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1. 发明申请

WO2018217374A1 FIXED POSITION MASK FOR WORKPIECE EDGE TREATMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018217374A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：PCT/US2018/029005
申请日：2018-04-24
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： POTTER, Fletcher Ian , LAYNE, Philip , FERNLUND, Keith A. , SWEARS, Michael , SPRENKLE, Richard Allen
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/02021 , H01L21/26506 , H01L21/4871 , H01L21/67213 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/682 , H01L21/68721 , H01L21/68735
摘要： Embodiments of the disclosure include a fixed position mask for workpiece edge treatment. In some embodiments, an apparatus includes a roplat having a rotatable assembly, and a platen coupled to the rotatable assembly, wherein the platen is configured to hold a workpiece. The apparatus further includes a bracket affixed to the rotatable assembly, and a mask directly coupled to the bracket, wherein the mask is positioned adjacent the workpiece. The mask covers an inner portion of the platen and the workpiece, leaving just an outer circumferential edge of the workpiece exposed to an ion treatment. In some embodiments, the platen is permitted to rotate relative to the bracket during an ion treatment. In some embodiments, the mask includes a solid plate section devoid of any openings, and a mounting portion extending from the plate section, wherein the mounting portion is directly coupled to an extension arm of the bracket.

2. 发明申请

WO2018102305A1 TRANSLATING AND ROTATING CHUCK FOR PROCESSING MICROELECTRONIC SUBSTRATES IN A PROCESS CHAMBER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018102305A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/US2017/063486
申请日：2017-11-28
申请人： TEL FSI, INC.
发明人： HANZLIK, Edward Deneen , GRUENHAGEN, Michael , HERBST, Tim W.
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B7/0092 , H01L21/02052 , H01L21/6719 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785
摘要： Cleaning systems and methods for semiconductor fabrication use rotatable and translatable chuck assemblies that incorporate a compact drive system to cause chuck rotation. The system uses an offset drive gear that drives a ring gear. This reduces components whose friction or lubricants might generate undue contamination. The low friction chuck functionality of the present invention is useful in any fabrication tool in which a workpiece is supported on a rotating support during a treatment. The chuck is particularly useful in cryogenic cleaning treatments.

3. 发明申请

WO2017173094A1 APPARATUS AND METHODS FOR WAFER ROTATION IN CAROUSEL SUSCEPTOR 审中-公开
标题翻译： CAROUSEL SUSCEPTOR中晶片旋转的装置和方法
公开(公告)号：WO2017173094A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/US2017/025041
申请日：2017-03-30
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： GANGAKHEDKAR, Kaushal , YUDOVSKY, Joseph
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要： Apparatus and method for processing a plurality of substrates in a batch processing chamber are described. The apparatus comprises a susceptor assembly, a lift assembly and a rotation assembly. The susceptor assembly has a top surface and a bottom surface with a plurality of recesses in the top surface. Each of the recesses has a lift pocket in the recess bottom. The lift assembly including a lift plate having a top surface to contact the substrate. The lift plate is connected to a lift shaft that extends through the susceptor assembly and connects to a lift friction pad. The rotation assembly has a rotation friction pad that contacts the lift friction pad. The rotation friction pad is connected to a rotation shaft and can be vertically aligned with the lift friction pad.
摘要翻译：描述了用于在批处理室中处理多个基板的设备和方法。该装置包括感受器组件，升降组件和旋转组件。感受器组件具有顶表面和底表面，顶表面中具有多个凹陷。每个凹槽在凹槽底部具有升降凹槽。升降组件包括升降板，升降板具有与基板接触的顶表面。升降板连接到延伸穿过基座组件并连接到升降摩擦垫的升降轴。旋转组件具有接触升降摩擦垫的旋转摩擦垫。旋转摩擦垫连接至旋转轴并且可以与升降摩擦垫垂直对齐。

4. 发明申请

WO2017070634A1 METHODS FOR SPATIAL METAL ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：空间金属原子层沉积的方法
公开(公告)号：WO2017070634A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/US2016/058346
申请日：2016-10-22
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHAN, Kelvin , CHEN, Yihong
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/00 , C23C16/0272 , C23C16/14 , C23C16/45525 , H01L21/68764
摘要： Methods for depositing a film comprising cyclical exposure of a substrate surface to a silicon precursor to form a nucleation layer and sequential exposure to a metal precursor and a reductant to form a metal layer on the nucleation layer.
摘要翻译：用于沉积膜的方法包括将衬底表面循环暴露于硅前体以形成成核层并且依次暴露于金属前体和还原剂以在成核层上形成金属层。 / p>

