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1. 发明申请

WO2003104520A1 有機薄膜の形成方法审中-公开
标题翻译：形成有机薄膜的方法
公开(公告)号：WO2003104520A1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：PCT/JP2003/007117
申请日：2003-06-05
申请人：ソニー株式会社 , 簗嶋克典 , 成井啓修 , 目々澤聡彦 , 佐々木浩司
发明人：簗嶋克典 , 成井啓修 , 目々澤聡彦 , 佐々木浩司
IPC分类号： C23C14/12
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要：　成膜面において発熱することなく、かつ基板面内に均一な膜質の有機薄膜を形成することが可能な有機薄膜の形成方法を提供する。有機材料からなる単一の成膜成分を気化させたガス（成膜成分ガス）（ｇ２）を発生させ、基板（Ｗ）が収納された処理室（１１）内に成膜成分ガス（ｇ２）を輸送供給する。そして、処理室（１１）内の基板（Ｗ）表面に、成膜成分を保った有機材料を堆積させ、有機薄膜を形成する。有機材料を堆積させる際には、基板（Ｗ）を冷却しておく。成膜成分ガス（ｇ２）は、例えば不活性ガス（ｇ１）等をキャリアガスとして処理室（１１）内に輸送供給される。また、有機材料の堆積を繰り返し行うことにより、異なる成膜成分からなる有機薄膜を積層形成する。
摘要翻译：一种用于在不加热成膜表面的情况下在衬底表面形成质量均匀的有机薄膜的方法。通过蒸发有机材料的单一成膜组分并将其输送并供给到其中放置基材（W）的处理室（11）中来产生气体（成膜组分气体）（g2）。保持成膜成分的有机材料沉积在处理室（11）中的基板（W）上，形成有机薄膜。在沉积有机材料期间，将基材（W）保持冷却。成膜组分气体（g2）通过诸如惰性气体（g1）的载气被输送并供给到处理室（11）中。通过重复有机材料的沉积，形成多层不同成膜材料的有机薄膜。

2. 发明申请

WO2003106730A1 薄膜形成装置审中-公开
标题翻译：薄膜成型设备
公开(公告)号：WO2003106730A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2003/007669
申请日：2003-06-17
申请人：ソニー株式会社 , 佐々木浩司 , 成井啓修 , 簗嶋克典 , 目々澤聡彦
发明人：佐々木浩司 , 成井啓修 , 簗嶋克典 , 目々澤聡彦
IPC分类号： C23C14/12
CPC分类号： C23C14/228 , C23C14/12
摘要：　基板表面に原料ガスが均一に供給され、基板表面に形成される有機薄膜の膜厚を均一にすることができる薄膜形成装置である。真空チャンバ（１１）と、真空チャンバ（１１）内に設けられた基板ホルダー（１２）と、基板ホルダー（１２）の基板装着面（１２ａ）に向けてガスを供給するガス供給端（２２）とを備えた薄膜形成装置であって、ガス供給端（２２）は基板装着面（１２ａ）に原料ガスが長尺状に供給されるように形成されていることを特徴とする薄膜形成装置である。
摘要翻译：在基板表面均匀地供给原料气体的薄膜形成装置，能够在基板表面上均匀地形成有机薄膜的厚度。薄膜形成装置包括真空室（11），设置在真空室（11）中的基板保持器（12）和用于将气体供应到所述真空室的基板安装面（12a）的气体供给端（22）衬底保持器（12）。该装置的特征在于，气体供给端（22）形成为使原料气体以细长形状供给到基板安装面（12a）。

3. 发明申请

WO2002078069A1 窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2002078069A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002980
申请日：2002-03-27
申请人：ソニー株式会社 , 小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
发明人：小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544
摘要： A nitride semiconductor element which is so constituted as to be high in reliability and freedom of element design and manufacture, and which comprises seed crystal portions (11) formed on a sapphire substrate (10) and each having a mask (12) one side face thereof, and GaN layers (15) grown by a lateral-direction growth method on the sapphire substrate (10) and the seed crystal portions (11). Since a GaN layer (15) grows only from the side face, exposed and not covered by a mask (12), of a seed crystal portion (11), its lateral-direction growth progresses asymmerically and, therefore, a meeting portion (32) is formed to extent from near the interface between a seed crystal portion (11) and a mask (12) in a GaN layer (15) thickness direction. A meeting portion (32) formed in a position deviated in parallel to the substrate surface from the center between adjacent seed crystal portions (11) provides a structure in which the width W>L P
摘要翻译：一种氮化物半导体元件，其构造为具有高的元件设计和制造的可靠性和自由度，并且包括形成在蓝宝石衬底（10）上并且每个具有掩模（12）的晶圆部分（11），一个侧面以及在蓝宝石衬底（10）和晶种部分（11）上通过横向生长方法生长的GaN层（15）。由于氮化镓层（15）仅从种子晶体部分（11）的侧面露出并未被掩模（12）覆盖，所以其横向生长过程非均匀地进行，因此会聚部分（32））形成为在GaN层（15）厚度方向上靠近晶种部分（11）和掩模（12）之间的界面的程度。形成在与相邻晶种部分（11）之间的中心平行于基板表面的位置的会合部分（32）提供了一种结构，其中横向方向生长区域的宽度W> L>相对于种子晶体部分（11）的间距W> P <大于常规结构。

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