专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2019005168A1 PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2019005168A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/US2017/040511
申请日：2017-06-30
申请人： INTEL CORPORATION , KARPOV, Elijah V. , KENCKE, David L. , MAJHI, Prashant , DOYLE, Brian S.
发明人： KARPOV, Elijah V. , KENCKE, David L. , MAJHI, Prashant , DOYLE, Brian S.
IPC分类号： H01L45/00 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/224 , H01L45/144 , H01L45/1641
摘要： A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.

2. 发明申请

WO2016060058A1 多層膜をエッチングする方法审中-公开
标题翻译：蚀刻多层膜的方法
公开(公告)号：WO2016060058A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/JP2015/078634
申请日：2015-10-08
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：西村　栄一 , 大秦　充敬
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/67069 , H01L27/224 , H01L43/08
摘要：　一実施形態に係る方法は、（ａ）処理容器内で発生させたプラズマにより、上部磁性層をエッチングする工程であり、上部磁性層のエッチングを絶縁層の表面で終了させる、該工程と、（ｂ）処理容器内で発生させたプラズマにより、上部磁性層のエッチングによってマスク及び上部磁性層の表面に形成された堆積物を除去する工程と、（ｃ）処理容器内で発生させたプラズマにより、絶縁層をエッチングする工程と、を含む。堆積物を除去する工では、被処理体を保持した支持構造体を傾斜且つ回転させ、イオン引き込みのためのバイアス電圧としてパルス変調された直流電圧を支持構造体に印加する。
摘要翻译：根据一个实施例的方法包括：（a）通过在处理容器内产生的等离子体蚀刻上磁层的步骤，其中上磁层的蚀刻终止于绝缘层的表面; （b）由于通过在处理容器内部产生的等离子体来蚀刻上部磁性层而形成在掩模和上部磁性层的表面上的沉积物的步骤; 和（c）通过在处理容器内产生的等离子体来蚀刻绝缘层的步骤。在去除沉积物的步骤期间，保持工件的支撑结构被倾斜和旋转，并且将脉冲调制的直流电压作为用于积聚离子的偏压施加到支撑结构。

3. 发明申请

WO2016052097A1 スイッチ素子および記憶装置审中-公开
标题翻译：开关元件和存储器件
公开(公告)号：WO2016052097A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/JP2015/075464
申请日：2015-09-08
申请人：ソニー株式会社
发明人：清　宏彰 , 大場　和博
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/15 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/34 , H01L27/105 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要：　本技術のスイッチ素子は、第１電極および第１電極に対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられたスイッチ層とを備え、スイッチ層は、少なくともゲルマニウム（Ｇｅ）と、窒素（Ｎ）あるいは酸素（Ｏ）とを含むアモルファス材料から構成されている。
摘要翻译：该开关元件设置有第一电极，与第一电极相对设置的第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的开关层，该开关层包括至少含有锗（Ge）和氮（ N）或氧（O）。

4. 发明申请

WO2016010630A1 SWITCHING FILM STRUCTURE FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) CELL 审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器（MRAM）单元的切换膜结构
公开(公告)号：WO2016010630A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/US2015/032249
申请日：2015-05-22
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： LI, Xia , CHEN, Wei-Chuan , LU, Yu , LEE, Kangho , KANG, Seung Hyuk
IPC分类号： G11C11/16 , H01L43/08 , H01L27/22
CPC分类号： H01L27/224 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C2213/73 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要： An MRAM cell may include a magnetic tunneling junction (MTJ). The MTJ includes a pin layer, a barrier layer, a free layer, and a capping layer. The MRAM cell further includes a bidirectional diode selector, directly coupled to an electrode of the MTJ, to enable access to the MTJ.
摘要翻译： MRAM单元可以包括磁隧道结（MTJ）。 MTJ包括针层，阻挡层，自由层和覆盖层。 MRAM单元还包括直接耦合到MTJ的电极的双向二极管选择器，以便能够访问MTJ。