5. 发明申请

WO2016158410A1 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：WO2016158410A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/058288
申请日：2016-03-16
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：尾辻　正幸
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67034 , B08B3/024 , B08B3/106 , H01L21/02057 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6732 , H01L21/68764
摘要：　基板処理装置は、水平状態に基板（９）を保持する基板保持部と、基板（９）の上面（９１）上に第１処理液および第１処理液よりも比重が小さく沸点が高い第２処理液を供給し、第１処理液の液膜である第１液膜（７１）、および、第１液膜（７１）の上面（７３）を覆う第２処理液の液膜である第２液膜（７２）を基板（９）の上面（９１）上に形成する処理液供給部とを備える。基板処理装置では、第１処理液の沸点以上かつ第２処理液の沸点よりも低い温度にて第１液膜（７１）の加熱が行われることにより、第２液膜（７２）と基板（９）との間にて気化した第１処理液により、基板（９）の上面（９１）上の異物を基板（９）の上面（９１）から剥離させて第２液膜（７２）内へと移動させる。これにより、基板（９）の上面（９１）の損傷を抑制しつつ、基板（９）上から異物を好適に除去することができる。
摘要翻译：该基板处理装置设置有：用于将基板（9）保持在水平状态的基板保持单元; 以及用于将具有比第一处理溶液低的比重和较高沸点的第一处理溶液和第二处理溶液按顺序提供到基板（9）的上表面（91）上的处理溶液供应单元在基板（9）的上表面（91）上形成作为第一处理液的液膜的第一液膜（71）和作为第二处理液的液膜的第二液膜（72）覆盖第一液膜（71）的上表面（73）。在该基板处理装置中，第一液膜（71）在大于或等于第一处理液的沸点但低于第二处理液的沸点的温度下被加热，由此在上表面通过在第二液膜（72）和第二液膜（72）之间蒸发的第一处理液从基板（9）的上表面（91）去除基板（9）的第一处理液（91）并移动到第二液膜基板（9）。因此，可以在抑制基板（9）的上表面（91）的损伤的同时从基板（9）适当地移除异物。

6. 发明申请

WO2016054531A1 HIGH TEMPERATURE SILICON OXIDE ATOMIC LAYER DEPOSITION TECHNOLOGY 审中-公开
标题翻译：高温硅氧化物原子层沉积技术
公开(公告)号：WO2016054531A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/US2015/053763
申请日：2015-10-02
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： YAN, Wenbo , TRINH, Cong , LI, Ning , NGUYEN, Victor , BALSEANU, Mihaela , XIA, Li-Qun , SALY, Mark
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , G05B2219/45031 , G05B2219/45232 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/68764
摘要： Processes for depositing SiO 2 films on a wafer surface utilizing an aminosilane compound as a silicon precursor are described.
摘要翻译：描述了使用氨基硅烷化合物作为硅前体在晶片表面上沉积SiO 2膜的工艺。

7. 发明申请

WO2015138094A1 WAFER ROTATION IN A SEMICONDUCTOR CHAMBER 审中-公开
标题翻译：半导体室中的波形旋转
公开(公告)号：WO2015138094A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/US2015/016199
申请日：2015-02-17
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BALASUBRAMANIAN, Ganesh , ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos , SANKARAKRISHNAN, Ramprakash , KIM, Robert , DU BOIS, Dale, R. , FLOYD, Kirby Hane , BANSAL, Amit Kumar , NGUYEN, Tuan Anh
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J2237/3321 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68792
摘要： A method and apparatus for processing a substrate are provided. The apparatus includes a pedestal and rotation member, both of which are moveably disposed within a processing chamber. The rotation member is adapted to rotate a substrate disposed in the chamber. The substrate may be supported by an edge ring during processing. The edge ring may selectively engage either the pedestal or the rotation member. In one embodiment, the edge ring engages the pedestal during a deposition process and the edge ring engages the rotation member during rotation of the substrate. The rotation of the substrate during processing may be discrete or continuous.
摘要翻译：提供了一种用于处理衬底的方法和设备。该装置包括基座和旋转构件，两者都可移动地设置在处理室内。旋转构件适于旋转设置在腔室中的衬底。衬底可以在加工过程中被边缘环支撑。边缘环可以选择性地接合基座或旋转构件。在一个实施例中，边缘环在沉积工艺期间接合基座，并且边缘环在基底旋转期间接合旋转构件。处理过程中衬底的旋转可以是离散的或连续的。

