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1. 发明申请

WO2013075712A1 FESTKÖRPEROBERFLÄCHEN AUS ZWEI- UND MEHRSTOFFSYSTEMEN MIT KOMPOSIT-NANOSTRUKTUREN AUS METALLEN, HALBLEITERN ODER ISOLATOREN 审中-公开
标题翻译：固体表面二进制和多组分体系与金属，半导体和绝缘体复合纳米结构
公开(公告)号：WO2013075712A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/DE2012/200077
申请日：2012-11-22
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： BÜRGER, Danilo , SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , B82Y40/00 , H01L21/3221 , H01L31/035218 , H01L45/06 , H01L45/148 , H01L45/1608
摘要： Die Erfindung betrifft funktionalisierte Festkörperoberflächen mit Kompositen aus Zwei- und Mehrstoffsystemen aus Metallen, Halbleitern und Isolatorenoder Fremdatomen, welche eine definierte chemische Komposition auf der Nanometer und Mikrometer-Längenskala aufweisen für neuartige Komposit-Nano- und Mikrostrukturen.
摘要翻译：本发明涉及具有金属，半导体和绝缘体，或杂质二元和多组分体系，其具有在纳米和微米尺度为新型复合纳米和微结构的定义的化学组成的复合材料，以官能化固体表面。

2. 发明申请

WO2013017131A2 INTEGRIERTE NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERELEMENTE, AUFBAU UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：集成非易失性存储器元件，安装和使用
公开(公告)号：WO2013017131A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/DE2012/200047
申请日：2012-07-12
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01L27/228 , G06N3/0635 , H01G7/06 , H01L27/2472 , H01L29/43 , H01L31/022408 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/09 , H01L45/065 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/147 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau eines integrierten Speicherbauelementes, umfassend mindestens einen gleichrichtenden Bottom-Kontakt und einen Top-Kontakt und eine ferrroelektrische oder piezoelektrische Schicht als leitfähigen Kanal zwischen den Kontakten. Weiterhin wird der Aufbau des Speicherbauelementes mit einem zusätzlichen Drain-Anschluss und einem zusätzlichen Source-Anschluss zur nichtflüchtigen Steuerung der Leitfähigkeit zwischen dem Source- und Drain-Anschluss über den gleichrichtenden Bottom-Kontakt oder Top-Kontakt beschrieben. Das Prinzip und der Aufbau wird anschließend auf nichtflüchtige Analogspeicher erweitert, wobei die Leitfähigkeit der piezo- oder ferroelektrischen Schicht zwischen den Kontakten und/oder unter dem Oberflächenkontakt und/oder unter dem zugehörigen Gegenkontakt modifiziert ist, so dass eine an gegenüberliegenden Kontakten von außen angelegte Spannung nicht gleichmäßig in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht abfällt und das elektrische Feld lokal groß/klein ist und ein großes elektrisches Feld eine Phasenumwandlung der piezo- oder ferroelektrischen Schicht induzieren kann. Weiterhin wird die Integration und Verwendung des nichtflüchtigen Analogspeichers in einer Arraystruktur für neuromorphe Anwendungen und als Kalibrierelement mit darunterliegender CMOS-Analogschaltung beschrieben. Das Prinzip des Aufbaus des erfindungsgemäßen Speicherbauelements ist weiterhin als integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht erweiterbar. Dazu wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben
摘要翻译：本发明描述了制造和集成的存储器装置的结构，其包括至少一个整流底接触和顶部接触和ferrroelektrische或压电层作为触点之间的导电沟道。另外，存储器设备具有一附加漏极的结构和用于源极之间的导电性的非易失性控制的附加源极端子和漏极经由整流底接触，或顶接触端子进行说明。然后，原理和结构被扩展到非易失性的模拟存储器，其特征在于，所述触点之间的压电或铁电体层的导电性和/或和/或根据通过表面接触改性相关的相对接触是，使得施加到外部电压的相对触头的电压不是均匀的滴在压电或铁电体层和所述电场局部大/小和大的电场可诱导压电或铁电体层的相变。此外，在用于神经形态的应用程序和与底层CMOS模拟电路的校准元件的阵列结构的集成和使用非易失性模拟存储的进行说明。根据本发明的存储器装置的结构的原理是进一步扩大综合电极定位非易失性，静态边界的带电层。为了这个目的，使用该电极的可集成在照片组件，粒子探测器，在电容能量存储和逻辑器件被描述

