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1. 发明申请

WO2004100266A1 不揮発性メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2004100266A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/JP2004/006485
申请日：2004-05-07
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：森田清之 , 山田昇 , 宮本明人 , 大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
摘要：第１の基板（１００）と、第２の基板（１１０）とを備え、第１の基板（１００）は、マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子（４）と、各スイッチング素子（４）に電気的に接続された複数の第１の電極（１８）とを有し、第２の基板（１１０）は、導電膜（３２）と、電気的パルスが印加されることにより抵抗値が変化する記録層（３４）とを有しており、　複数の第１の電極（１８）は、記録層（３４）により一体的に覆われており、これによって、複数の第１の電極（１８）と導電膜（３２）との間に記録層（３４）が挟持され、第１の基板（１００）は、第２の電極（２２）をさらに備え、第２の電極（２２）は、導電膜（３２）と電気的に接続され、記録層（３４）への通電時に一定電圧に保持される不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、高集積度を低コストで実現することができる。
摘要翻译：公开了一种包括第一基板（100）和第二基板（110）的非易失性存储器。第一基板（100）包括布置成矩阵的多个开关器件（4）和电连接到各个开关器件（4）的多个第一电极（18）。第二基板（110）包括通过施加电脉冲而改变电阻的导电膜（32）和记录层（34）。第一电极（18）与记录层（34）一体地覆盖，使得记录层（34）保持在第一电极（18）和导电膜（32）之间。第一基板（100）还包括电流连接到导电膜（32）并且当电流通过记录层（34）时保持在一定电压下的第二电极（22）。利用这种非易失性存储器，可以以低成本实现高集成度。

2. 发明申请

WO2003050872A1 不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：WO2003050872A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/JP2002/012691
申请日：2002-12-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
发明人：田中英行 , 大塚隆 , 森田清之 , 森本廉
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要： A nonvolatile memory (1) comprising an insulation substrate (11) having first electrodes (15) penetrating through front and back faces, second electrodes (12) formed on one face of the insulation substrate (11), and recording layers (14) sandwiched by the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and changing a resistance value by impressing an electric pulse between the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and keeping the first electrodes (15) electrically connected to the recording layers (14)in a region constituting a single memory cell (MC). This nonvolatile memory (1) enables a reduction in power consumption to provide a high degree of design freedom and a high reliability.
摘要翻译：一种非易失性存储器（1），包括具有穿过前后表面的第一电极（15）的绝缘基板（11），形成在所述绝缘基板（11）的一个面上的第二电极（12）和夹在所述绝缘基板通过第一电极（15）和第二电极（12），并且通过在第一电极（15）和第二电极（12）之间施加电脉冲来改变电阻值，并且保持第一电极（15）电连接到记录层（14）在构成单个存储单元（MC）的区域中。该非易失性存储器（1）能够降低功耗以提供高度的设计自由度和高可靠性。

3. 发明申请

WO2004008535A1 不揮発性メモリおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2004008535A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008349
申请日：2003-07-01
申请人：松下電器産業株式会社 , 森本廉 , 田中英行 , 大塚隆 , 宮本明人
发明人：森本廉 , 田中英行 , 大塚隆 , 宮本明人
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C13/0004 , H01L27/0814 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L45/1675
摘要：第１の電極（１１）および第２の電極（１２）と、前記第１の電極（１１）と第２の電極（１２）との間に挟持され、前記第１の電極（１１）および第２の電極（１２）間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する相変化記録体（１４）とを備え、前記第１の電極（１１）および第２の電極（１２）の少なくとも一方が、ルテニウム、ロジウム又はオスミウムの少なくとも１種類以上を主成分として含んでおり、前記相変化記録体（１４）は、カルコゲン元素を含む相変化材料からなる不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、通電による特性劣化（すなわち、電極と相変化記録体との不純物相互拡散）を抑制して、耐久性および信頼性を高めることができる。
摘要翻译：一种非易失性存储器，包括插入在第一和第二电极（11,12）之间的第一和第二电极（11,12）和相变记录体（14），并且当电脉冲施加在第一和第二电极第二电极（11,12），其中第一和第二电极（11,12）中的至少一个包含至少一种钌，铑和锇作为主要成分，并且相变记录体（14）由含有硫属元素的相变材料制成。由于当前的应用，非易失性存储器没有特征劣化（即，电极和相变记录体之间的杂质的相互扩散），从而提高了耐久性和可靠性。

4. 发明申请

WO2003085741A1 不揮発性フリップフロップ审中-公开
标题翻译：非挥发性飞溅
公开(公告)号：WO2003085741A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004204
申请日：2003-04-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C14/0072 , G11C8/16 , G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L21/28291 , H01L27/101 , H01L27/11 , H03K3/356008
摘要：本発明の不揮発性フリップフロップは、一対の逆論理のデータを記憶するための一対の記憶ノード（５、６）を有するフリップフロップ部（４）と、スイッチング素子（９、１０）を介して、前記一対の記憶ノード（５、６）とそれぞれ接続され、その抵抗が保存可能に変化する一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）とを備え、ストア動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれの電位に応じて、前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗を変化させ、リコール動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれを前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗の差に応じた電位にすることが可能なように構成されている。
摘要翻译：非易失性触发器包括具有用于存储一对反向逻辑数据的一对存储节点（5,6）和一对非易失性电阻变化元件（11,12）的触发器单元（4）分别经由开关元件（9,10）连接到所述一对存储节点（5,6）并且以可以存储的方式改变其电阻。在存储操作中，一对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻根据该对存储节点（5,6）的电位而改变，并且在调用操作中，该对存储节点 5，6）被设定为对应于该对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻之差的电位。

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