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1. 发明申请

WO2020214607A1 ELECTROSTATIC CHUCKING PROCESS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020214607A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：PCT/US2020/028146
申请日：2020-04-14
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BOBEK, Sarah Michelle , PARIMI, Venkata Sharat Chandra , KULSHRESHTHA, Prashant Kumar , LEE, Kwangduk Douglas
IPC分类号： C23C16/517 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683
摘要： One or more embodiments described herein generally relate to methods for chucking and de-chucking a substrate to/from an electrostatic chuck used in a semiconductor processing system. Generally, in embodiments described herein, the method includes: (1) applying a first voltage from a direct current (DC) power source to an electrode disposed within a pedestal; (2) introducing process gases into a process chamber; (3) applying power from a radio frequency (RF) power source to a showerhead; (4) performing a process on the substrate; (5) stopping application of the RF power; (6) removing the process gases from the process chamber; and (7) stopping applying the DC power.

2. 发明申请

WO2019230526A1 成膜装置及び成膜方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019230526A1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：PCT/JP2019/020314
申请日：2019-05-22
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：松土　龍夫 , 森田　靖 , 進藤　崇央
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/515 , C23C16/517 , H05H1/46
摘要：本開示の成膜装置は、真空排気可能な処理容器と、下部電極と、上部電極と、ガス供給部と、電圧印加部とを有する。下部電極には被処理基板が載置される。上部電極は、処理容器内で下部電極に対向して配置される。ガス供給部は、上部電極と下部電極との間の処理空間でプラズマ化する成膜原料ガスを処理空間に供給する。電圧印加部は、基準電位が時間の経過に伴って上下に交互に変化する交流電圧を上部電極に印加する。

3. 发明申请

WO2018194807A1 IMPROVED ELECTRODE ASSEMBLY 审中-公开
公开(公告)号：WO2018194807A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/US2018/024930
申请日：2018-03-28
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： BOKKA, Ramesh , SCHALLER, Jason M. , PINSON, Jay D., II , BONECUTTER, Luke
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/517
CPC分类号： H01J37/32724 , C23C16/4586 , C23C16/463 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/517 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32743 , H01J2237/002 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： A plasma processing apparatus is provided including a radio frequency power source; a direct current power source; a chamber enclosing a process volume; and a substrate support assembly disposed in the process volume. The substrate support assembly includes a substrate support having a substrate supporting surface; an electrode disposed in the substrate support; and an interconnect assembly coupling the radio frequency power source and the direct current power source with the electrode.

4. 发明申请

WO2016024639A1 プラズマＣＶＤ装置及び磁気記録媒体の製造方法审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置和用于生产磁记录介质的方法
公开(公告)号：WO2016024639A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/JP2015/072979
申请日：2015-08-11
申请人：株式会社ユーテック
发明人：田中　正史 , 阿部　浩二 , 渡邊　利行 , 関野　裕康
IPC分类号： C23C16/503 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/503 , H01L21/205
摘要：　成膜中にカソードフィラメントの形状変化を抑制することを課題とする。本発明の一態様は、チャンバー１０２と、前記チャンバー内に配置されたアノード１０４ａ，１０４ｂと、前記チャンバー内に配置されたカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂと、前記アノードに電気的に接続された第１の電源１０７ａ，１０７ｂと、前記カソードフィラメントに電気的に接続された第２の電源１０５ａ，１０５ｂと、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、を具備し、前記カソードフィラメントはフィラメント電極を有し、前記フィラメント電極は、タンタル線とタングステン線のより線または編み線、もしくは、２本以上のタングステン線のより線または編み線を有するプラズマＣＶＤ装置である。
摘要翻译：本发明的目的是最小化膜沉积期间阴极长丝形状的变化。本发明的一个方面提供了一种等离子体CVD装置，其具有室102，配置在室内的阳极104a，104b，配置在室内的阴极灯103a，103b，与阳极电连接的第一电源107a，107b，第二电力电连接到阴极丝的源105a，105b，用于将源气体供应到腔室内部的气体供给机构，以及用于使腔室内部排气的排气机构，具有丝丝电极的阴极细丝，以及具有绞合电缆或钽线和钨丝的编织电缆，或两根或多根钨丝的绞合电缆或编织电缆。