8. 发明申请

WO2015106261A1 SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITH SPATIAL ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：自对准双重图案与空间原子层沉积
公开(公告)号：WO2015106261A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：PCT/US2015/011185
申请日：2015-01-13
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： LI, Ning , NGUYEN, Victor , BALSEANU, Mihaela , XIA, Li-Qun , TANAKA, Keiichi , MARCUS, Steven D.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/31144 , C23C16/45551 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/0337 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： Provided are self-aligned double patterning methods including feature trimming. The SADP process is performed in a single batch processing chamber in which the substrate is laterally moved between sections of the processing chamber separated by gas curtains so that each section independently has a process condition.
摘要翻译：提供了包括特征修剪的自对准双重图案化方法。 SADP工艺在单批处理室中进行，其中衬底在由气帘分开的处理室的部分之间横向移动，使得每个部分独立地具有工艺条件。

9. 发明申请

WO2015098283A1 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置およびＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产SIC外延波形的装置及生产SIC外延波形的方法
公开(公告)号：WO2015098283A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/JP2014/078937
申请日：2014-10-30
申请人：昭和電工株式会社
发明人：乗松　潤 , 宮坂　晶 , 影島　慶明
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/683
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/325 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置は、簡便な構成でウェハ面内のキャリア濃度を均一化することができ、製造品質及び生産性に優れたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置およびＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することを目的とする。本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置は、凹状収容部を有する搭載プレート（２）と、前記凹状収容部（２３）内に配置され、上面にＳｉＣ基板が載置されるサテライト（３）と、前記凹状収容部（２３）内に、ＳｉＣ基板より下方の位置であってＳｉＣ基板に接触しない位置に配置されたカーボン部材と、を備えたことを特徴とする。
摘要翻译：根据本发明的用于生产SiC外延晶片的装置的目的是提供：一种用于制造SiC外延晶片的装置，其实现优异的生产率和生产质量，并且能够使晶片的面内载流子浓度统一通过简单的配置; 和SiC外延晶片。根据本发明的用于生产SiC外延晶片的装置的特征在于包括：具有凹形容器部分（23）的安装板（2）; 布置在所述凹状容器部（23）内并具有安装有SiC基板的上表面的卫星（3）以及碳构件，其设置在所述凹状容器部（23）内，使得所述碳构件位于所述SiC衬底的下方，而不与SiC衬底接触。

10. 发明申请

WO2015038361A1 APPARATUS AND METHOD FOR SCANNING AN OBJECT THROUGH A FLUID STREAM 审中-公开
标题翻译：通过流体流扫描物体的装置和方法
公开(公告)号：WO2015038361A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/US2014/053508
申请日：2014-08-29
申请人： TEL FSI, INC.
发明人： GOLUCH, Mark , ZIMMERMAN, David C. , LARSON, Robert E. , HANZLIK, Edward Deneen , THOMES, Gregory Paul , RATHMAN, Christina Ann
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/022 , B08B3/024 , B08B3/04 , B08B5/02 , B08B15/023 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/6708 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68792
摘要： An apparatus for treating the surface of a microelectronic workpiece via impingement of the surface with at least one fluid and a method for operating the apparatus are described. In particular, the apparatus includes a treatment chamber defining an interior space to treat the microelectronic workpiece with at least one fluid within the treatment chamber, and a movable chuck that supports the workpiece within the treatment chamber. The apparatus further includes a workpiece translational drive system configured to translate the movable chuck between a workpiece load position and at least one processing position at which the workpiece is treated with the at least one fluid using at least one nozzle connected to at least one fluid supply, and a workpiece rotational drive system configured to rotate the microelectronic workpiece.
摘要翻译：描述了通过至少一种流体冲击表面来处理微电子工件的表面的装置和用于操作该装置的方法。特别地，该设备包括处理室，其限定内部空间以利用处理室内的至少一个流体处理微电子工件;以及可移动卡盘，其在处理室内支撑工件。该装置还包括工件平移驱动系统，该工件平移驱动系统构造成使用至少一个连接至少一个流体供应器的喷嘴将可动夹头在工件装载位置与至少一个处理位置之间平移，以及构造成旋转微电子工件的工件旋转驱动系统。

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