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1. 发明申请

WO2013027247A1 情報処理装置及び情報処理装置の制御方法审中-公开
标题翻译：信息处理装置和控制信息处理装置的方法
公开(公告)号：WO2013027247A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/JP2011/004743
申请日：2011-08-25
申请人：富士通株式会社 , 北原義博
发明人：北原　義博
IPC分类号： G06F15/173 , G06F13/38
CPC分类号： G06F13/4059 , G06F13/4022 , G06F15/173 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要：（課題）バッファ容量を大きくすること無く、クロスバーの効率的な伝送を行うことが出来る情報処理装置及び情報処理装置の制御方法を提供することを目的とする。（解決手段）　複数のプロセッサと、複数のプロセッサ間のパケットを中継するクロスバースイッチと、各々が複数のプロセッサのひとつに対応し、クロスバースイッチ経由で受信した対応プロセッサ宛のパケットを、送信元のプロセッサ毎に記憶する複数の出力バッファと、複数のプロセッサの各々に対応して設けられ、対応するプロセッサから送信される他のプロセッサ宛のパケットを記憶する入力バッファと、各々の出力バッファに対応して設けられ、対応する出力バッファの空き容量に応じた指示を前記各入力バッファへ行う指示部と、を有する。
摘要翻译：发明内容本发明的目的是提供一种能够在不增加缓冲器大小的情况下在交叉条上有效地传输的信息处理装置，并且提供一种用于控制这种信息处理装置的方法。信息处理装置包括：多个处理器; 在所述多个处理器之间中继分组的交叉开关; 多个输出缓冲器，每个输出缓冲器对应于所述多个处理器中的一个，并且相对于每个传输源处理器存储寻址到相应的处理器并通过横杆开关接收的分组; 输入缓冲器，其各自对应于所述多个处理器中的每一个，并且存储从相应处理器发送并寻址到其他处理器的数据包; 以及各个对应于每个输出缓冲器的命令单元，并且为每个输入缓冲器提供基于相应输出缓冲器中的可用空间的命令。

2. 发明申请

WO2006118055A1 無線送信装置、ポーラ変調送信装置及び無線通信装置审中-公开
标题翻译：无线电发射装置，极性调制发射装置和无线通信装置
公开(公告)号：WO2006118055A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/308440
申请日：2006-04-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 森本滋 , 松浦徹 , 足立寿史 , 石田薫
发明人：原義博 , 森本滋 , 松浦徹 , 足立寿史 , 石田薫
IPC分类号： H04B1/04 , H04Q7/38
CPC分类号： H04B1/406 , H04B1/0483
摘要：　電力効率が良好なマルチモード動作の無線送信装置を提供する。高周波信号処理回路１０１の無線ＧＳＭ／ＥＤＧＥ（ＵＢ）信号形成回路１０１－３から出力された変調信号は、ＧＳＭ変調信号出力時は高周波電力増幅器１０４に、ＥＤＧＥ変調信号出力時は高周波電力増幅器１０５に出力されるようにスイッチ１１５、１１７を切り替える。これにより、ＥＤＧＥ変調信号を、ＥＤＧＥ変調信号と最大出力電力や包絡線変動の有無に関して親和性のあるＵＭＴＳ変調信号用の高周波電力増幅器１０５を使用して電力増幅するので、ＥＤＧＥ変調方式の無線信号を高効率で電力増幅できるようになる。
摘要翻译：一种多模式操作的无线电发送装置，其功率效率优异。操作开关（115,117），使得来自高频信号处理电路（101）的无线电GSM / EDGE（UB）信号形成电路（101-3）的调制信号在高频功率放大器（104）期间被输出到高频功率放大器在输出EDGE调制信号期间输出GSM调制信号或输出到高频功率放大器（105）。以这种方式，EDGE调制信号通过使用用于UMTS调制信号的高频功率放大器（105）而被功率放大，该调制信号对于EDGE调制信号的最大输出功率或存在/不存在的包络变化，使得EDGE调制系统的无线电信号能够以高效率放大。

