专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013029609A2 TRÄGERMATERIAL FÜR ELEKTRISCH POLARISIERBARE BIOMATERIALIEN, POLYELEKTROLYTMATERIALIEN, ATOME, IONEN UND MOLEKÜLE; DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：后盾电致生物材料，聚电解质材料，原子，离子和分子; 其生产和使用
公开(公告)号：WO2013029609A2
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/DE2012/200058
申请日：2012-08-31
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , BAUMGART, Christine , SKORUPA, Ilona , SCHMIDT, Oliver, G. , MÜLLER, Martin , HELM, Manfred
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/53
CPC分类号： G01N27/28 , B01L3/502761 , G01N27/327 , G01N33/54366
摘要： Die Erfindung betrifft Trägermaterialen (Carrier) für Biomaterialien, für Polyelektrolytmatenalien, für elektrisch polarisierbare Atome, Ionen, Moleküle, wobei das Material der Trägermaterialien kompatibel zu Materialien ist, die in der Mikroelektronik verwendet werden. Mit dem Trägermaterial kann die Anordnung der Biomaterialien bzw. Biomoleküle und gegebenenfalls daran adsorbierte Biomoleküle, Biomaterialien, biologische Funktionseinheiten oder Zellen gezielt beeinflusst werden. Der Aufbau komplexer molekularer Maschinen kann mit Hilfe der Trägermaterialien gefertigt und getestet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种载体材料（载流子），用于生物材料Polyelektrolytmatenalien，用于电可极化的原子，离子，分子，其中所述支撑材料的材料是在用于微电子材料相容。与载体材料，生物材料和生物分子，并任选地向其中吸附的生物分子，生物材料，生物功能单元或电池单元的排列可以具体影响。复杂分子机器的结构可与支撑材料的帮助下被制造和测试。

2. 发明申请

WO2013017131A3 INTEGRATED NON-VOLATILE MEMORY ELEMENTS, DESIGN AND USE 审中-公开
标题翻译：集成非易失性存储器元件，安装和使用
公开(公告)号：WO2013017131A3
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/DE2012200047
申请日：2012-07-12
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM DRESDEN , SCHMIDT HEIDEMARIE , SHUAI YAO , ZHOU SHENGQIANG , SKORUPA ILONA , OU XIN , DU NAN , MAYR CHRISTIAN , LUO WENBO
发明人： SCHMIDT HEIDEMARIE , SHUAI YAO , ZHOU SHENGQIANG , SKORUPA ILONA , OU XIN , DU NAN , MAYR CHRISTIAN , LUO WENBO
IPC分类号： H01G4/005 , H01L31/0224 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/228 , G06N3/0635 , H01G7/06 , H01L27/2472 , H01L29/43 , H01L31/022408 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/09 , H01L45/065 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/147 , Y02E10/50
摘要： The invention describes the production and the design of an integrated memory component, comprising at least one surface contact (C) and a mating contact (O) from which at least one rectifying contact is embodied, and a ferroelectric or piezoelectric layer (11) as a conductive channel between the contacts. The design of the memory component with an additional drain connection and an additional source connection for non-volatile control of the conductivity between the source and the drain connection via the rectifying bottom contact or top contact is also described. The principle and the design are then extended to non-volatile analog memories, wherein the conductivity of the piezo- or ferroelectric layer between the contacts and/or beneath the surface contact and/or beneath the associated mating contact is modified, so that a voltage which is applied from the outside to opposite contacts is not dropped uniformly in the piezo- or ferroelectric layer and the electric field is locally large/small and a large electric field can induce a phase conversion of the piezo- or ferroelectric layer. The integration and use of the non-volatile analog memory in an array structure for neuromorphic applications and as a calibration element with an underlying CMOS analog circuit is also described. The principle of the design of the memory component according to the invention can also be extended as an electrode which can be integrated and has a boundary layer which can be positioned in a non-volatile manner and is statically charged. The use of the electrode, which can be integrated, in photo components, particle detectors, in capacitive energy storage means and in logic components is also described.
摘要翻译：描述了制备和集成存储装置的结构，包括接触（S）和其上形成接触的至少整流反接触（O）和一个ferrroelektrische或触点之间的导电通道的压电层（11）的至少一个表面上。另外，存储器设备具有一附加漏极的结构和用于源极之间的导电性的非易失性控制的附加源极端子和漏极经由整流底接触，或顶接触端子进行说明。然后，原理和结构被扩展到非易失性的模拟存储器，其特征在于，所述触点之间的压电或铁电体层的导电性和/或和/或根据通过表面接触改性相关的相对接触是，使得施加到外部电压的相对触头的电压不是均匀的滴在压电或铁电体层和所述电场局部大/小和大的电场可诱导压电或铁电体层的相变。此外，在用于神经形态的应用程序和与底层CMOS模拟电路的校准元件的阵列结构的集成和使用非易失性模拟存储的进行说明。根据本发明的存储器装置的结构的原理是进一步扩大综合电极定位非易失性，静态边界的带电层。为了这个目的，使用该电极的可集成在照片组件，粒子探测器，在电容能量存储和逻辑器件进行说明。

