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1. 发明申请

WO2020176311A1 HIGH-DENSITY LOW VOLTAGE NVM WITH UNIDIRECTIONAL PLATE-LINE AND BIT-LINE AND PILLAR CAPACITOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2020176311A1
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：PCT/US2020/018870
申请日：2020-02-19
申请人： KEPLER COMPUTING INC.
发明人： MANIPATRUNI, Sasikanth , DOKANIA, Rajeev Kumar , RAMESH, Ramamoorthy
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/11502
摘要： Described is a low power, high-density a 1T-1C (one transistor and one capacitor) memory bit-cell, wherein the capacitor comprises a pillar structure having ferroelectric material (perovskite, improper ferroelectric, or hexagonal ferroelectric) and conductive oxides as electrodes. In various embodiments, one layer of the conductive oxide electrode wraps around the pillar capacitor, and forms the outer electrode of the pillar capacitor. The core of the pillar capacitor can take various forms.

2. 发明申请

WO2020025426A1 FERROELEKTRISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SPEICHERZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020025426A1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：PCT/EP2019/069963
申请日：2019-07-24
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CHRISTIAN-ALBRECHTS-UNIVERSITÄT ZU KIEL
发明人： WAGNER, Bernhard , FICHTNER, Simon , LOFINK, Fabian
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L29/51 , H01L29/66
摘要： Ferroelektrische Halbleitervorrichtung mit einer Speicherzelle, mit einer ferroelektrischen Speicherschicht und einer ersten leitfähigen Schicht, die an der ferroelektrischen Speicherschicht angeordnet ist; und einer Halbleitervorrichtung, die mit der Speicherzelle verbunden ist. Die ferroelektrische Speicherschicht der Speicherzelle kann einen Mischkristall mit einem Gruppe-Ill-Nitrid und einem nicht Gruppe-Ill-Element aufweisen.

3. 发明申请

WO2019005019A1 CROSS-POINT FERROELECTRIC MEMORY ARRAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2019005019A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/US2017/039573
申请日：2017-06-27
申请人： INTEL CORPORATION , KARPOV, Elijah V. , MAJHI, Prashant , DOYLE, Brian S.
发明人： KARPOV, Elijah V. , MAJHI, Prashant , DOYLE, Brian S.
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2259 , H01L27/11507
摘要： Cross-point ferroelectric memory arrays, and methods of fabricating cross-point ferroelectric memory arrays, are described. In an example, an integrated circuit structure includes a first plurality of conductive lines along a first direction above a substrate. A plurality of memory elements is on individual ones of the first plurality of conductive lines, individual ones of the plurality of memory elements including a bottom electrode, a ferroelectric oxide material on the bottom electrode, and a top electrode on the ferroelectric oxide material. A second plurality of conductive lines is on the plurality of memory elements, the second plurality of conductive lines along a second direction orthogonal to the first direction.

4. 发明申请

WO2018151987A1 EFFICIENT UTILIZATION OF MEMORY DIE AREA 审中-公开
公开(公告)号：WO2018151987A1
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：PCT/US2018/017204
申请日：2018-02-07
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： LAURENT, Christophe Vincent Antoine
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L43/08 , H01L45/00
摘要： Methods, systems, and apparatus that support efficient utilization of die area for crosspoint memory architecture are described. A memory array may include active memory cells overlying each portion of the substrate that includes certain types of support circuitry, such as decoders and sense amplifiers. Boundary tiles, which may be portions of an array having a different configuration from other portions of the array, may be positioned on one side of an array of memory tiles. The boundary tiles may include support components to access both memory cells of neighboring memory tiles and memory cells overlying the boundary tiles. Column lines and column line decoders may be integrated as part of a boundary tile. Access lines, such as row lines may be truncated or omitted at or near borders of the memory portion of the memory device.

5. 发明申请

WO2018044487A8 APPARATUSES AND METHODS INCLUDING FERROELECTRIC MEMORY AND FOR ACCESSING FERROELECTRIC MEMORY 审中-公开
标题翻译：包括铁电存储器和用于访问铁电存储器的装置和方法
公开(公告)号：WO2018044487A8
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/US2017/045182
申请日：2017-08-02
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： DERNER, Scott J. , KAWAMURA, Christopher J.
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502
摘要： Apparatuses and methods are disclosed that include ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory. An example method includes increasing a voltage of a first cell plate of a capacitor to change the voltage of a second cell plate of the capacitor, a second digit line, and a second sense node. The voltage of the second cell plate and the second digit line is decreased to change the voltage of the first cell plate, a first digit line, and a first sense node. The first node is driven to a first voltage and the second node is driven to a second voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node. The first node is driven to the second voltage and the second node is driven to the first voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node
摘要翻译：公开了包括铁电存储器和用于访问铁电存储器的设备和方法。示例性方法包括增加电容器的第一单元板的电压以改变电容器的第二单元板，第二数字线和第二感测节点的电压。第二单元板和第二数字线的电压减小以改变第一单元板的电压，第一数字线和第一感测节点。响应于第一节点的电压大于第二节点，第一节点被驱动到第一电压并且第二节点被驱动到第二电压。响应于第一节点的电压大于第二节点，第一节点被驱动到第二电压并且第二节点被驱动到第一电压。

