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71. 发明申请

WO2012176990A1 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치 审中-公开
标题翻译：防指纹和防反射涂层方法和装置
公开(公告)号：WO2012176990A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/KR2012/003989
申请日：2012-05-21
申请人： 바코스 주식회사 , 김윤택
发明人： 김윤택
IPC分类号： C23C14/34 , C23C16/50 , C23C14/24 , C23C14/02
CPC分类号： G02B1/115 , C09D5/006 , C09D5/1693 , C23C14/083 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/402 , C23C16/50
摘要： 본 발명은 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치에 관한 것으로서, 기재 표면에 고굴절물질인 이산화티타늄(TiO 2 ) 또는 오산화니오븀(Nb 2 O 5 )과 저굴절물질인 이산화규소(SiO 2 )를 교대로 증착시켜 다층막을 형성하는 단계; 및 상기 다층막이 증착된 기재 표면에 불소화합물을 증착시키는 단계;를 포함하되, 상기 이산화티타늄(TiO 2 ) 또는 오산화니오븀(Nb 2 O 5 )은 스퍼터링(sputtering) 방식으로 증착하고, 상기 이산화규소(SiO 2 )는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착하며, 상기 불소화합물은 열증착(Thermal evaporation) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种抗指纹和抗反射涂层方法及装置。涂布方法包括以下步骤：将作为高折射材料的二氧化钛（TiO 2）或五氧化二铌（Nb 2 O 5）和作为低折射材料的二氧化硅（SiO 2）交替沉积在以形成多层膜; 以及在沉积有多层膜的基材的表面上沉积氟化合物。通过溅射工艺沉积二氧化钛（TiO 2）或五氧化二铌（Nb 2 O 5），通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺沉积二氧化硅（SiO 2）。此外，氟化合物通过热蒸发方法沉积。

72. 发明申请

WO2012155264A1 GROUP 11 MONO-METALLIC PRECURSOR COMPOUNDS AND USE THEREOF IN METAL DEPOSITION 审中-公开
标题翻译： 11组单金属前体化合物及其在金属沉积中的应用
公开(公告)号：WO2012155264A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/CA2012/050296
申请日：2012-05-04
申请人： GREENCENTRE CANADA , BARRY, Sean , COYLE, Jason , CLARK, Timothy James , HASTIE, Jeffrey J.M.
发明人： BARRY, Sean , COYLE, Jason , CLARK, Timothy James , HASTIE, Jeffrey J.M.
IPC分类号： C07F7/10 , C07F1/00 , C23C16/18
CPC分类号： C07F7/10 , C07F1/00 , C07F1/005 , C07F1/08 , C09D5/24 , C23C16/18 , C23C16/45553 , C23C16/50 , H01L21/32051
摘要： The present application provides precursor compounds useful for deposition of a group 11 metal on a substrate, for example, a microelectronic device substrate, as well as methods of synthesizing such precursor compounds. The precursor compounds provided are mono-metallic compounds comprising a diaminocarbene (DAC) having the general formula: DAC - M - X. Where the diaminocarbene is an optionally substituted, saturated N-heterocyclic diaminocarbene (sNHC) or an optionally substituted acyclic diaminocarbene, M is a group 11 metal, such as copper, silver or gold; and X is an anionic ligand. Also provided are methods of synthesizing the precursor compounds, metal deposition methods utilizing such precursor compounds, and to composite materials, such as, e.g., microelectronic device structures, and products formed by use of such precursors and deposition methods.
摘要翻译：本申请提供了可用于在基底上沉积11族金属的前体化合物，例如微电子器件底物，以及合成这些前体化合物的方法。所提供的前体化合物是包含具有以下通式的二氨基卡宾（DAC）的单金属化合物：DAC-M-X.其中二氨基卡宾是任选取代的饱和N-杂环二氨基卡宾（sNHC）或任选取代的非环状二氨基碳烯，M 是一组11金属，如铜，银或金; X是阴离子配体。还提供了合成前体化合物的方法，利用这种前体化合物的金属沉积方法以及复合材料，例如微电子器件结构，以及通过使用这些前体和沉积方法形成的产物。

