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    • 9. 发明申请
    • INTEGRATED CMOS AND MEMS SENSOR FABRICATION METHOD AND STRUCTURE
    • 集成CMOS和MEMS传感器制造方法和结构
    • WO2016007435A1
    • 2016-01-14
    • PCT/US2015/039255
    • 2015-07-06
    • INVENSENSE, INC.
    • SMEYS, Peter
    • B81B7/00
    • B81C1/00238B81B7/02B81C1/00246B81C2201/0197B81C2203/0792
    • A method of providing a CMOS -MEMS structure is disclosed. The method comprises patterning a first top metal on a MEMS actuator substrate and a second top metal on a CMOS substrate. Each of the MEMS actuator substrate and the CMOS substrate include an oxide layer thereon. The method includes etching each of the oxide layers on the MEMS actuator substrate and the base substrate, utilizing a first bonding step to bond the first patterned top metal of the MEMS actuator substrate to the second patterned top metal of the base substrate. Finally the method includes etching an actuator layer into the MEMS actuator substrate and utilizing a second bonding step to bond the MEMS actuator substrate to a MEMS handle substrate.
    • 公开了一种提供CMOS -MEMS结构的方法。 该方法包括将MEMS致动器基板上的第一顶部金属和CMOS基板上的第二顶部金属图案化。 MEMS致动器基板和CMOS基板中的每一个在其上包括氧化物层。 该方法包括利用第一结合步骤将MEMS致动器基板的第一图案化顶部金属与基底基板的第二图案化顶部金属结合来蚀刻MEMS致动器基板和基底基板上的每个氧化物层。 最后,该方法包括将致动器层蚀刻到MEMS致动器基板中,并利用第二结合步骤将MEMS致动器基板结合到MEMS手柄基板。