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1. 发明申请

WO2016065887A1 一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016065887A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/CN2015/078711
申请日：2015-05-11
申请人：无锡微奥科技有限公司
发明人：陈巧 , 谢会开
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0037 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/013 , H01G5/16
摘要：一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法，该梳齿具有抬升结构，抬升结构产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。其制造方法采用SOI硅片，抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上，由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿，由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移，从而形成了自对准高低梳齿。

2. 发明申请

WO2015193081A1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER KAVITÄT UND BAUELEMENT MIT EINER KAVITÄT 审中-公开
标题翻译：方法用于形成腔体的腔体和COMPONENT
公开(公告)号：WO2015193081A1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：PCT/EP2015/061969
申请日：2015-05-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： STEUER, Benjamin , TOMASCHKO, Jochen , PINTER, Stefan , HABERER, Dietmar , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01L21/4803 , B81B1/00 , B81B2203/0315 , B81B2203/033 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C1/0042 , B81C2201/013
摘要： Ein Verfahren zum Ausbilden einer Kavität in einem Siliziumsubstrat, wobei eine Oberfläche des Siliziumsubstrats einen Verkippwinkel gegen eine erste Ebene des Siliziumsubstrats aufweist und wobei die erste Ebene eine {111}-Ebene des Siliziumsubstrats ist und Anordnen einer Ätzmaske auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats. Die Ätzmaske weist eine erste Vorhaltestruktur auf, die in die Maskenöffnung hineinragt. Die Ätzmaske weist weiterhin einen ersten Ätzansatzbereich auf. Alle weiteren Kanten der Maskenöffnung außerhalb des ersten Ätzansatzbereichs werden im Wesentlichen parallel zu {111}-Ebenen des Siliziumsubstrats angeordnet. Als einen weiteren Schritt umfasst das Verfahren ein anisotropes Ätzen des Siliziumsubstrats während einer festgelegten Ätzdauer. Dabei ist eine Ätzrate in die -Richtungen des Siliziumsubstrats niedriger als in andere Raumrichtungen und die erste Vorhaltestruktur wird ausgehend von dem ersten Ätzansatzbereich in eine erste Unterätzrichtung unterätzt. Die Ätzdauer ist so festgelegt, dass sich durch das anisotrope Ätzen eine Kavität in dem Siliziumsubstrat ausbildet, die eine Öffnung an der Oberfläche des Siliziumsubstrats aufweist. Die Ätzdauer so festgelegt, dass nach Ablauf der Ätzdauer die erste Ebene des Siliziumsubstrats im Wesentlichen freigelegt ist und eine Bodenfläche der Kavität ausbildet.
摘要翻译：形成在硅衬底中的空腔，所述的方法其特征在于，具有倾斜角与硅衬底的第一平面，并且其中所述第一平面是硅衬底的{111}面和硅衬底的表面上设置蚀刻掩模，在硅衬底的表面。该蚀刻掩模具有伸入所述掩模开口的第一Vorhaltestruktur。蚀刻掩模还包括第一Ätzansatzbereich。第一Ätzansatzbereichs外侧掩模开口的所有其它边缘被布置在平行于所述硅衬底的{111}面大致。作为进一步的步骤，该方法包括在硅衬底的过程中的预定时间的蚀刻各向异性蚀刻。在这种情况下，在硅衬底的<111>方向上的蚀刻速率比在空间和第一Vorhaltestruktur，从在第一ÄtzansatzbereichUnterätzrichtung第一底切起始其它方向低。蚀刻时间被设定为使得一个腔是通过在硅衬底的各向异性蚀刻，其在所述硅衬底的表面中的开口形成。蚀刻时间来确定，以使蚀刻时间段之后，所述硅衬底的所述第一平面基本上暴露并且形成所述腔体的底表面上。

3. 发明申请

WO2015103910A1 薄膜支撑梁的制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015103910A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：PCT/CN2014/093054
申请日：2014-12-04
申请人：无锡华润上华半导体有限公司
发明人：荆二荣
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00142 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/013
摘要：一种薄膜支撑梁的制作方法，包括：提供具有相对设置的第一表面和第二表面的衬底；在衬底的第一表面涂覆牺牲层并图形化牺牲层；在牺牲层上淀积介质膜，形成介质膜层，并在介质膜层上淀积金属膜，形成金属膜层；图形化金属膜层，将金属膜层的图形化区域分为支撑梁部分的金属膜图形和非支撑梁部分的金属膜图形，此时支撑梁部分的金属膜图形的宽度大于最终的支撑梁图形的宽度，非支撑梁部分的金属膜图形的宽度等于最终的非支撑梁图形的宽度；在金属膜层和介质膜层上光刻和刻蚀出最终的支撑梁图形、最终的非支撑梁图形和最终介质膜层，此时最终介质膜层作为最终的支撑梁图形和最终的非支撑梁图形的支撑膜；及去除牺牲层。