3. 发明申请

WO2005036739A1 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置审中-公开
标题翻译：传输设备，传输输出控制方法和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2005036739A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/011722
申请日：2004-08-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 荒屋敷護
发明人：原義博 , 荒屋敷護
IPC分类号： H03G3/00
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/02 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03G3/004 , H03G3/3042 , H03G2201/103 , H03G2201/307 , H03G2201/40 , H04B2001/045
摘要：本発明の課題は、高効率で線形性が良好でかつ広範囲な出力レベルをカバーすることができる送信装置を提供することである。　動作モード指定信号（１０７）に基づいて、高周波電力増幅器（１５）の動作モードを線形動作モードまたは飽和動作モードのいずれか１つに指定する。高周波電力増幅器（１５）の前段に設けられた可変利得増幅器（１４）の利得、および電源電圧／バイアス電流制御回路（１７）から高周波電力増幅器（１５）に供給される出力電圧（１０９）およびバイアス電流の値が切り替わる。飽和動作モードの場合、可変利得増幅器（１４）の利得は、線形動作モードの場合よりも所定量だけ大きくなるように構成されている。これにより、高周波電力増幅器１５は、指定された動作モードで動作し、出力送信電力範囲を広くとれる。
摘要翻译：可以提供能够表现出高效率和优选的线性度并且覆盖宽范围的输出电平的传输装置。根据操作模式指定信号（107），将高频功率放大器（15）的操作模式指定为线性操作模式或饱和操作模式。布置在高频功率放大器（15）的前级的可变增益放大器（14）的增益，从电源电压/偏置电流控制电路（17）提供的高频功率放大器（15）的输出电压（109）功率放大器（15），偏置电流值从一个切换到另一个。在饱和运行模式的情况下，使可变增益放大器（14）的增益大于线性运行模式预定量的增益。因此，高频功率放大器（15）在指定的运行模式下工作，可以获得宽范围的输出发送功率。

4. 发明申请

WO2006082894A1 送信装置及び無線通信装置审中-公开
标题翻译：发射机和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2006082894A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/JP2006/301775
申请日：2006-02-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 松浦徹
发明人：原義博 , 松浦徹
IPC分类号： H04B1/04 , H03F1/02 , H03F3/24
CPC分类号： H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0227 , H03F3/72 , H03F2200/324 , H03F2200/451
摘要：　送信出力信号（Ｓ６）の電力レベルが大きくなる第１モードでは、掛算器（２）の出力が振幅変調信号増幅器（４）へ入力され、振幅変調信号増幅器（４）からの電源電圧によって高周波電力増幅器（５）で非線形領域を用いた高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅変調が行われる。送信出力信号（Ｓ６）の電力レベルが小さくなる第２モードでは、掛算器（２）の出力が可変利得増幅器（７）へ入力され、可変利得増幅器（７）において高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅変調が行われる。振幅変調された信号は、高周波電力増幅器（５）を通過することなく出力される。
摘要翻译：在发送输出信号（S6）的功率电平增加的第一模式中，从乘法器（2）的输出被输入到幅度调制信号放大器（4），高频功率放大器（5）进行高调制通过使用非线性区域，来自幅度调制信号放大器（4）的电源电压的高频相位调制信号（S4）。在发送输出信号（S6）的功率电平降低的第二模式中，从乘法器（2）输出的第二模式被输入到可执行高频相位调制信号（S4）的幅度调制的可变增益放大器（7）。输出幅度调制信号而不通过高频功率放大器（5）。

5. 发明申请

WO2004070847A1 電界効果トランジスタ及びその製造方法、相補型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法和补充场效应晶体管
公开(公告)号：WO2004070847A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/001321
申请日：2004-02-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 高木剛
发明人：原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/783 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L27/092
摘要：　半導体基板の上に設けられた第１導電型の不純物を含むボディ領域を有する半導体層と、半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、半導体層のうち、ゲート電極の側下方に位置する領域に設けられ、第２導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域とを備え、ゲート電極とボディ領域とが電気的に短絡されている電界効果トランジスタであって、半導体層からソース領域及びドレイン領域を除いた領域のうち、ソース領域またはドレイン領域との接合部の少なくとも一部は、ボディ領域のうちソース領域及びドレイン領域との接合部を除く部分よりも高濃度で第１導電型の不純物を含んでいる。
摘要翻译：场效应晶体管包括设置在半导体衬底上并具有包含第一导电类型的杂质的体区的半导体层，设置在半导体层上的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的栅电极以及源极和漏极在栅电极下方对角设置半导体层并含有第二导电类型杂质的区域。栅电极与身体区域电短路。第一导电类型的杂质的浓度至少部分地连接到除了源极和漏极区域之外的源极或漏极区域的半导体层的接合部分比在体区域中的结合部分的浓度高，源极和漏极区域。