3. 发明申请

WO2022200423A2 ELEKTRONISCHES BAUTEIL, BAUTEILANORDNUNG, FUNKTIONSSCHICHT ZUM BILDEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022200423A2
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/EP2022/057625
申请日：2022-03-23
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： KRÜGER, Stephan , SKORUPA, Ilona , DU, Nan , SCHMIDT, Heidemarie
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/10 , H01F17/02 , H01F17/00 , H01G4/12 , H01G4/38 , H01G4/40 , H01G7/06
摘要： Offenbart wird ein elektronisches Bauteil (100) aufweisend eine Funktionsschicht (200), welche ein spontan polarisierbares Material und Pinzentren (240, 250) darin aufweist, wobei eine oder mehrere Eigenschaften von in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwänden (220) beeinflusst wird, und Elektroden (310, 320), welche die Funktionsschicht kontaktieren und eine kapazitive Struktur und/oder induktive Struktur bereitstellen, derart, dass zumindest eine elektrische Eigenschaft der kapazitiven und/oder induktiven Struktur durch die in dem spontan polarisierbaren Material ausgebildeten Domänenwände definiert ist.

4. 发明申请

WO2019193030A1 TRANSPARENTER OBJEKTTRÄGER 审中-公开
公开(公告)号：WO2019193030A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：PCT/EP2019/058361
申请日：2019-04-03
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona , WIESENHÜTTER, Katarzyna , REBOHLE, Lars
IPC分类号： B01L3/00 , G01N27/327 , G01N33/543 , G01N27/02 , C12M1/24 , C12M1/22 , C12M1/32
摘要： Die Erfindung betrifft einen transparenten Objektträger. Die Aufgabe der Erfindung einen Objektträger anzugeben, an dem die Reichweite sowie die Stärke der oberflächennahen, elektrostatischen Kräfte, während eines Herstellungsprozesses des Objektträgers zu beeinflussen und einzustellen sind, wird durch einen transparenten Objektträger gelöst, welcher eine aufnahmeseitige Oberfläche und eine von der Aufnahmeseite abgewandte, also rückseitige Oberfläche ausweist und mindestens drei Schichten umfasst: eine elektrisch isolierende erste Schicht, eine auf der ersten Schicht angeordnete siliziumhaltige zweite Schicht sowie eine auf der zweiten Schicht angeordnete elektrisch isolierende dritte Schicht, wobei sich jeweils eine Grenzfläche zwischen der ersten und zweiten Schicht sowie zwischen der zweiten und dritten Schicht ausbildet, wobei die Grenzfläche zwischen der ersten und zweiten Schicht eine erste Flächenladungsdichte aufweist und die Grenzfläche zwischen der zweiten und dritten Schicht eine zweite Flächenladungsdichte aufweist, wobei die erste und zweite Flächenladungsdichte gleiche oder unterschiedliche Vorzeichen aufweisen und der Objektträger oberflächennahe, elektrostatischen Kräfte auf beiden Oberflächenseiten aufweist, deren Reichweite sowie Stärke während des Herstellungsprozesses zu beeinflussen und einzustellen sind.