6. 发明申请

WO2018044487A1 APPARATUSES AND METHODS INCLUDING FERROELECTRIC MEMORY AND FOR ACCESSING FERROELECTRIC MEMORY 审中-公开
公开(公告)号：WO2018044487A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/US2017/045182
申请日：2017-08-02
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： DERNER, Scott J. , KAWAMURA, Christopher J.
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502
摘要： Apparatuses and methods are disclosed that include ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory. An example method includes increasing a voltage of a first cell plate of a capacitor to change the voltage of a second cell plate of the capacitor, a second digit line, and a second sense node. The voltage of the second cell plate and the second digit line is decreased to change the voltage of the first cell plate, a first digit line, and a first sense node. The first node is driven to a first voltage and the second node is driven to a second voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node. The first node is driven to the second voltage and the second node is driven to the first voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node

7. 发明申请

WO2023024101A1 铁电存储器及其形成方法、电子设备审中-公开
公开(公告)号：WO2023024101A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/CN2021/115134
申请日：2021-08-27
申请人：华为技术有限公司
发明人：谭万良 , 李宇星 , 李维谷 , 蔡佳林 , 吕杭炳 , 许俊豪
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502
摘要：本申请实施例提供一种铁电存储器及其形成方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于抑制铁电层中的氧元素扩散。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括铁电电容；铁电电容包括第一电极和第二电极，形成在第一电极和第二电极之间的铁电层；该铁电电容还包括形成在第一电极和铁电层之间的第一隔离钝化层，和形成在第二电极和铁电层之间的第二隔离钝化层；其中，第一隔离钝化层用于抑制铁电层中的氧元素扩散至第一电极中，第二隔离钝化层用于抑制铁电层中的氧元素扩散至第二电极中。这样的话，利用第一隔离钝化层和第二隔离钝化层作为保护屏障，起到隔离、保护铁电层的作用，以防止铁电层中的氧元素扩散。

8. 发明申请

WO2022064306A1 強誘電体デバイス、および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022064306A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/IB2021/058179
申请日：2021-09-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 神保安弘 , 國武寛司 , 大嶋和晃 , 太田将志 , 古谷一馬 , 青木健
IPC分类号： H01L27/11502 , H01L21/316 , H01L21/3205 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/532 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/88
摘要：良好な強誘電性を有する金属酸化物膜を有する強誘電体デバイスを提供する。第１の導電体と、第１の導電体上の金属酸化物膜と、金属酸化物膜上の第２の導電体と、を有し、金属酸化物膜は、強誘電性を有し、金属酸化物膜は、結晶構造を有し、結晶構造は、第１の層と、第２の層と、を有し、第１の層は、第１の酸素と、ハフニウムと、を有し、第２の層は、第２の酸素と、ジルコニウムと、を有し、ハフニウム、およびジルコニウムは、第１の酸素を介して互いに結合し、第２の酸素は、ジルコニウムと、結合する。

9. 发明申请

WO2022049459A1 金属酸化物膜、半導体装置、およびその作製方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022049459A1
公开(公告)日：2022-03-10
申请号：PCT/IB2021/057803
申请日：2021-08-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 神保安弘 , 國武寛司 , 恵木勇司 , 高橋正弘 , 河内峻太郎
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要：良好な強誘電性を有する材料を提供する。第１の層と、第２の層と、を有し、第１の層は、第１の酸素と、ハフニウムと、を有し、第２の層は、第２の酸素と、ジルコニウムと、を有し、ハフニウム、およびジルコニウムは、第１の酸素を介して互いに結合し、第２の酸素は、ジルコニウムと、結合する、金属酸化物膜である。

10. 发明申请

WO2021258305A1 一种铁电存储器及存储设备审中-公开
公开(公告)号：WO2021258305A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/CN2020/097809
申请日：2020-06-23
申请人：华为技术有限公司
发明人：许俊豪 , 卜思童 , 侯朝昭 , 张瑜 , 张燕燕
IPC分类号： G11C11/22 , H01L27/11502
摘要：一种铁电存储器，该铁电存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一电极（1），第二电极（2），第三电极（3），铁电层（4），以及层叠设置的第一半导体层（10）、第二半导体层（20）和第三半导体层（30）；其中，第一半导体层（10）和第二半导体层（20）之间形成PN结，第一半导体层（10）远离第二半导体层（20）的一侧设置有第一电极（1），第三半导体层（30）远离第二半导体层（20）的一侧设置有第三电极（3），铁电层（4）包围第三半导体层（30）的全部侧面或者部分侧面，第二电极（2）包围铁电层（4）。这样后续在向该存储单元读写数据时，可以降低铁电层（4）的极化对于第一半导体层（10）和第二半导体层（20）形成的PN结的影响，从而有利于提升该铁电存储器的耐久性。

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