6. 发明申请

WO2003098698A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003098698A1
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/JP2003/006173
申请日：2003-05-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
发明人：井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/76895 , H01L29/783 , H01L29/78615 , H01L29/78621
摘要：本発明の半導体装置及びその製造方法は、半導体基板の所定領域(110)の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上にゲート電極(G)を形成し、所定領域(110)の平面視におけるゲート電極(G)の両側に位置する部分にそれぞれソース領域及びドレイン領域(2)を形成し、所定領域(110)のうちのソース領域及びドレイン領域(2)を除く領域からなるボディ領域(4)とゲート電極(G)とを電気的に接続するコンタクト(C1)を形成し、コンタクト(C1)のゲート電極(G)への接続部分を、平面視においてゲート電極(G)に交差するように形成する。
摘要翻译：一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的预定区域（110）上形成栅极绝缘膜。栅电极（G）形成在栅绝缘膜上。当从上方观察预定区域（110）的栅电极（G）时，源极区域和漏极区域（2）分别形成在两侧。形成电连接由除了预定区域（110）的源极和漏极区域（2）之外的区域和栅极电极（G）构成的体区域（4）的触点（C1）。当从上方观察时，触点（C1）与栅电极（G）的接合部与栅电极（G）交叉。

7. 发明申请

WO2003060992A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2003060992A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/JP2003/000141
申请日：2003-01-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 浅井明 , 菅原岳 , 空田晴之 , 大西照人
发明人：原義博 , 浅井明 , 菅原岳 , 空田晴之 , 大西照人
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , Y10S438/933
摘要： A buffer layer (2), an SiGe layer (3), and an Si cap layer (4) are formed over an Si substrate (1). By creating a mask on the substrate and carrying out patterning, a trench (7a) which reaches the Si substrate (1) and in which the side of the SiGe layer (3) is exposed is formed. The side of the trench (7a) is subjected to a heat treatment at 750° C for an hour, and thereby Ge contained in the surface portion of the SiGe layer (3) evaporates. As a result, a Ge evaporation region (8) having a Ge content lower than those of the other regions of the SiGe layer (3) is formed near the exposed portion of the SiGe layer (3) exposed in the trench (7a). Thereafter the side of the trench (7a) is oxidized.
摘要翻译：在Si衬底（1）上形成缓冲层（2），SiGe层（3）和Si覆盖层（4）。通过在基板上形成掩模并进行图案化，形成到Si衬底（1）上并且暴露SiGe层（3）的侧面的沟槽（7a）。将沟槽（7a）的一侧在750℃下进行1小时的热处理，由此，SiGe层（3）的表面部分所含的Ge蒸发。结果，在暴露在沟槽（7a）中的SiGe层（3）的暴露部分附近形成Ge含量低于SiGe层（3）的其他区域的Ge蒸镀区域（8）。此后，沟槽（7a）的一侧被氧化。

8. 发明申请

WO2012124350A1 眼鏡装置、表示装置、眼鏡装置及び表示装置を備える映像システム並びに眼鏡装置及び映像システムの制御方法审中-公开
标题翻译：玻璃设备，显示设备，用玻璃设备和显示设备提供的视频系统以及玻璃设备和视频系统的控制方法
公开(公告)号：WO2012124350A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/JP2012/001858
申请日：2012-03-16
申请人：パナソニック株式会社 , 原義博
发明人：原　義博
IPC分类号： H04N13/04
CPC分类号： H04N13/398 , H04N13/332 , H04N13/341
摘要：　本発明の眼鏡装置は、左眼及び右眼へ透過する映像光の量を増大又は減少させる変動タイミングを調整し、映像を立体的に知覚させるための調整動作を行う光量調整部と、前記調整動作に関する特性データを格納する記憶部と、前記変動タイミングを規定する同期制御信号を受信する受信部と、前記光量調整部を制御する第１制御部と、を備え、該第１制御部は、前記同期制御信号によって規定された前記変動タイミングを前記特性データに基づいて補正し、前記調整動作を制御することを特徴とする。
摘要翻译：该眼镜装置设置有：光量调节单元，其调整透射到左眼和右眼的视频光量增加或减少的改变定时，并执行调整操作以允许视频被感知立体; 存储单元，用于存储与调整操作相关的特征数据; 接收单元，用于接收定义所述改变定时的同步控制信号; 以及用于控制光量调节单元的第一控制单元。所述第一控制单元基于特征数据来校正由同步控制信号定义的改变定时，并且控制调整操作。

