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1. 发明申请

WO2003050872A1 不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：WO2003050872A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/JP2002/012691
申请日：2002-12-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
发明人：田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要： A nonvolatile memory (1) comprising an insulation substrate (11) having first electrodes (15) penetrating through front and back faces, second electrodes (12) formed on one face of the insulation substrate (11), and recording layers (14) sandwiched by the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and changing a resistance value by impressing an electric pulse between the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and keeping the first electrodes (15) electrically connected to the recording layers (14)in a region constituting a single memory cell (MC). This nonvolatile memory (1) enables a reduction in power consumption to provide a high degree of design freedom and a high reliability.
摘要翻译：一种非易失性存储器（1），包括具有穿过前后表面的第一电极（15）的绝缘基板（11），形成在所述绝缘基板（11）的一个面上的第二电极（12）和夹在所述绝缘基板通过第一电极（15）和第二电极（12），并且通过在第一电极（15）和第二电极（12）之间施加电脉冲来改变电阻值，并且保持第一电极（15）电连接到记录层（14）在构成单个存储单元（MC）的区域中。该非易失性存储器（1）能够降低功耗以提供高度的设计自由度和高可靠性。

2. 发明申请

WO2003001599A1 半導体装置及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：WO2003001599A1
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/JP2002/006250
申请日：2002-06-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , G11C11/22 , G11C11/223 , G11C11/54 , G11C11/5657 , H01L27/105 , H01L27/11507 , H01L29/7881
摘要： A semiconductor device has a control voltage supply section (110), a MOS transistor having a gate electrode (109), drain region (103a), and source region (103b), and a dielectric capacitor (104) and a resistance element (106) interposed in parallel between the gate electrode (109) and the control voltage supply section (110). This constitution makes it possible to vary the threshold value of the MOS transistor by the accumulation of charges in the intermediate electrode and the gate electrode (109) of the dielectric capacitor (104) with a voltage impressed. Therefore, the history of input signals can be stored as the variation of the drain current of the MOS transistor, thereby holding multivalued information.
摘要翻译：半导体器件具有控制电压供给部（110），具有栅极（109），漏极区（103a）和源极区（103b）的MOS晶体管，以及介电电容器（104）和电阻元件（106））插入在栅电极（109）和控制电压供给部（110）之间。该结构使得可以通过施加电压的介电电容器（104）的中间电极和栅电极（109）中的电荷的累积来改变MOS晶体管的阈值。因此，可以将输入信号的历史存储为MOS晶体管的漏极电流的变化，从而保持多值信息。

3. 发明申请

WO2002101928A1 不揮発性セレクタ及び集積回路装置审中-公开
标题翻译：非线性选择器和集成电路器件
公开(公告)号：WO2002101928A1
公开(公告)日：2002-12-19
申请号：PCT/JP2002/005631
申请日：2002-06-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： G11C11/22 , G11C8/10 , H03K17/693
摘要： A multiplexer comprises a first stage gate having first to fourth switching units (10A−10D). Each switching unit (10) comprises a series capacitor (3) and an FET (4). The series capacitor (3) has a ferroelectric capacitor (1) and a paraelectric capacitor (2), and the intermediate node thereof is connected to a gate electrode (8) of the FET (4). A voltage is distributed to the intermediate node (9) according to the difference between the capacitances of the two capacitors so that the FETs (4) of the switching units (10A and 10B) are alternately switched on/off according to the logical values 1 and 0 of a selection signal (D1) in a unit sellector (Usell) comprising the switching units (10A and 10B), and the operating state is stored in the ferroelectric capacitor (1) in a nonvolatile manner.
摘要翻译：多路复用器包括具有第一至第四开关单元（10A-10D）的第一级门。每个开关单元（10）包括串联电容器（3）和FET（4）。串联电容器（3）具有铁电电容器（1）和顺电电容器（2），其中间节点连接到FET（4）的栅电极（8）。根据两个电容器的电容之间的差异，将电压分配给中间节点（9），使得开关单元（10A和10B）的FET（4）根据逻辑值1交替地接通/断开和包含开关单元（10A和10B）的单元谐振器（Usell）中的选择信号（D1）的0，并且操作状态以非易失性方式存储在铁电电容器（1）中。