5. 发明申请

WO2015194031A1 プラズマＣＶＤ装置及び磁気記録媒体の製造方法审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置和用于生产磁记录介质的方法
公开(公告)号：WO2015194031A1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：PCT/JP2014/066415
申请日：2014-06-20
申请人：株式会社ユーテック
发明人：阿部　浩二 , 渡邊　利行 , 田中　正史 , 奥平　浩平 , 関野　裕康 , 本多　祐二
IPC分类号： C23C16/503 , G11B5/84
CPC分类号： G11B5/85 , C23C16/26 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/503 , G11B5/72 , G11B5/8408 , H01J37/32027 , H01J37/32532
摘要：【課題】ＣＶＤ膜の成膜中に異常放電の発生を抑制する。【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１０２と、アノード１０４と、カソード１０３と、アノードの電極面１０４ａ及びカソードに対向するように配置される被成膜基板１０１を保持する保持部と、空間８７を覆うように設けられたプラズマウォール８８と、アノードとプラズマウォールとの間の第１隙間８１とチャンバーの第１内面１０２ａとの間に配置された防着部材９１と、防着部材とアノードの背面１０４ｂとの間に配置され、アノードに電気的に接続された台座９２を具備し、第１隙間、アノードと防着部材との間の第２隙間８２、アノードの背面と台座との間の第３隙間８３、プラズマウォールと防着部材との間の第４隙間８４、及び防着部材と台座との間の第５隙間８５それぞれの最大径が４ｍｍ以下である。
摘要翻译： [问题]为了最小化CVD膜形成期间异常放电的发生率。等离子体CVD装置具有：腔室（102）; 阳极（104）; 阴极（103）; 用于保持与阴极相对设置的成膜基板（101）和阳极的电极表面（104a）的保持部分; 设置为覆盖空间（87）的等离子体壁（88）; 设置在阳极和等离子体壁之间的第一间隙（81）和室的第一内表面（102a）之间的防粘连构件（91）以及设置在所述防粘性构件和所述阳极的后表面（104b）之间并且电连接到所述阳极的平台（92）。第一间隙，阳极和抗粘合构件之间的第二间隙（82），在阳极的后表面和平台之间的第三间隙（83），等离子体壁和反向粘合构件之间的第四间隙（84）防粘件和平台之间的第五间隙（85）最大直径为4mm或更小。

6. 发明申请

WO2015005421A1 防湿性基材の製造方法および防湿性基材、ならびに防湿性基材を用いた偏光板、液晶表示パネル审中-公开
标题翻译：防水基材生产方法，防潮底物，使用防潮底物的偏光板和液晶显示面板
公开(公告)号：WO2015005421A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/068412
申请日：2014-07-10
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：駒田　実 , 柴田　晶彦 , 渡辺　由香
IPC分类号： C23C16/42 , B32B9/00 , C23C16/503 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5293 , C23C16/308 , C23C16/401 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：　薄くても十分な防湿性を有するとともに、吸湿性基材に起因する反りや変形を大幅に抑制可能な防湿性基材の製造方法を提供する。発明による防湿性基材の製造方法は、吸水率が１％以上の吸湿性基材と、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に形成された防湿膜と、を備えた防湿性基材の製造方法であって、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなる、膜厚が３０ｎｍ以上の防湿膜を、プラズマ化学気相成長法により成膜する、ことを含む。
摘要翻译：提供一种防湿基材的制造方法，即使在薄的情况下，具有足够的耐湿性并且可以显着抑制由吸湿性基材引起的翘曲和变形。该方法是用于制造具有吸湿率为1％以上的吸湿性基材的防湿基材，并且在吸湿性基材的至少一面上形成有防湿膜，并且涉及30nm 或者在吸湿性基材的至少一个表面上形成含有碳含量为2.0〜20.0原子％的碳成分的氧化硅膜或氮氧化硅膜的较厚的防湿膜。