5. 发明申请

WO2015040932A1 抵抗変化メモリ审中-公开
标题翻译：可变电阻存储器
公开(公告)号：WO2015040932A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/JP2014/068013
申请日：2014-07-07
申请人：株式会社東芝
发明人：井口　智明 , 石川　瑞恵 , 杉山　英行 , 斉藤　好昭 , 棚本　哲史
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：［課題］抵抗変化率が大きな抵抗変化メモリを提供する。［解決手段］本実施形態による抵抗変化メモリは、第１導電型の第１および第２半導体層（１７，１９）ならびに前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ前記第１導電型と異なる第２導電型の第３半導体層（１８）を備え前記第１半導体層が抵抗変化素子（１０）に接続された半導体素子（１６）を有するメモリセルと、前記抵抗変化素子および前記半導体素子に対して、第１読み出し電圧を印加し、前記第１読み出し電圧に続いて前記第１読み出し電圧よりも低い第２読み出し電圧を印加して読み出しを行う読み出し部と、を備えている。
摘要翻译： [问题]提供具有高电阻变化率的可变电阻存储器。 [解决方案]根据本实施例的可变电阻存储器设置有存储单元和读取单元。存储单元具有设置有第一导电类型的第一和第二半导体层（17,19）的半导体元件（16）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第三半导体层（18），所述第二导电类型第三半导体层设置在第一半导体层和半导体层之间，并且所述第一半导体层连接到可变电阻元件（10）。读取单元施加第一读取电压，并且在第一读取电压之后施加低于第一读取电压的第二读取电压，以读取可变电阻元件和半导体元件。

6. 发明申请

WO2015033858A1 MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：磁性元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2015033858A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/JP2014/072663
申请日：2014-08-22
申请人： NAKAYAMA, Masahiko , YOSHIKAWA, Masatoshi , KAI, Tadashi , HASHIMOTO, Yutaka , TOKO, Masaru , YODA, Hiroaki , OH, Jae Geun , LEE, Keum Bum , RYU, Choon Kun , LEE, Hyung Suk , KIM, Sook Joo
发明人： NAKAYAMA, Masahiko , YOSHIKAWA, Masatoshi , KAI, Tadashi , HASHIMOTO, Yutaka , TOKO, Masaru , YODA, Hiroaki , OH, Jae Geun , LEE, Keum Bum , RYU, Choon Kun , LEE, Hyung Suk , KIM, Sook Joo
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes a reference layer, a tunnel barrier layer, a storage layer. The storage layer includes a first region and a second region provided outside the first region to surround the first region, the second region including element included in the first region and another element being different from the element. The magnetoresistive element further includes a cap layer including a third region and a fourth region provided outside the third region to surround the third region, the fourth region including an element included in the third region and the another element.
摘要翻译：根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。磁阻元件包括参考层，隧道势垒层，存储层。存储层包括第一区域和设置在第一区域外部以围绕第一区域的第二区域，第二区域包括包含在第一区域中的元素，而另一个元素不同于元件。磁阻元件进一步包括覆盖层，其包括第三区域和设置在第三区域外部以包围第三区域的第四区域，第四区域包括包括在第三区域中的元件和另一元件。

7. 发明申请

WO2014148872A1 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 및 이들의 제조방법 审中-公开
标题翻译：具有双向开关特性的电源开关元件，包括它们的电阻式记忆体跨点阵列，以及用于制造两端开关元件和交叉点电阻记忆阵列的方法
公开(公告)号：WO2014148872A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/KR2014/002423
申请日：2014-03-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 홍진표 , 배윤철 , 이아람 , 백광호
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/861 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要： 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 및 이들의 제조방법을 제공한다. 상기 2-단자 스위칭 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 각각 전기적으로 접속하는 한 쌍의 제1 도전형 금속 산화물 반도체층들이 배치된다. 상기 제1 도전형 금속 산화물 반도체층들 사이에 제2 도전형 금속 산화물 반도체층이 배치된다. 따라서, 서로 대칭적인 양방향 스위칭 특성을 나타낼 수 있다.
摘要翻译：提供了具有双向开关特性的双端开关元件，包括该双端开关特性的电阻式存储器交叉点阵列，以及用于制造双端开关元件和交叉点电阻式存储器阵列的方法。两端开关元件包括第一电极和第二电极。提供分别与第一电极和第二电极电连接的一对第一导电金属氧化物半导体层。第二导电金属氧化物半导体层设置在第一导电金属氧化物半导体层之间。因此，两端开关元件可以显示对称和双向的开关特性。