73. 发明申请

WO2012154217A1 RF COUPLED PLASMA ABATEMENT SYSTEM COMPRISING AN INTEGRATED POWER OSCILLATOR 审中-公开
标题翻译：包含集成功率振荡器的射频耦合等离子体放电系统
公开(公告)号：WO2012154217A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/US2012/000235
申请日：2012-05-04
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , SRIVASTAVA, Aseem , DIVERGILIO, William
发明人： SRIVASTAVA, Aseem , DIVERGILIO, William
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： A61H35/006 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/50 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01J37/32844 , Y02C20/30
摘要： The present disclosure is directed towards a method and apparatus for generating an abatement plasma downstream of a processing chamber using an RF plasma ignited and sustained with an integrated power oscillator circuit driven by feedback based upon a load of the abatement plasma. In one embodiment, a plasma ashing system includes an abatement system configured to receive an effluent byproduct from an upstream processing chamber containing a workpiece. The effluent byproduct is provided along an exhaust conduit to a downstream afterburner unit having an integrated power oscillator, that relies upon an oscillating circuit operatively coupled to an antenna to ignite the abatement plasma within the exhaust conduit. The antenna, together with the plasma load, form a resonant tank circuit, which provides a feedback that drives operation of the oscillating circuit, thereby allowing the oscillating circuit to vary its output based upon changes in the abatement plasma load.
摘要翻译：本公开涉及一种用于使用使用基于消除等离子体的负载的反馈驱动的集成功率振荡器电路点燃和维持的RF等离子体来产生处理室下游的减排等离子体的方法和装置。在一个实施例中，等离子体灰化系统包括被配置为从包含工件的上游处理室接收流出物副产物的减排系统。流出物副产物沿着排气管道被提供到具有集成的功率振荡器的下游后燃器单元，其依赖于可操作地耦合到天线的振荡电路以点燃排气管道内的消除等离子体。天线与等离子体负载一起形成谐振回路，其提供驱动振荡电路的操作的反馈，从而允许振荡电路基于消除等离子体负载的变化来改变其输出。

74. 发明申请

WO2012140837A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2012140837A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/JP2012/002078
申请日：2012-03-26
申请人：パナソニック株式会社 , 岩井哲博
发明人：岩井　哲博
IPC分类号： H01L21/677 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： B05C13/00 , B44C1/227 , C23C16/50 , H01L21/6732 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/681 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：　プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。ドライエッチング装置（１）は基板（２）を収容した搬送可能なトレイ（３）を収納したカセット（６２）を含むストック部（１３）を備える。トレイ（３）の搬送機構（１５）を収容した搬送部（１２）内に、回転ステージ（３３）が設けられている。ドライエッチング前のトレイ（３）を載置した回転ステージ（３３）を回転させ、ノッチ検出センサー（４４）によりノッチ（３ｃ）を検出することでトレイ（３）の回転角度位置調整を行う。
摘要翻译：本发明减小等离子体处理装置的尺寸或减小安装表面积。干蚀刻装置（1）设置有库存单元（13），该库存单元包括容纳托盘（3）的容纳基板（2）的盒（62）。旋转台（33）设置在容纳托盘（3）的输送机构（15）的输送单元（12）内。在干蚀刻之前安装有托盘（3）的旋转台（33）旋转，并且通过用切口检测传感器检测凹口（3c）来进行托盘（3）的旋转角度的调整（44）。

75. 发明申请

WO2012132588A1 プラズマＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ方法、反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリング方法审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置，等离子体CVD方法，反应溅射装置和反应溅射方法
公开(公告)号：WO2012132588A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/053403
申请日：2012-02-14
申请人：東レ株式会社 , 江尻広恵 , 坂本桂太郎 , 野村文保 , 植田征典
发明人：江尻広恵 , 坂本桂太郎 , 野村文保 , 植田征典
IPC分类号： C23C16/455 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/455 , C23C16/45517 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J37/32752 , H01J37/3277 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J2237/3321 , H01J2237/3325
摘要：　真空容器内に、メインロールと、プラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
摘要翻译：提供一种等离子体CVD装置，其是在真空容器中设置有主辊和等离子体产生电极的真空成膜装置，并且在细长基材的表面上沿着表面传送细长的基材，形成薄膜的主辊，其中在细长基材的输送方向上的上游侧和下游侧设置有在细长基材的宽度方向上延伸的至少一个侧壁，并且将成膜空间夹持成为了围绕夹在主辊和等离子体产生电极之间的成膜空间，侧壁与等离子体产生电极电绝缘，并且至少一排气体供给孔排形成多个气体供给孔，细长基材的宽度方向设置在t的上游侧和下游侧的侧壁之一上他的延长基材的运输方向。