3. 发明申请

WO2013017131A2 INTEGRIERTE NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERELEMENTE, AUFBAU UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：集成非易失性存储器元件，安装和使用
公开(公告)号：WO2013017131A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/DE2012/200047
申请日：2012-07-12
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SHUAI, Yao , ZHOU, Shengqiang , SKORUPA, Ilona , OU, Xin , DU, Nan , MAYR, Christian , LUO, Wenbo
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01L27/228 , G06N3/0635 , H01G7/06 , H01L27/2472 , H01L29/43 , H01L31/022408 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/09 , H01L45/065 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/147 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau eines integrierten Speicherbauelementes, umfassend mindestens einen gleichrichtenden Bottom-Kontakt und einen Top-Kontakt und eine ferrroelektrische oder piezoelektrische Schicht als leitfähigen Kanal zwischen den Kontakten. Weiterhin wird der Aufbau des Speicherbauelementes mit einem zusätzlichen Drain-Anschluss und einem zusätzlichen Source-Anschluss zur nichtflüchtigen Steuerung der Leitfähigkeit zwischen dem Source- und Drain-Anschluss über den gleichrichtenden Bottom-Kontakt oder Top-Kontakt beschrieben. Das Prinzip und der Aufbau wird anschließend auf nichtflüchtige Analogspeicher erweitert, wobei die Leitfähigkeit der piezo- oder ferroelektrischen Schicht zwischen den Kontakten und/oder unter dem Oberflächenkontakt und/oder unter dem zugehörigen Gegenkontakt modifiziert ist, so dass eine an gegenüberliegenden Kontakten von außen angelegte Spannung nicht gleichmäßig in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht abfällt und das elektrische Feld lokal groß/klein ist und ein großes elektrisches Feld eine Phasenumwandlung der piezo- oder ferroelektrischen Schicht induzieren kann. Weiterhin wird die Integration und Verwendung des nichtflüchtigen Analogspeichers in einer Arraystruktur für neuromorphe Anwendungen und als Kalibrierelement mit darunterliegender CMOS-Analogschaltung beschrieben. Das Prinzip des Aufbaus des erfindungsgemäßen Speicherbauelements ist weiterhin als integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht erweiterbar. Dazu wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben
摘要翻译：本发明描述了制造和集成的存储器装置的结构，其包括至少一个整流底接触和顶部接触和ferrroelektrische或压电层作为触点之间的导电沟道。另外，存储器设备具有一附加漏极的结构和用于源极之间的导电性的非易失性控制的附加源极端子和漏极经由整流底接触，或顶接触端子进行说明。然后，原理和结构被扩展到非易失性的模拟存储器，其特征在于，所述触点之间的压电或铁电体层的导电性和/或和/或根据通过表面接触改性相关的相对接触是，使得施加到外部电压的相对触头的电压不是均匀的滴在压电或铁电体层和所述电场局部大/小和大的电场可诱导压电或铁电体层的相变。此外，在用于神经形态的应用程序和与底层CMOS模拟电路的校准元件的阵列结构的集成和使用非易失性模拟存储的进行说明。根据本发明的存储器装置的结构的原理是进一步扩大综合电极定位非易失性，静态边界的带电层。为了这个目的，使用该电极的可集成在照片组件，粒子探测器，在电容能量存储和逻辑器件被描述