9. 发明申请

WO2012124343A1 眼鏡装置、表示装置、眼鏡装置及び表示装置を備える映像システム並びに映像システムの制御方法审中-公开
标题翻译：玻璃设备，显示设备，用玻璃设备和显示设备提供的视频系统以及玻璃设备和视频系统的控制方法
公开(公告)号：WO2012124343A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/JP2012/001827
申请日：2012-03-15
申请人：パナソニック株式会社 , 原義博 , 占部裕樹
发明人：原　義博 , 占部　裕樹
IPC分类号： H04N13/04 , G09G3/20 , G09G5/00 , G09G5/36
CPC分类号： H04N13/332 , G02B27/0093 , G02B27/2264 , G09G3/003 , H04N13/341 , H04N13/398 , H04N2213/008
摘要：　本発明の眼鏡装置は、観察者の左眼及び右眼への透過光量を調整し、映像を立体的に知覚させるように前記映像の観察を補助する補助動作を行う光量調整部と、前記補助動作を前記光量調整部に実行させるための電力を蓄える蓄電部と、前記蓄電部の状態を通知するための通知信号を送信する送信部と、を備え、前記通知信号は、前記蓄電部が充電中であるか否かを表す充電情報と、前記蓄電部に蓄えられている電力量を表す残量情報と、を含むことを特徴とする。
摘要翻译：该眼镜装置设置有：光量调节单元，其调节透射到观看者的左眼和右眼的光量，并且执行辅助操作以辅助视频的观看以允许其立体感觉; 蓄电单元，用于在光量调节单元中存储用于运行辅助操作的电力; 以及发送单元，用于发送关于电力存储单元的状态的通知的通知信号。通知信号包括指示蓄电单元是否正在充电的充电信息，以及表示存储在蓄电单元中的功率量的剩余电力信息。

10. 发明申请

WO2003095399A1 メチル基置換芳香族化合物の製造方法审中-公开
标题翻译：生产甲基取代芳族化合物的方法
公开(公告)号：WO2003095399A1
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/JP2003/005861
申请日：2003-05-12
申请人：新日本理化株式会社 , 岩村泰一郎 , 木原義博 , 服部和弘
发明人：岩村泰一郎 , 木原義博 , 服部和弘
IPC分类号： C07C1/22
CPC分类号： C07C1/22 , C07C1/207
摘要： A process for producing a methyl-substituted aromatic compound represented by the general formula (2): (X)a-Ar-(CH3)b [wherein X represents a substituent, e.g., OH, halogeno, or alkyl; a is 1 to 5; b is 1 to 3; and Ar represents an aromatic residue, provided that when a is 2 or larger, then any two adjacent groups each represented by X may be bonded to each other to form a ring], which comprises subjecting an aromatic compound represented by the general formula (1): (X)a-Ar-(Y)b [wherein X, Ar, a, and b are the same as defined above; and Y represents hydroxymethyl, (C1-18 alkyl)oxycarbonyl, mono- or di(C1-18 alkyl)acetal, or formyl] to catalytic hydrogenolysis in the presence of a zinc catalyst.
摘要翻译：一种制备由通式（2）表示的甲基取代的芳族化合物的方法：（X）a-Ar-（CH 3）b [其中X表示取代基，例如OH，卤代或烷基; a是1到5; b为1〜3; 并且Ar表示芳香族残基，条件是当a为2以上时，则由X表示的任意2个相邻基团可以相互结合形成环]，其包括使通式（1）表示的芳香族化合物）：（X）a-Ar-（Y）b [其中X，Ar，a和b与上述定义相同; 和Y代表羟基甲基，（C 1-18烷基）氧羰基，单或二（C 1-18烷基）缩醛或甲酰基]在锌催化剂存在下催化氢解。

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