76. 发明申请

WO2012114611A1 クリーニングガス及びそれを用いたリモートプラズマクリーニング方法审中-公开
标题翻译：清洁气体和远程等离子体清洗方法
公开(公告)号：WO2012114611A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/JP2011/078855
申请日：2011-12-14
申请人：セントラル硝子株式会社 , 梅崎智典 , 大森啓之
发明人：梅崎　智典 , 大森　啓之
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/50 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要：　本発明のクリーニングガスは、一般式ＣＦ x Ｏ y ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１～３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１～４の整数を表す。］で表される化合物とＮ 2 が含有されている混合ガスであり、ＣＶＤ装置の反応チャンバー内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するために用いられる。該クリーニングガスは、ＮＦ 3 を用いた従来のクリーニングガスと比べ、地球温暖化係数が低く、高いエッチング速度が得られる。
摘要翻译：提供了一种清洁气体，其是包含由下式表示的化合物CF x O y（其中x为2或4，y =当x = 2或y = 1至4的整数时为1至3的整数的混合气体）当x = 4）和N2时。清洁气体用于通过远程等离子体清洗方法除去沉积在CVD装置的反应室中的Si含量，Ge含量或金属含量。与使用NF3的常规清洁气体相比，清洁气体实现了更低的全球变暖系数和更快的蚀刻速度。

77. 发明申请

WO2012090665A1 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス审中-公开
标题翻译：制造气体阻隔膜，气体阻隔膜和电子装置的方法
公开(公告)号：WO2012090665A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/078327
申请日：2011-12-07
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 森孝博
发明人：森　孝博
IPC分类号： B32B9/00 , B05D3/06 , B05D7/24
CPC分类号： H01L51/5253 , B05D1/60 , C23C16/0272 , C23C16/402 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L51/524
摘要：本発明は、ロール・トゥー・ロール方式の生産適性を有し、ガスバリア性能に優れるガスバリアフィルムを製造することができるガスバリアフィルムの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基材上に形成された第１のバリア層上に、ポリシラザン化合物を含有する塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程、及び、光源により、真空紫外線を照射して、第２のバリア層を形成する紫外線照射工程を有し、真空紫外線の照射の開始から終了までの間、塗膜が受ける塗膜面での真空紫外線の照度は１６０ｍＷ／ｃｍ２以下であり、塗膜面での該真空紫外線の照度が５０ｍＷ／ｃｍ２以上、１６０ｍＷ／ｃｍ２以下である期間Ｔを有し、Ｔ内に受ける、塗膜面におけるエネルギー量が、１８０ｍＪ／ｃｍ２以上１８００ｍＪ／ｃｍ２以下である、ガスバリアフィルムの製造方法に関する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种制造阻气膜的方法，所述方法适用于卷对卷生产，并且能够制造具有优异阻气性能的阻气膜。本发明涉及一种制造阻气膜的方法，所述方法具有：涂覆步骤，其中形成在基底上的第一阻挡层涂覆有聚硅氮烷溶液，形成涂层; 以及UV照射步骤，其中通过来自光源的真空UV照射形成第二阻挡层。从所述真空UV照射的开始到结束，上述涂层表面的真空UV辐照度为至多160mW / cm 2。存在在涂层表面处的真空UV辐照度为50〜160mW / cm 2的期间（T），并且在所述时间段（T）期间由涂层的表面接收的能量的量为介于180和1800mJ / cm 2之间。