4. 发明申请

WO2014134296A1 CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG 审中-公开
标题翻译：具有通过（TSV）基板插入的基板的电容式微机械超声波传感器（CMUT）
公开(公告)号：WO2014134296A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/US2014/018998
申请日：2014-02-27
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： JOHNSON, Peter, B. , WYGANT, Ira, Oaktree
IPC分类号： B06B1/02
CPC分类号： B06B1/0292 , B06B2201/76 , B81B7/007 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H04R19/005 , H05K2201/09845 , H05K2201/09863
摘要： A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device 100 includes at least one CMUT cell 100a including a first substrate 101 of a single crystal material having a top side including a patterned dielectric layer thereon including a thick 106 and a thin 107 dielectric region, and a through- substrate via (TSV) 111 extending a full thickness of the first substrate. The TSV is formed of the single crystal material, is electrically isolated by isolation regions 131 in the single crystal material, and is positioned under a top side contact area 102a of the first substrate. A membrane layer 120b is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a movable membrane over a microelectromechanical system (MEMS) cavity 114. A metal layer 161 is over the top side substrate contact area and over the movable membrane including coupling of the top side substrate contact area to the movable membrane.
摘要翻译：电容微加工超声波换能器（CMUT）装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括单晶材料的第一基板101，其具有包括厚的106和薄的107电介质区域的图案化介电层的顶侧，贯通衬底通孔（TSV）111延伸第一衬底的整个厚度。 TSV由单晶材料形成，通过单晶材料中的隔离区域131电隔离，并且位于第一基板的顶侧接触区域102a的下方。膜层120b结合到厚的电介质区域和薄的电介质区域上，以在微机电系统（MEMS）空腔114上提供可移动的膜。金属层161在顶侧衬底接触区域之上并且在可移动膜上方包括将顶侧基板接触区域耦合到可移动膜。

5. 发明申请

WO2014134291A1 CAPACITIVE MEMS SENSOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：电容式MEMS传感器器件
公开(公告)号：WO2014134291A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/US2014/018985
申请日：2014-02-27
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： WYGANT, Ira, Oaktree , JOHNSON, Peter, B.
IPC分类号： G01L9/04
CPC分类号： G01P15/125 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81B2203/0127 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , H02N1/006 , H03H3/0072 , H03H9/1057 , H03H9/2468 , H03H9/2489 , H04R19/005 , Y10T29/49165
摘要： A packaged capacitive MEMS sensor device 100 includes at least one capacitive MEMS sensor element with at least one capacitive MEMS sensor cell 100a including a first substrate 101 having a thick 106 and a thin 107 dielectric region. A second substrate with a membrane layer 120 is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a MEMS cavity 114. The membrane layer provides a fixed electrode 120a and a released MEMS electrode 120b over the MEMS cavity. A first through-substrate via (TSV) 111 extends through a top side of the MEMS electrode and a second TSV 112 through a top side of the fixedelectrode. A metal cap 132 is on top of the first TSV and second TSV. A third substrate 140 including an inner cavity 144 and outer protruding portions 146 framing the inner cavity is bonded to the thick dielectric regions. The third substrate together with the first substrate seals the MEMS electrode.
摘要翻译：封装的电容式MEMS传感器装置100包括具有至少一个电容式MEMS传感器单元100a的至少一个电容式MEMS传感器元件，该电容式MEMS传感器单元包括具有厚的106和薄的107电介质区域的第一基板101。具有膜层120的第二衬底被结合到厚电介质区域和薄介电区域上，以提供MEMS空腔114.膜层在MEMS空腔上提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿通基板通孔（TSV）111延伸穿过MEMS电极的顶侧，通过固定电极的顶侧延伸穿过第二TSV 112。金属盖132位于第一TSV和第二TSV的顶部。包括内腔144和框架内腔的外部突出部分146的第三衬底140被结合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

