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    • 3. 发明申请
    • A DEVICE INTRINSICALLY DESIGNED TO RESONATE, SUITABLE FOR RF POWER TRANSFER AS WELL AS GROUP INCLUDING SUCH DEVICE AND USABLE FOR THE PRODUCTION OF PLASMA
    • 专用于专门设计用于RF功率传输的设备,包括这样的设备,并且可用于生产等离子体
    • WO2016113707A1
    • 2016-07-21
    • PCT/IB2016/050199
    • 2016-01-15
    • SELMO, Antonio FrancoPAVARIN, DanieleTREZZOLANI, FabioMANENTE, Marco
    • SELMO, Antonio Franco
    • H01J37/32
    • H01J37/3211H01J37/32174H01J37/32183
    • The present invention regards a device intrinsically designed to resonate (2), suitable for RF power transfer, particularly usable for the production of plasma and electrically connectable downstream of a radio frequency power supply (3) with fixed or variable frequency, comprising at least one inductive element (Lp), which can be powered, during use, by such at least one power supply (3); at least one capacitive element (Cp) electrically connected at the terminals of such at least one inductive element (Lp); such at least one device (2) having a resonance angular frequency equal to: ωο = 1/ √ LpCp The capacitive element (Cp) and the inductive element (Lp) have values such that, at resonance state, they provide an equivalent impedance, measured at the terminals of such device (2), substantially of resistive type and much greater than the value of the parasitic impedance upstream of such terminals of such device (2), such that the effect of such parasitic impedance is, during use, substantially negligible.
    • 本发明涉及一种固有地设计为谐振(2)适于射频功率传输的装置,特别是可用于制造具有固定频率或可变频率的射频电源(3)的等离子体和可电连接的下游,该装置包括至少一个 电感元件(Lp),其在使用期间由所述至少一个电源(3)供电; 在所述至少一个感应元件(Lp)的端子处电连接的至少一个电容元件(Cp); 这样的至少一个具有等于ωo= 1 / LpCp的谐振角频率的装置(2)。电容元件(Cp)和电感元件(Lp)具有这样的值,使得在共振状态下,它们提供等效阻抗, 在这种装置(2)的端子处测量,基本上是电阻型并且远大于这种装置(2)的这种端子上游的寄生阻抗的值,使得这种寄生阻抗的作用在使用期间基本上 微不足道。
    • 5. 发明申请
    • INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE
    • 电感耦合等离子体源
    • WO2014110237A1
    • 2014-07-17
    • PCT/US2014/010843
    • 2014-01-09
    • APPLIED MATERIALS, INC.
    • NGUYEN, AndrewRAMASWAMY, KartikYANG, YangLANE, Steven
    • H05H1/24H05H1/46
    • H01J37/321H01J37/3211
    • Embodiments of methods and apparatus for plasma processing are provided herein. In some embodiments, an inductively coupled plasma apparatus may include a bottom wall comprising a hub and a ring coupled to the hub by a capacitor, wherein the hub and the ring are each electrically conductive, and where the hub has a central opening aligned with a central axis of the inductively coupled plasma apparatus; a top wall spaced apart from and above the bottom wall, wherein the top wall has a central opening aligned with the central axis, and wherein the tope wall is electrically conductive; a sidewall electrically connecting the ring to the top wall; and a tube electrically connecting the hub to the top wall, the tube having a central opening aligned with the central axis.
