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1. 发明申请

WO2002078069A1 窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2002078069A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002980
申请日：2002-03-27
申请人：ソニー株式会社 , 小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
发明人：小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544
摘要： A nitride semiconductor element which is so constituted as to be high in reliability and freedom of element design and manufacture, and which comprises seed crystal portions (11) formed on a sapphire substrate (10) and each having a mask (12) one side face thereof, and GaN layers (15) grown by a lateral-direction growth method on the sapphire substrate (10) and the seed crystal portions (11). Since a GaN layer (15) grows only from the side face, exposed and not covered by a mask (12), of a seed crystal portion (11), its lateral-direction growth progresses asymmerically and, therefore, a meeting portion (32) is formed to extent from near the interface between a seed crystal portion (11) and a mask (12) in a GaN layer (15) thickness direction. A meeting portion (32) formed in a position deviated in parallel to the substrate surface from the center between adjacent seed crystal portions (11) provides a structure in which the width W>L P
摘要翻译：一种氮化物半导体元件，其构造为具有高的元件设计和制造的可靠性和自由度，并且包括形成在蓝宝石衬底（10）上并且每个具有掩模（12）的晶圆部分（11），一个侧面以及在蓝宝石衬底（10）和晶种部分（11）上通过横向生长方法生长的GaN层（15）。由于氮化镓层（15）仅从种子晶体部分（11）的侧面露出并未被掩模（12）覆盖，所以其横向生长过程非均匀地进行，因此会聚部分（32））形成为在GaN层（15）厚度方向上靠近晶种部分（11）和掩模（12）之间的界面的程度。形成在与相邻晶种部分（11）之间的中心平行于基板表面的位置的会合部分（32）提供了一种结构，其中横向方向生长区域的宽度W> L>相对于种子晶体部分（11）的间距W> P <大于常规结构。

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