基本信息:
- 专利标题： 不揮発性記憶素子及びその製造方法
- 专利标题（英）：Nonvolatile memory element and its manufacturing method
- 专利标题（中）：非易失性存储元件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2007/056424 申请日：2007-03-27
- 公开(公告)号：WO2007116749A1 公开(公告)日：2007-10-18
- 发明人： 三河 巧 , 高木 剛
- 申请人： 松下電器産業株式会社 , 三河 巧 , 高木 剛
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： 松下電器産業株式会社,三河 巧,高木 剛
- 当前专利权人： 松下電器産業株式会社,三河 巧,高木 剛
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 特許業務法人 有古特許事務所
- 优先权： JP2006-093988 20060330
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L27/105 ; H01L45/00 ; H01L49/00
摘要：
第１の電極２と、第１の電極２より上方に形成される第２の電極６と、第１の電極２と第２の電極６との間に形成され、これらの電極２，６間に与えられる電気的パルスにより抵抗値が増加または減少する可変抵抗膜４と、第１の電極２及び第２の電極６間に設けられる層間絶縁膜３とを備え、層間絶縁膜３には、その表面から第１の電極２に至る開口部が形成され、可変抵抗膜４は、その開口部の内壁面に形成され、可変抵抗膜４により形成される前記開口部の内部領域には、埋め込み絶縁膜５が充填されている。
摘要（中）：
非易失性存储元件包括第一电极（2），形成在第一电极（2）上方的第二电极（6），形成在第一电极（2）和第二电极（6）之间的可变电阻膜 ），并且其电阻值根据施加在电极（2,6）之间的电脉冲而增加或减小，以及设置在第一电极（2）和第二电极（6）之间的层间绝缘膜（3）。 在层间绝缘膜（3）中形成有从其表面延伸到第一电极（2）的开口。 可变电阻膜（4）形成在开口的内壁表面上。 由可变电阻膜（4）形成的开口的内部区域填充有嵌入绝缘膜（5）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/10 | ...在重复结构中包括有多个独立组件的 |