    • 本文提供了等离子体处理方法和装置的实施例。 在一些实施例中,电感耦合等离子体装置可以包括底壁,其包括毂和通过电容器联接到毂的环,其中所述毂和环各自是导电的,并且其中所述毂具有与 感应耦合等离子体装置的中心轴; 与所述底壁间隔开的顶壁,其中所述顶壁具有与所述中心轴线对准的中心开口,并且其中所述顶壁是导电的; 将所述环电连接到所述顶壁的侧壁; 以及将所述毂电连接到所述顶壁的管,所述管具有与所述中心轴对准的中心开口。
    • 6. 发明申请
    • ADJUSTABLE COIL FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    • 用于感应耦合等离子的可调节线圈
    • WO2014099398A1
    • 2014-06-26
    • PCT/US2013/073368
    • 2013-12-05
    • QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
    • SASAGAWA, Teruo
    • H01J37/32
    • C23C16/505B44C1/227H01J37/321H01J37/3211
    • Systems, methods and apparatus for fabricating devices use an inductively-coupled plasma. An inductively coupled plasma system includes a reaction chamber including a reaction space and a coil chamber. The system includes a workpiece support within the reaction space. The system includes a first inductive coil section and a second inductive coil section, the first and second inductive coil sections being independently movable. At least one power source is coupled to the first and second inductive coil sections. The first and second inductive coil sections and the at least one power source are configured to induce an inductively coupled plasma (ICP) in the reaction space. An adjustment mechanism is configured to move the first inductive coil section relative to the second inductive coil section.
    • 用于制造器件的系统,方法和装置使用电感耦合等离子体。 电感耦合等离子体系统包括反应室,其包括反应空间和线圈室。 该系统在反应空间内包括工件支撑。 该系统包括第一感应线圈部分和第二感应线圈部分,第一和第二感应线圈段可独立移动。 至少一个电源耦合到第一和第二感应线圈段。 第一和第二感应线圈部分和至少一个电源被配置为在反应空间中感应电感耦合等离子体(ICP)。 调整机构配置成相对于第二感应线圈段移动第一感应线圈段。
    • 7. 发明申请
    • プラズマ生成装置
    • 等离子体发生装置
    • WO2014084341A1
    • 2014-06-05
    • PCT/JP2013/082155
    • 2013-11-29
    • イマジニアリング株式会社
    • 池田 裕二
    • H05H1/46F02P3/01F02P23/04
    • H01J37/32155F02P3/02F02P5/1502F02P9/007F02P15/10F02P23/045H01J37/244H01J37/3211H01J37/32146H05H1/46H05H1/52H05H2001/463H05H2001/4682Y02T10/46
    •  本発明は、用いる電力に対するプラズマの発生効率を向上させ、さらには周囲の条件の変化等によるプラズマ発生状態の変化に対応できるプラズマ生成装置を提供することである。本発明は、電磁波を発振する電磁波発生装置(31)と電磁波発生装置(31)から発振された電磁波を放射する放射アンテナ(16)とを有する電磁波放射装置(13)、及び電磁波放射装置(13)を制御する制御装置(35)を備えるプラズマ生成装置であって、電磁波放射装置(13)は、電磁波発生装置(31)から出力された進行波電力と、放射アンテナ(16)から反射された反射波電力とを検出する電力検出器(15)を備え、制御装置(35)は、電力検出器(15)により検出された進行波電力の値に対する反射波電力の値の割合に基づいて、上記電磁波の発振パターンを自動制御することを特徴とするプラズマ生成装置である。
    • 本发明提供一种等离子体产生装置,其改善所用功率的等离子体产生效率,并且由于周围环境等的变化而能够进一步适应等离子体产生状态的变化。 本发明是一种具有电磁波辐射装置(13)的等离子体发生装置,它具有振荡电磁波的电磁波产生装置(31)和辐射由产生电磁波振荡的电磁波的辐射天线(16) 装置(31)和控制电磁波辐射装置(13)的控制装置(35)。 等离子体产生装置的特征在于电磁波辐射装置(13)具有检测由电磁波产生装置(31)输出的行波功率的功率检测器(15)和从辐射天线(16)反射的反射波功率 ),并且控制装置(35)基于反射波功率的值与由功率检测器(15)检测的行波功率的值的比例,自动控制电磁波的振荡模式。
    • 9. 发明申请
    • METHODS AND APPARATUSES FOR CONTROLLING PLASMA IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER
    • 用于控制等离子体处理室中的等离子体的方法和装置
    • WO2013151812A1
    • 2013-10-10
    • PCT/US2013/033609
    • 2013-03-22
    • LAM RESEARCH CORPORATION
    • PANAGOPOULOS, TheodorosHOLLAND, JohnPATERSON, Alex
    • C23C16/455
    • H01J37/321H01J37/3211
    • Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma, processing system having at least an inductively coupled plasma (ICP) processing chamber are disclosed. The ICP chamber employs at least a first/center RF coil, a second/edge RF coii disposed concentrically with respect to the firsi/center RF coil, and a RF coil set having at least a third/mid. RF coil disposed concentrically with respect to the first/center RF coil and the second/edge RF coii in a manner such that the third/mid RF coil is disposed in between the first/center RF coil and the second/edge RF coil. During processing, RF currents in the same direction are provided to the first/center RF coil and the second/edge RF coil while RF current in the reverse direction (reiative to the direction of the currents provided to the first/center RF coil and the second'edge RF coil) is provided to the third/mid RF coil.