5. 发明申请

WO2021144399A2 VORRICHTUNG ZUR GEZIELTEN ANORDNUNG VON IN EINEM ANALYTEN GELÖSTEN, ELEKTRISCH POLARISIERBAREN MATERIALIEN, VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINES ISOELEKTRISCHEN PUNKTES EINES ELEKTRISCH ISOLIERENDEN MATERIALS, VERFAHREN ZUM GEZIELTEN ANORDNEN EINES IN EINEM ANALYTEN GELÖSTEN ELEKTRISCH POLARISIERBAREN MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021144399A2
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/EP2021/050765
申请日：2021-01-15
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： REBOHLE, Lars , FISCHER, Cornelius , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Heidemarie , KRÜGER, Stephan , BLASCHKE, Daniel
IPC分类号： G01N27/327 , B01L3/00 , B05D1/00 , B82Y35/00 , B01L2300/0645 , B82Y30/00
摘要： Es wird eine Vorrichtung (10) zur gezielten Anordnung eines in einem Analyten gelösten, elektrisch polarisierbaren Materials (4), aufweisend eine siliziumhaltige Trägerstruktur (3), eine elektrisch isolierende erste Deckstruktur (1) mit einem ersten isoelektrischen Punkt und eine elektrisch isolierende zweite Deckstruktur (2) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt vorgeschlagen, wobei der erste isoelektrische Punkt vom zweiten isoelektrischen Punkt verschieden ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Bestimmung eines ersten isoelektrischen Punktes eines Materials sowie ein Verfahren zum gezielten Anordnen eines in einem Analyten gelösten, elektrisch polarisierbaren Materials (4) vorgeschlagen.

6. 发明申请

WO2020074718A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KERAMISCHEN MATERIALS MIT LOKAL EINSTELLBAREM PERMEABILITÄTSGRADIENTEN, DESSEN ANWENDUNG IN EINEM BESCHICHTUNGSVERFAHREN SOWIE DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020074718A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：PCT/EP2019/077626
申请日：2019-10-11
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , DU, Nan , BÜRGER, Danilo , KRÜGER, Stephan , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： C04B35/01 , C04B41/00 , C04B41/50 , H01B3/12 , G11C11/22 , H01L27/11502
摘要： Die Erfindungbetrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Materials mit lokal einstellbarem Permeabilitätsgradienten, dessen Anwendung in einem Beschichtungsverfahren-Materialbearbeitungsverfahren sowie dessen Verwendung. Die Aufgabe ein Material zur Verfügung zu stellen, welches zum Leiten und Isolieren von Magnetfeldern geeignet ist sowie in magnetischen Kopplungselementen verwendet werden kann,wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Materials mit lokal einstellbarem Permeabilitätsgradienten gelöst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: - Erzeugen eines keramischen Materials mittels Erhitzen einer Ausgangsmaterialkomposition bis zu einer Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur der Ausgangsmaterialkomposition, - Abkühlen deserzeugten keramischen Materials auf Raumtemperatur nach einer definierten Abkühlrate zur Einstellung einer Vortex-Dichte in dem erzeugten keramischen Material, und - nachfolgende zweiten lokale Temperaturbehandlung zum Erhitzen des keramischen Materials über dessen ferroelektrische Ordnungstemperatur und zum Einstellen des lokalen Permeabilitätsgradienten.