4. 发明申请

WO2013029609A3 CARRIER MATERIAL FOR ELECTRICALLY POLARISABLE BIOMATERIALS, POLYELECTROLYTE MATERIALS, ATOMS, IONS AND MOLECULES; PRODUCTION AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：后盾电致生物材料，聚电解质材料，原子，离子和分子; 其生产和使用
公开(公告)号：WO2013029609A3
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/DE2012200058
申请日：2012-08-31
申请人： HELMHOLTZ ZENTRUM DRESDEN , SCHMIDT HEIDEMARIE , BAUMGART CHRISTINE , SKORUPA ILONA , SCHMIDT OLIVER G , MUELLER MARTIN , HELM MANFRED
发明人： SCHMIDT HEIDEMARIE , BAUMGART CHRISTINE , SKORUPA ILONA , SCHMIDT OLIVER G , MUELLER MARTIN , HELM MANFRED
IPC分类号： G01N33/543 , B82B3/00 , G01N33/53
CPC分类号： G01N27/28 , B01L3/502761 , G01N27/327 , G01N33/54366
摘要： The invention relates to carriers for biomaterials, for polyelectrolyte materials, for electrically polarisable atoms, ions, molecules, wherein the material of the carriers is compatible with materials that are used in microelectronics. By means of the carrier, the arrangement of the biomaterials or biomolecules and optionally biomolecules, biomaterials, biological functional units or cells adsorbed thereon can be influenced in a targeted manner. The design of complex molecular machines can be fabricated and tested by means of the carriers.
摘要翻译：本发明涉及一种载体材料（载流子），用于生物材料Polyelektrolytmateralien，用于电可极化的原子，离子，分子，其中所述支撑材料的材料是在用于微电子材料相容。与载体材料，生物材料和生物分子，并任选地向其中吸附的生物分子，生物材料，生物功能单元或电池单元的排列可以具体影响。复杂分子机器的结构可与支撑材料的帮助下被制造和测试。

5. 发明申请

WO2013013674A1 MAGNETISIERBARE EINZEL- UND MEHRSCHICHTSYSTEME, DEREN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：磁化的单一和多层系统，其生产和使用
公开(公告)号：WO2013013674A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/DE2012/200048
申请日：2012-07-27
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V. , MOK, Kah Ming , SCHMIDT, Heidemarie , SCARLAT, Camelia , WEBER, Ines
发明人： MOK, Kah Ming , SCHMIDT, Heidemarie , SCARLAT, Camelia , WEBER, Ines
IPC分类号： G02F1/09 , G01R33/032
CPC分类号： G02F1/09 , G01R33/032 , G02F1/091 , G02F2201/16 , H01F10/245 , H01F10/265
摘要： Die Erfindung beschreibt die Auslegung einer Anordnung eines magnetooptischen Systems, bei dem für eine vorgegebene Wellenlänge der einfallenden elektromagnetischen Welle eine bestimmte Polarisation der reflektierten oder transmittierten Welle erreicht wird. Die erfindungsgemäße Anordnung und das Verwendungsverfahren ermöglicht den Einsatz zur Optimierung der Auslegung eines magnetooptischen Systems um die "Ziel"-Polarisation der reflektierten oder transmittierten Welle zu erreichen oder eines magnetooptischen Speichers oder eines Magnetfeldsensors. Weiterhin werden mit der Erfindung der Aufbau eines magnetooptischen Modulators oder eines Multiplexers mit magnetooptischen Komponente ermöglicht.
摘要翻译：本发明描述中，其中，在反射波或透射波的特定偏振入射电磁波的给定波长实现磁光系统的结构的设计。根据本发明和使用的方法中的布置允许实现或磁光存储器或使用用于磁光系统的设计优化的反射波或透射波的“目标”极化的磁场传感器。此外，磁 - 光调制器或与磁 - 光学部件多路复用的结构成为可能与本发明。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式