78. 发明申请

WO2012090421A1 プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置
公开(公告)号：WO2012090421A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/007038
申请日：2011-12-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 徐舸 , 山中和人 , 廣石勉 , 平松祥悟
发明人：徐　舸 , 山中　和人 , 廣石　勉 , 平松　祥悟
IPC分类号： C23C16/503 , C01B31/02 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/0209 , C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/3266
摘要：　本発明は、成膜の際に基板温度を制御しつつ膜特性を制御することが可能なプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を提供する。本発明の一実施形態の係るプロセス室（２１）は、基板を保持するホルダ（１）と、プロセス室内に磁場を発生させる磁場形成手段（２９）と、磁場形成手段への膜の堆積を低減するためのシールド（２８）と、磁場形成手段の加熱を低減するための放熱シート（３２）と、磁場形成手段（２９）を移動させる移動手段（３３）と、を備える。磁場形成手段は、磁場形成手段とホルダとの間の体積が増減する方向に移動されることを特徴とする。この構成により、プロセス室内の、特に基板の近傍のプラズマ密度の分布を変化させ、その結果、電圧等の他の条件を変えなくとも成膜速度や基板温度を変化させることができる。
摘要翻译：本发明提供了一种等离子体CVD（化学气相沉积）装置，其可以在成膜期间控制膜性质和控制衬底温度。根据本发明的一个实施例的处理室（21）设置有：用于保持基板的保持器（1）; 用于在处理室内产生磁场的磁场形成装置（29）; 用于减小膜在磁场形成装置上的累积的屏蔽件（28）; 用于减小磁场形成装置的加热的散热片（32）; 以及用于移动磁场形成装置（29）的移动装置（33）。磁场形成装置的特征在于沿着增大和减小磁场形成装置和保持器之间的体积的方向移动。这种结构改变了处理室内，特别是在基板附近的等离子体密度的分布，结果可以改变成膜速度或基板温度，而不改变诸如电压的其它条件。

79. 发明申请

WO2012064349A1 SLEEP AID COMPOSITION AND METHOD 审中-公开
标题翻译：睡眠辅助组合物和方法
公开(公告)号：WO2012064349A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/US2010/058229
申请日：2010-11-29
申请人： FOREST, Carl A.
发明人： FOREST, Carl A.
IPC分类号： A01N43/42
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/352 , C23C16/50 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01J37/3458
摘要： A sleep composition including zolpidem and quetiapine in combination provides a healthy sleep pattern allowing the user to get seven or eight hours sleep. The amount of each ingredient in the combination is lower than the amount usually needed to provide this amount of sleep when the ingredients are being used alone.
摘要翻译：包括唑吡旦和喹硫平的睡眠组合组合提供了健康的睡眠模式，允许使用者睡眠七八小时。当单独使用成分时，组合中每种成分的量低于通常需要提供这一量的睡眠量。

80. 发明申请

WO2012026482A1 セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置审中-公开
标题翻译：形成陶瓷膜和陶瓷膜形成装置的方法
公开(公告)号：WO2012026482A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/JP2011/069021
申请日：2011-08-24
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 坂井智彦
发明人：坂井　智彦
IPC分类号： B05D7/24 , B05C9/12 , B05D3/06
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/50 , C23C16/545 , C23C16/56
摘要：　基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布し、形成した塗膜を真空紫外光の照射により改質処理し、生産効率がよく、ポリシラザン膜を効率よく改質することを可能とし、安定したセラミック膜形成方法及びセラミック膜形成装置を提供するため、連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法において、前記表面改質工程は、真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が１００００ｐｐｍ以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を有し、前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力を前記表面改質室の圧力よりも高く、又は低く制御することを特徴とするセラミック膜形成方法を用いる。
摘要翻译：提供一种用于形成陶瓷膜的稳定方法和将陶瓷成膜装置应用于基材并通过照射由真空紫外光形成的涂膜进行改性处理的陶瓷膜形成装置，从而可以有效地改性聚硅烷组成，生产效率好。为此，所使用的形成陶瓷膜的方法包括通过在连续输送的带状基材上施加聚硅烷组合物形成涂膜的施加步骤和通过照射该涂层进行表面改性的表面改性步骤此应用步骤后，带有真空紫外线的薄膜。该方法的特征在于具有真空紫外线照射装置的表面改性步骤和具有氧浓度为10,000ppm以下的表面改性室的表面改性装置和具有夹带空气消除装置的夹带空气消除室，表面改性室。夹带空气消除装置控制夹带空气消除室中的压力高于或低于表面改性室中的压力。

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