8. 发明申请

WO2013093110A1 THERMOCHROMES EINZEL- UND MEHRSCHICHTSYSTEM, DESSEN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译： THERMO铬合金单，多层次的系统，它的生产和使用
公开(公告)号：WO2013093110A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/EP2012/076862
申请日：2012-12-22
申请人： HELMHOLTZ-ZENTRUM DRESDEN - ROSSENDORF E.V.
发明人： SCHMIDT, Heidemarie , SKORUPA, Ilona
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G02F1/01 , H01L27/22
CPC分类号： H01L45/065 , G02F1/15 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L45/1213 , H01L45/146
摘要： Die Anmeldung beschreibt ein elektrisches Element, das Einzel- oder Mehrschichtsysteme umfasst, wobei die Komponenten des Einzel- und Mehrschichtsystems teilweise oder vollständig aus thermochromem Material (1, 2, 2') mit anisotropen oder isotropen Dielektrizitätseigenschaften bestehen und in sich strukturiert ausgeführt sein können. Diese Elemente können zum lokalen Heizen, als elektronische oder optische Detektoren und Schalter oder zur Magnetfelderzeugung genutzt werden.
摘要翻译：该申请描述了包括单个或多层系统，它为单和多层系统的部分或完全脱离热致变色材料（1，2，2“）的组分是可能的电气元件具有各向异性或各向同性的介电特性是由与本身执行图案化。这些元件可用于局部加热作为电子或光学检测器和交换机或用于磁场产生。

9. 发明申请

WO2011066324A2 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION 审中-公开
标题翻译：磁性隧道连接装置和制造
公开(公告)号：WO2011066324A2
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/US2010/057891
申请日：2010-11-23
申请人： QUALCOMM Incorporated , LI, Xia , KANG, Seung H. , ZHU, Xiaochun
发明人： LI, Xia , KANG, Seung H. , ZHU, Xiaochun
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01L21/00 , H01L27/224 , H01L43/08 , H04W52/12 , H04W52/26 , H04W52/34 , H04W52/44 , H04W52/54 , H04W72/1231 , H04W72/1247 , H04W72/1252 , H04W88/08 , H04W88/12
摘要： A magnetic tunnel junction (MTJ) device and fabrication method is disclosed. In a particular embodiment, a method is disclosed that includes forming a magnetic tunnel junction structure above a bottom electrode. The method also includes forming a diffusion barrier layer above and adjacent to the magnetic tunnel junction structure. The method further includes etching back the diffusion barrier layer, removing the diffusion barrier layer above the magnetic tunnel junction structure. The method also includes connecting a top of the magnetic tunnel junction structure to a conductive layer.
摘要翻译：公开了一种磁性隧道结（MTJ）器件及其制造方法。在特定实施例中，公开了一种方法，其包括在底部电极上形成磁性隧道结结构。该方法还包括在磁隧道结结构上方并邻近形成扩散阻挡层。该方法还包括蚀刻扩散阻挡层，去除在磁性隧道结结构上方的扩散阻挡层。该方法还包括将磁性隧道结结构的顶部连接到导电层。

10. 发明申请

WO2009098796A1 磁気メモリー素子、その駆動方法及び不揮発性記憶装置审中-公开
标题翻译：磁记忆元件，其驱动方法和非易失存储器
公开(公告)号：WO2009098796A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2008/065425
申请日：2008-08-28
申请人：富士電機ホールディングス株式会社 , 荻本泰史
发明人：荻本泰史
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/224 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/10
摘要：　クロスポイント型メモリーを実現する４Ｆ２サイズのメモリーセルを得るために、フリー層５、非磁性層４、ピン層３からなるスピンバルブ構造を有する磁気メモリー素子を用いる。ピン層またはフリー層がＮ型フェリ磁性体を含み、そのＮ型フェリ磁性体の磁気補償点は、フリー層とピン層の磁化の組み合わせを制御する書き込みパルスのあるものを印加したときに到達するピン層の温度より低く、別の書き込みパルスを印加したときに到達するピン層の温度よりも高い。これらの書き込みパルスは同一の極性にすることができる。
摘要翻译：为了获得用于实现交叉点存储器的4F2尺寸的存储单元，使用具有包括自由层（5），非磁性层（4）和钉扎层（3）的自旋阀结构的磁存储元件。钉扎层或自由层包括n型铁磁体。当施加用于控制自由层和钉扎层的磁化的组合的一些写入脉冲并且高于被钉扎层的温度时，n型铁磁体的磁补偿点低于达到的钉扎层的温度当应用另一写入脉冲时。这些写入脉冲可以具有相同的极性。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式