4. 发明申请

WO2004100266A1 不揮発性メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2004100266A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/006485
申请日：2004-05-07
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
摘要：第１の基板（１００）と、第２の基板（１１０）とを備え、第１の基板（１００）は、マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子（４）と、各スイッチング素子（４）に電気的に接続された複数の第１の電極（１８）とを有し、第２の基板（１１０）は、導電膜（３２）と、電気的パルスが印加されることにより抵抗値が変化する記録層（３４）とを有しており、　複数の第１の電極（１８）は、記録層（３４）により一体的に覆われており、これによって、複数の第１の電極（１８）と導電膜（３２）との間に記録層（３４）が挟持され、第１の基板（１００）は、第２の電極（２２）をさらに備え、第２の電極（２２）は、導電膜（３２）と電気的に接続され、記録層（３４）への通電時に一定電圧に保持される不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、高集積度を低コストで実現することができる。
摘要翻译：公开了一种包括第一基板（100）和第二基板（110）的非易失性存储器。第一基板（100）包括布置成矩阵的多个开关器件（4）和电连接到各个开关器件（4）的多个第一电极（18）。第二基板（110）包括通过施加电脉冲而改变电阻的导电膜（32）和记录层（34）。第一电极（18）与记录层（34）一体地覆盖，使得记录层（34）保持在第一电极（18）和导电膜（32）之间。第一基板（100）还包括电流连接到导电膜（32）并且当电流通过记录层（34）时保持在一定电压下的第二电极（22）。利用这种非易失性存储器，可以以低成本实现高集成度。

5. 发明申请

WO2002082526A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2002082526A1
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/JP2002/003365
申请日：2002-04-03
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
发明人：森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L29/802 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L28/55 , H01L29/1054 , H01L29/783 , H01L29/78687
摘要： A silicon oxide film (102), a Pt film (103x), a Ti film (104x), and a PZT film (105x) are deposited on an Si substrate (101) in order. The Si substrate (101) is placed in a chamber (106), and the PZT film (105x) is irradiated with a millimeter wave (108). By the irradiation, the dielectric films such as the PZT film can be locally heated. Thus, the leak characteristics of the dielectric films can be improved without adversely influencing the device on the Si substrate (101).
摘要翻译：在Si衬底（101）上依次沉积氧化硅膜（102），Pt膜（103x），Ti膜（104x）和PZT膜（105x）。将Si衬底（101）放置在室（106）中，并用毫米波（108）照射PZT膜（105x）。通过照射，可以局部加热诸如PZT膜的电介质膜。因此，可以提高电介质膜的泄漏特性，而不会对Si衬底（101）上的器件产生不利影响。

6. 发明申请

WO2004008535A1 不揮発性メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2004008535A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008349
申请日：2003-07-01
申请人：松下電器産業株式会社 , 森本廉 , 田中英行 , 大塚隆 , 宮本明人
发明人：森本廉 , 田中英行 , 大塚隆 , 宮本明人
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C13/0004 , H01L27/0814 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L45/1675
摘要：第１の電極（１１）および第２の電極（１２）と、前記第１の電極（１１）と第２の電極（１２）との間に挟持され、前記第１の電極（１１）および第２の電極（１２）間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する相変化記録体（１４）とを備え、前記第１の電極（１１）および第２の電極（１２）の少なくとも一方が、ルテニウム、ロジウム又はオスミウムの少なくとも１種類以上を主成分として含んでおり、前記相変化記録体（１４）は、カルコゲン元素を含む相変化材料からなる不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、通電による特性劣化（すなわち、電極と相変化記録体との不純物相互拡散）を抑制して、耐久性および信頼性を高めることができる。
摘要翻译：一种非易失性存储器，包括插入在第一和第二电极（11,12）之间的第一和第二电极（11,12）和相变记录体（14），并且当电脉冲施加在第一和第二电极第二电极（11,12），其中第一和第二电极（11,12）中的至少一个包含至少一种钌，铑和锇作为主要成分，并且相变记录体（14）由含有硫属元素的相变材料制成。由于当前的应用，非易失性存储器没有特征劣化（即，电极和相变记录体之间的杂质的相互扩散），从而提高了耐久性和可靠性。

7. 发明申请

WO2004059838A1 不揮発性ラッチ回路及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性锁闩电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2004059838A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/015958
申请日：2003-12-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
发明人：豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： G11C11/22 , H03K17/693
摘要：本発明に係る不揮発性ラッチ回路１０は、第１の電極１ａ、第２の電極１ｂ、及びこれら電極間に介在する強誘電体膜１ｃを有する強誘電体キャパシタ１と、第１の電極１ａに接続されるリセット端子Ｔreと、強誘電体キャパシタ１の第２の電極１ｂに接続されるＣＭＯＳインバータ素子２と、第２の電極１ｂに電圧を印加する電圧切り換え用端子Ｔplと、第２の電極１ｂと第２の入力端子Ｔplとの間に接続され、第２の電極１ｂに印加される電圧を切り換えるスイッチング素子５と、このスイッチング素子５にオン・オフを切り換えるための電圧を印加するセット端子Ｔseとを備えており、強誘電体膜１ｃに残留する分極によって第２の電極１ｂに生じる電圧が、ＣＭＯＳインバータ素子２のＮＭＩＳＦＥＴ４のしきい値電圧Ｖtnよりも高くなるように構成されている。
摘要翻译：非易失性锁存电路（10）包括具有第一电极（1a），第二电极（1b）和插入在这些电极之间的铁电体膜（1c）的铁电电容器（1），复位端子（Tre）连接到第一电极（1a），连接到第二电极（1b）的CMOS反相器（2），用于向第二电极（1b）施加电压的电压切换端子（Tpl）;连接在第二电极用于切换施加到第二电极（1b）的电压的第二电极（1b）和第二输入端子（Tpl）以及用于向切换装置（5）施加开/关切换电压的设定端子（Tse）。非易失性锁存电路（10）被设计成通过剩余在铁电体膜（1c）中的极化施加到第二电极（1b）的电压高于NMISFET（4）的阈值电压（Vtn） CMOS反相器（2）。