6. 发明申请

WO2018013136A1 PLURALITY OF FILTERS 审中-公开
标题翻译：多个过滤器
公开(公告)号：WO2018013136A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/US2016/042542
申请日：2016-07-15
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人： CHEN, Chien-Hua , CUMBIE, Michael W. , MOUREY, Devin Alexander
IPC分类号： G01N33/48 , B01D29/01 , B81B1/00
CPC分类号： B01L3/502753 , B01D29/01 , B01D29/012 , B01D29/03 , B01D29/56 , B01L3/502707 , B01L2200/0631 , B01L2300/0645 , B01L2300/0681 , B01L2300/0883 , B01L2300/0887 , B01L2400/0415 , B81B1/006 , B81B2201/10 , B81B2203/0338 , B81B2203/0353 , B81C1/00119 , B81C2201/0125 , B81C2201/013 , B81C2203/03
摘要： A method may include etching a number of holes into a carrier wafer layer to form a plurality of filters in the carrier wafer layer, pattering a chamber layer over a first side of the carrier wafer layer to form chambers above each filter formed in the carrier wafer layer, forming a layer over the chamber layer, grinding a second side of the carrier wafer layer to expose the number of holes etched into the carrier wafer layer, and bonding a molded substrate to the carrier wafer layer opposite the chamber layer.
摘要翻译：一种方法可以包括将多个孔蚀刻到载体晶圆层中以在载体晶圆层中形成多个滤波器，在载体晶圆层的第一侧上方形成腔体层以形成腔室在形成于载体晶圆层中的每个滤波器上方，在腔体层上方形成层，研磨载体晶圆层的第二侧以暴露蚀刻到载体晶圆层中的多个孔，并且将模制衬底接合到载体晶圆层与腔室层相对。

7. 发明申请

WO2017168055A1 STABILE MICROMECHANICAL DEVICES 审中-公开
标题翻译：稳定的微机械装置
公开(公告)号：WO2017168055A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/FI2017/050230
申请日：2017-03-31
申请人： TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY
发明人： JAAKKOLA, Antti , PENSALA, Tuomas , PRUNNILA, Mika , PEKKO, Panu , KIIHAMÄKI, Jyrki , OJA, Aarne
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/038 , B81B2203/0118 , B81B2203/0154 , B81B2203/0163 , B81C1/00293 , B81C2201/013
摘要： The invention provides a micromechanical device comprising a support structure and a deflecting element connected to the support structure, wherein the deflecting element comprises at least one deformable member adapted to deform extensionally, flexurally or torsionally with respect to a deformation axis for allowing deflection of the deflecting element with respect to the support structure. Further, there are means for statically deflecting the deflecting element or detecting the magnitude of static deflection of the deflecting element. According to the invention, the deformable member is made of silicon doped with an n-type doping agent to a doping concentration of at least 1.1*10 20 cm -3 . The invention allows for manufacturing micromechanical devices whose mechanical operation is not affected by prevailing temperature conditions.
摘要翻译：本发明提供了一种微机械装置，其包括支撑结构和连接到支撑结构的偏转元件，其中偏转元件包括至少一个可变形构件，该至少一个可变形构件适于相对于支撑结构弯曲地或扭转地用于允许偏转元件相对于支撑结构偏转的变形轴线。此外，存在用于使偏转元件静态偏转或检测偏转元件的静态偏转量的装置。根据本发明，可变形构件由掺杂有n型掺杂剂的硅制成，掺杂浓度至少为1.1×10 20 cm -3。本发明允许制造机械操作不受主要温度条件影响的微机械装置。