7. 发明申请

WO2019223999A1 VERFAHREN ZUR REKONFIGURATION EINER VORTEX-DICHTE IN EINEM SELTENEN-ERD-MANGANAT, EIN NICHTFLÜCHTIGER IMPEDANZSCHALTER UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019223999A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/EP2019/061717
申请日：2019-05-07
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , DU, Nan , BOGUSZ, Agnieszka , KRÜGER, Stephan , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01F1/03 , H01F10/193
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Rekonfiguration einer Vortex-Dichte in einem Seltene-Erd-Manganat sowie einen nichtflüchtigen Impedanzschalter mit rekonfigurierbarer Impedanz und dessen Verwendung als Mikroinduktivität mit geringem Footprint. Die Aufgabe ein Verfahren anzugeben, mittels dem in speziellen Materialien deren Impedanz in Abhängigkeit von einer Vortex-Dichte ohne großen Aufwand beeinflusst und eingestellte werden kann, wird durch ein Verfahren zur Rekonfiguration einer Vortex-Dichte in einem Seltene-Erd-Manganat gelöst, wobei ein einmaliges Spannungs-Zeit-Profil zwischen einem ersten und einem zweiten, an das Seltene-Erd-Manganat angebrachten elektrisch leitenden Kontakt angelegt wird, so dass das Seltene-Erd-Manganat in einem Bereich eines sich zwischen den beiden elektrisch leitenden Kontakten ausbildenden elektrischen Feldes während eines Abkühlvorganges während und nach Anlegen des Spannungspulses oder der Spannungsrampe eine Ordnungstemperatur durchläuft und damit die Vortex-Dichte lokal im Bereich des sich zwischen den beiden elektrisch leitenden Kontakten ausbildenden elektrischen Feldes beeinflusst und eingestellt wird.

8. 发明申请

WO2013093110A1 THERMOCHROMES EINZEL- UND MEHRSCHICHTSYSTEM, DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译： THERMO铬合金单，多层次的系统，它的生产和使用
公开(公告)号：WO2013093110A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/EP2012/076862
申请日：2012-12-22
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G02F1/01 , H01L27/22
CPC分类号： H01L45/065 , G02F1/15 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L45/1213 , H01L45/146
摘要： Die Anmeldung beschreibt ein elektrisches Element, das Einzel- oder Mehrschichtsysteme umfasst, wobei die Komponenten des Einzel- und Mehrschichtsystems teilweise oder vollständig aus thermochromem Material (1, 2, 2') mit anisotropen oder isotropen Dielektrizitätseigenschaften bestehen und in sich strukturiert ausgeführt sein können. Diese Elemente können zum lokalen Heizen, als elektronische oder optische Detektoren und Schalter oder zur Magnetfelderzeugung genutzt werden.
摘要翻译：该申请描述了包括单个或多层系统，它为单和多层系统的部分或完全脱离热致变色材料（1，2，2“）的组分是可能的电气元件具有各向异性或各向同性的介电特性是由与本身执行图案化。这些元件可用于局部加热作为电子或光学检测器和交换机或用于磁场产生。

9. 发明申请

WO2013029609A2 TRÄGERMATERIAL FÜR ELEKTRISCH POLARISIERBARE BIOMATERIALIEN, POLYELEKTROLYTMATERIALIEN, ATOME, IONEN UND MOLEKÜLE; DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：后盾电致生物材料，聚电解质材料，原子，离子和分子; 其生产和使用
公开(公告)号：WO2013029609A2
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/DE2012/200058
申请日：2012-08-31
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/53
CPC分类号： G01N27/28 , B01L3/502761 , G01N27/327 , G01N33/54366
摘要： Die Erfindung betrifft Trägermaterialen (Carrier) für Biomaterialien, für Polyelektrolytmatenalien, für elektrisch polarisierbare Atome, Ionen, Moleküle, wobei das Material der Trägermaterialien kompatibel zu Materialien ist, die in der Mikroelektronik verwendet werden. Mit dem Trägermaterial kann die Anordnung der Biomaterialien bzw. Biomoleküle und gegebenenfalls daran adsorbierte Biomoleküle, Biomaterialien, biologische Funktionseinheiten oder Zellen gezielt beeinflusst werden. Der Aufbau komplexer molekularer Maschinen kann mit Hilfe der Trägermaterialien gefertigt und getestet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种载体材料（载流子），用于生物材料Polyelektrolytmatenalien，用于电可极化的原子，离子，分子，其中所述支撑材料的材料是在用于微电子材料相容。与载体材料，生物材料和生物分子，并任选地向其中吸附的生物分子，生物材料，生物功能单元或电池单元的排列可以具体影响。复杂分子机器的结构可与支撑材料的帮助下被制造和测试。

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