反射器之间的透镜部件; 和（IV）非线性光学晶体，其中光源和非线性光学晶体分开距离d>50μm。透镜部件被定位成当截取来自光源的光时提供准直光束，使得准直光束与光轴成角度T'，反射器被定位成拦截准直光束并将准直光束反射到非线性光学晶体通过透镜; 并且透镜部件被构造成在非线性光学晶体上提供图像。

8. 发明申请

WO2019068554A1 WAVEGUIDE HETEROSTRUCTURE FOR DISPERSION COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2019068554A1
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：PCT/EP2018/076281
申请日：2018-09-27
申请人： ETH ZURICH
发明人： FAIST, Jérôme , BIDAUX, Yves , KAPSALIDIS, Filippos
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/3211 , H01S5/0035 , H01S5/1032 , H01S5/227 , H01S5/3401 , H01S5/3412
摘要： A waveguide heterostructure (0) for a semiconductor laser with an active part (I), comprising an active region layer (3) depending of the type of semiconductor used, surrounded in direction of a growth axis (G) by at least an active part bottom cladding (30) and an active part top cladding (31), wherein the active part (I) is sandwiched between an electrode layer (1) and a substrate (2), usable for dispersion compensation in a semiconductor laser frequency comb setup, should be optimized in order to lower the group velocity dispersion in a broad spectral range. This is reached by introducing a passive part (II), comprising at least a intercladding layer (40) and a passive top cladding (41) surrounding a passive core layer (4) inserted into the sandwich between substrate (2) and electrode layer (1) in direction of a growth axis (G) on top or below the active part (I), wherein the intercladding layer (40), passive part top cladding (41) and passive core layer (4) are semiconductors and the refractive indices of active region layer (3, (n(3)) and passive core layer (4, (n(4)) are greater than refractive indices of intercladding layer (40, n(40)) and passive part top cladding (41, n(41)).

9. 发明申请

WO2016206570A1 一种短腔长的分布反馈激光器审中-公开
公开(公告)号：WO2016206570A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/CN2016/086143
申请日：2016-06-17
申请人：华中科技大学
发明人：国伟华 , 赵龚媛 , 陆巧银
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S3/0675 , H01S3/0623 , H01S3/0635 , H01S3/10023 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S5/0035 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/16
摘要：一种短腔长分布反馈激光器，包含有增益区（1）和反射区（2）两个部分：增益区上存在金属电极，需要注入电流，给激光器提供增益；增益区的光栅层（5）为含有相移区的分布反馈布拉格光栅；增益区的一端为反射区，反射区含有与增益区相同的芯层结构，即波导传输层同样为有源量子阱材料，但是反射区不注入电流；反射区的光栅层为均匀分布的布拉格光栅；反射区的外端面镀增透膜或采用抗反射的结构来降低反射；增益区的另外一端为激光器的输出端面，输出端面镀有增透膜以减小反射。这样，可以使得激光器在腔长短时仍然具有较低的阈值增益和好的边模抑制比，同时具有制作难度小的特点。

10. 发明申请

WO2010120372A3 LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR METHODS AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：发光半导体方法和器件
公开(公告)号：WO2010120372A3
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/US2010001133
申请日：2010-04-16
申请人： UNIV ILLINOIS , QUANTUM ELECTRO OPTO SYS SDN , WALTER GABRIEL , FENG MILTON , HOLONYAK NICK , THEN HAN WUI , WU CHAO-HSIN
发明人： WALTER GABRIEL , FENG MILTON , HOLONYAK NICK , THEN HAN WUI , WU CHAO-HSIN
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S3/00
CPC分类号： H01S5/06203 , B82Y20/00 , H01S5/0035 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3095 , H01S5/34313
摘要： A method for producing light emission from a two terminal semiconductor device with improved efficiency, includes the following steps: providing a layered semiconductor structure including a semiconductor drain region comprising at least one drain layer, a semiconductor base region disposed on the drain region and including at least one base layer, and a semiconductor emitter region disposed on a portion of the base region and comprising an emitter mesa that includes at least one emitter layer; providing, in the base region, at least one region exhibiting quantum size effects; providing a base/drain electrode having a first portion on an exposed surface of the base region and a further portion coupled with the drain region, and providing an emitter electrode on the surface of the emitter region; applying signals with respect to the base/drain and emitter electrodes to obtain light emission from the base region; and configuring the base/drain and emitter electrodes for substantial uniformity of voltage distribution in the region therebetween. In a further embodiment lateral scaling is used to control device speed for high frequency operation.
摘要翻译：一种从提高效率的二端子半导体器件产生发光的方法，包括以下步骤：提供包括半导体漏极区域的分层半导体结构，该半导体漏极区域包括至少一个漏极层，设置在漏极区域上的半导体基极区域，至少一个基极层，以及设置在所述基极区域的一部分上并且包括发射极台面的半导体发射极区域，所述发射极台面包括至少一个发射极层; 在碱性区域中提供至少一个呈现量子效应的区域; 提供在所述基极区域的暴露表面上具有第一部分的基极/漏电极，以及与所述漏极区域耦合的另一部分，并且在所述发射极区域的表面上提供发射极; 施加相对于基极/漏极和发射极电极的信号以获得从基极区域发出的光; 以及在其间的区域中配置基极/漏极和发射极用于电压分布的实质均匀性。在另一实施例中，横向缩放用于控制高频操作的设备速度。

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