8. 发明申请

WO2007088959A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2007088959A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051766
申请日：2007-02-02
申请人：日本電気株式会社 , 野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
发明人：野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
IPC分类号： H01S5/022 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/4232 , G02B6/4292 , H01L25/167 , H01L31/02002 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49109 , H01L2224/73253 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/184 , H05K3/3405 , H05K3/403 , H05K2201/10121 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本発明は、電気信号と光信号とを相互に変換する光電変換素子１０３と、光電変換素子１０３と電気的に接続される光通信用ＬＳＩ１０２とを備える。また、光電変換素子１０３および光通信用ＬＳＩ１０２がフリップチップ実装される複数の電極２０１，２０２と、各電極２０１，２０２を電気的に接続する複数の配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとを有し、配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃが上面、下面、内部にそれぞれ設けられた電気配線用基板１０１を備える。そして、電気配線用基板１０１の側面には、光電変換素子１０３が接合される電極２０１，２０２が設けられている。
摘要翻译：光模块设置有用于交替地转换电信号和光信号的光电转换元件（103）和与光电转换元件（103）电连接的光通信LSI（102）。光模块还设置有具有多个电极（201,202）的电气布线板（101），随后将光电转换元件（103）和光通信LSI（102）倒装安装，并且多个电连接电极（201,202）的布线层（101a，101b，101c）。布线层（101a，101b，101c）分别布置在电气布线板中的上平面，下平面和侧平面上。在电气布线板（101）的侧面设有用于耦合光电转换元件（103）的电极（201,202）。

9. 发明申请

WO2004010503A1 強誘電体ゲートデバイス审中-公开
标题翻译：电炉门装置
公开(公告)号：WO2004010503A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/008951
申请日：2003-07-15
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C11/22
摘要：強誘電体キャパシタ（１）と、印加電圧に応じて抵抗またはキャパシタとして振る舞うスイッチ素子（２）と、ソース、ドレイン、およびゲートを有する電界効果トランジスタ（６）とを備え、前記強誘電体キャパシタ（１）の一端には入力端子（ＩＮ）が備えられ、前記強誘電体キャパシタ（１）の他端と前記スイッチ素子（２）の一端とが接続され、前記スイッチ素子（２）の他端と前記電界効果トランジスタ（６）のゲートとが接続され、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）以上の電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）は抵抗として振る舞い、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）よりも小さい電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）はキャパシタとして振る舞う強誘電体ゲートデバイス。　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：铁电栅极器件包括铁电电容器（1），根据施加的电压起电阻器或电容器起作用的开关元件（2），具有源极，漏极和栅极的场效应晶体管（6）。铁电电容器（1）的一端具有输入端（IN）。铁电电容器（1）的另一端连接到开关元件（2）的一端。开关元件（2）的另一端连接到场效应晶体管（6）的栅极。当对输入端子施加电压，并且对铁电电容器（1）施加等于或高于强电介质电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压时，开关元件（2）作为一个电阻当向输入端子施加电压并且将小于电介质铁电电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压施加到铁电电容器（1）时，开关元件（2）用作电容器。

10. 发明申请

WO2009001822A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2009001822A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061462
申请日：2008-06-24
申请人：日本電気株式会社 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
发明人：小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/42 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/421 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/02469
摘要：　光モジュールは、光が出射又は入射する方向と、光モジュールからの放熱方向とが同じ方向である。光素子と光結合された光伝送路とヒートシンクとは、直接に又は熱良導体を介して接触する。光モジュールから発生する熱が、光伝送路１４及びヒートシンク１９を経由して効果的に放熱される。
摘要翻译：公开了一种光学模块，其中发射或入射光的方向和来自光学模块的热量的散发方向是相同的。光学耦合到光学装置和散热器的光传输线路直接或通过高度导热的主体相互接触。因此，可以通过光传输线（14）和散热片（19）有效地消散由光学模块产生的热量。

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