8. 发明申请

WO2016135852A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016135852A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/JP2015/055211
申请日：2015-02-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：奥村　美香
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/125
CPC分类号： B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2203/0118 , B81C1/00825 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084 , G01P2015/0871
摘要：半導体装置は、基板（１Ａ）と、梁（１２）と、可動構造体（１３）と、第１のストッパ部材（Ｓ１）と、第２のストッパ部材（Ｓ２）と、第３のストッパ部材（Ｓ３）とを備えている。第１のストッパ部材（Ｓ１）は、面内方向において可動構造体（１３）と第１の隙間（Ｔ１）を介して配置されている。第２のストッパ部材（Ｓ２）は、面外方向において可動構造体（１３）と第２の隙間（Ｔ２）を介して配置されている。第３のストッパ部材（Ｓ３）は、面外方向において可動構造体（１３）に対して第２のストッパ部材（Ｓ２）と反対側に配置され、かつ可動構造体（１３）との間に第３の隙間（Ｔ３）を介して配置されている。これにより、可動構造体の過剰な変位を抑制することにより可動構造体を支持する梁の損傷および破損を抑制できる半導体装置およびその製造方法を得ることができる。
摘要翻译：该半导体装置设置有基板（1A），梁（12），可动构件（13），第一挡块构件（S1），第二挡块构件（S2）和第三挡块构件（S3）。通过在可移动结构（13）和第一止动构件之间沿面内方向具有第一间隙（T1）来设置第一止动构件（S1）。第二止动件（S2）通过在可移动结构（13）和第二止动件之间沿着平面外的方向具有第二间隙（T2）来设置。第三止动构件（S3）通过具有第三间隙（T3）而在面外方向上设置在可移动结构（13）的侧面上，所述侧面与第二止动构件（S2）相反，）在可移动结构（13）和第三止动件之间。因此，通过抑制可移动结构的过度位移来抑制支撑可移动结构的梁的损伤和断裂的半导体器件，并且可以提供半导体器件的制造方法。

9. 发明申请

WO2015074818A1 CAPTEUR INERTIEL A MASSES SISMIQUES IMBRIQUEES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL CAPTEUR 审中-公开
标题翻译：具有嵌入式地震质量的惯性传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2015074818A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/072581
申请日：2014-10-21
申请人： SAGEM DEFENSE SECURITE
发明人： JEANROY, Alain , ONFROY, Philippe
IPC分类号： G01C19/574 , B81B3/00
CPC分类号： G01C19/574 , B81B3/0021 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2203/0109 , B81C1/00547 , B81C2201/013 , G01C19/5733 , G01C19/5769
摘要： Capteur inertiel comprenant un bâti auquel au moins deux corps sismiques sont reliés par des moyens élastiques pour être mobiles dans un plan de suspension, et des transducteurs pour maintenir en vibration les corps sismiques et pour déterminer un mouvement relatif des corps sismiques l'un par rapport à l'autre, caractérisé en ce que les corps sismiques ont une même forme et une même masse et en ce que les corps sismiques comportent des parties d'emboîtement de telle manière que les corps sismiques soient mutuellement imbriqués l'un dans l'autre tout en étant mobiles dans le plan de suspension relativement à l'autre des corps sismiques, les corps sismiques ayant des centres de gravité confondus l'un avec l'autre. Procédé de fabrication d'un tel capteur.
摘要翻译：本发明涉及一种惯性传感器，其包括框架，至少两个地震体通过弹性装置连接以便在悬挂平面中可移动，以及换能器以保持地震体振动并确定地震体相对的相对运动其特征在于，地震体具有单一形状和单个质量，并且地震体包括互锁部分，使得地震体彼此嵌套，同时可在悬架平面中相对于另一个运动地震体，地震体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

10. 发明申请

WO2012054043A1 NANO-STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：纳米结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2012054043A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/US2010/053578
申请日：2010-10-21
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , MARDILOVICH, Peter , WEI, Qingqiao , MILONOVA, Irina Nikolaevna , FULLER, Anthony M.
发明人： MARDILOVICH, Peter , WEI, Qingqiao , MILONOVA, Irina Nikolaevna , FULLER, Anthony M.
IPC分类号： C25D11/04 , B82B3/00
CPC分类号： C25D1/006 , B81C1/00031 , B81C2201/013 , B81C2201/0197 , C25D11/045 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/24 , C25D11/26
摘要： A nano-structure (100, 100') includes an oxidized layer (14'), and at least two sets (24, 24') of super nano-pillars (20) positioned on the oxidized layer (14'). Each of the at least two sets (24, 24') of super nano-pillars (20) includes a plurality of super nano-pillars (20), where each set (24, 24') is separated a spaced distance from each other set (24, 24').
摘要翻译：纳米结构（100,100'）包括氧化层（14'）和位于氧化层（14'）上的超级纳米柱（20）的至少两组（24,24'）。超级纳米柱（20）的至少两个组（24,24'）中的每一个包括多个超级纳米柱（20），其中每个组（24,24'）彼此间隔开距离设置（24,24'）。

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