    • 公开了一种用于控制等离子体中的等离子体的方法和装置,具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的处理系统。 ICP室采用至少第一/中心RF线圈,相对于冷杉/中心RF线圈同心设置的第二/边缘RF组件,以及具有至少三分之一/中间的RF线圈组。 RF线圈相对于第一/中心RF线圈和第二/边缘RF组件以与第一/中心RF线圈和第二/边缘RF线圈之间的第三/中间RF线圈布置的方式同心地布置。 在处理期间,向第一/中心RF线圈和第二/边缘RF线圈提供相同方向的RF电流,而反向的RF电流(反向提供给第一/中心RF线圈的电流的方向和 第二'RF射频线圈)提供给第三/中间RF线圈。
    • 10. 发明申请
    • プラズマ処理装置
    • 等离子体加工装置
    • WO2013099366A1
    • 2013-07-04
    • PCT/JP2012/073332
    • 2012-09-12
    • 日新電機株式会社株式会社日本製鋼所安東靖典入澤一彦米田均真下徹内田良平千葉理樹
    • 安東靖典入澤一彦米田均真下徹内田良平千葉理樹
    • H05H1/46C23C16/505H01L21/205H01L21/3065H01L21/31
    • H01J37/3211H05H1/46H05H2001/4667
    •  この発明は、誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑え、かつ、より大面積でしかも2次元におけるプラズマ密度分布の均一性の良いプラズマの生成を可能にすることを主目的としている。 平面形状がまっすぐなアンテナ30を、上下方向Zに互いに接近して配置されていて高周波電流I R が互いに逆向きに流される往復導体31、32によって構成している。往復導体31、32間の上下方向Zの間隔Dを、アンテナ長手方向Xにおける中央部において小さくし、両端部において大きくしている。このようなアンテナ30を複数、並列配置している。各アンテナ中央部の間隔Dの小さい領域A 2 の長さNを、並列配置方向Yの中央部で大きくし、両端部で小さくしている。
    • 本发明的主要目的是在感应耦合等离子体处理装置中通过降低天线的有效电感来将等离子体电位抑制到低电平,并且能够产生等离子体密度分布中具有均匀性的均匀性 在两个维度上并跨越较大的区域。 在本发明中,平面形状为直的天线(30)由往复导体(31,32)构成,高频电流(IR)通过该往复导体相互相反的方向流动,并且接近 相互垂直方向(Z)。 使往复导体(31,32)的垂直方向(Z)的间隙(D)在天线的长度方向(X)的中央部分变小,并且在两端变大。 多个这样的天线(30)并列设置。 在平行配置的方向(Y)的中央部分,在每个天线的中心部分处间隙(D)较小的区域(A2)的长度(N)被制成较大,并且使得 两端较少