7. 发明申请

WO2011157425A1 VORRICHTUNG ZUR KONTINUIERLICHEN PLASMABEHANDLUNG UND/ODER PLASMABESCHICHTUNG EINES MATERIALSTÜCKS 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR连续等离子体处理和/或等离子涂层补丁
公开(公告)号：WO2011157425A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002972
申请日：2011-06-16
申请人： WPNLB UG (HAFTUNGSBESCHRÄNKT) & CO. KG , PALM, Peter
发明人： PALM, Peter
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/503 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/3277 , C23C16/503 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要： Eine Vorrichtung (10) zur kontinuierlichen Plasmabehandlung und/oder Plasmabeschichtung eines insbesondere bahn- oder plattenförmigen Materialstücks (12), umfasst mindestens eine auf einer Seite (14) des Materialstücks (12) angeordnete Barrierenelektrode (13) mit einem elektrisch leitfähigen Elektrodenkern (17) und einer dielektrischen Umhüllung (18), und eine auf der anderen Seite (15) des Materialstücks (12) angeordnete Gegenelektrode (16), so dass mittels einer zwischen der Barrierenelektrode (13) und der Gegenelektrode (16) angelegten Hochspannung eine Plasmaentladung erzeugbar ist. Auf der gleichen Seite (14) des Materialstücks (12) wie die Barrierenelektrode (13) ist mindestens eine elektrisch leitfähige Sonde (21) in einem relativ geringen Abstand zu der Barrierenelektrode (13) angeordnet.
摘要翻译：连续等离子体处理和/或一特别web的或板形材料片（12）的等离子涂层的设备（10）包括至少一个上的片材的一侧（14）有导电电极芯布置（12）阻挡电极（13）（17）排列和电介质鞘（18），并且在片材的另一侧（15）（12）对电极（16），使得通过的阻挡电极（13）和所施加的反电极之间的装置（16）的高电压，产生等离子体放电，在材料片（12）作为阻挡电极（13）的同一侧（14）是在从阻挡电极（13）在相对短的距离的至少一个导电性的探针（21）。

8. 发明申请

WO2010003476A1 BESCHICHTUNGSVERFAHREN UND VORRICHTUNG MITTELS EINER PLASMAGESTÜTZEN CHEMISCHEN REAKTION 审中-公开
标题翻译：喷涂方法和装置利用化学反应PLASMAGESTÜTZEN
公开(公告)号：WO2010003476A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/003479
申请日：2009-05-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , FAHLAND, Matthias , VOGT, Tobias , GÜNTHER, Steffen , FAHLTEICH, John , SCHÖNBERGER, Waldemar , SCHÖNBERGER, Alexander
发明人： FAHLAND, Matthias , VOGT, Tobias , GÜNTHER, Steffen , FAHLTEICH, John , SCHÖNBERGER, Waldemar , SCHÖNBERGER, Alexander
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C16/40 , C23C16/503 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/401 , C23C14/0057 , C23C14/0078 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C16/40 , C23C16/503 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum plasmagestützten Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (12) mittels einer chemischen Reaktion innerhalb einer Vakuumkammer (11), wobei zumindest ein Ausgangsmaterial der chemischen Reaktion durch einen Einlass (13) in die Vakuumkammer (11) geführt wird und wobei der Einlass (13) zumindest im Bereich der Einlassöffnung (18) als Elektrode einer Gasentladung geschaltet wird. Ein Magnetron kann auch in dem reaktiven Sputterverfahren verwendet sein.
摘要翻译：本发明涉及一种用于层的等离子体辅助沉积的方法和装置的基板（12）通过真空腔室（11）内的化学反应的装置上，其中至少一个通过一个入口（13）到所述真空室（11）开始的化学反应的材料出并且其中，所述入口（13）在所述入口开口（18）作为气体放电的电极的区域中至少连接。的磁控管可以在反应性溅射过程中使用。

9. 发明申请

WO2006057436A1 AMORPHOUS CARBON FILM, PROCESS FOR FORMING THE SAME, AND HIGH WEAR-RESISTANT SLIDING MEMBER WITH AMORPHOUS CARBON FILM PROVIDED 审中-公开
标题翻译：非晶碳膜，其形成方法和具有非晶形碳膜的高耐磨滑动构件
公开(公告)号：WO2006057436A1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/JP2005/022044
申请日：2005-11-24
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO , ISEKI, Takashi , TACHIKAWA, Hideo , MORI, Hiroyuki , NAKANISHI, Kazuyuki , MATSUI, Munehisa , IGARASHI, Shintaro , SHIMIZU, Fumio , TSUCHIYA, Yoshinari , OSHIMA, Tadashi
发明人： ISEKI, Takashi , TACHIKAWA, Hideo , MORI, Hiroyuki , NAKANISHI, Kazuyuki , MATSUI, Munehisa , IGARASHI, Shintaro , SHIMIZU, Fumio , TSUCHIYA, Yoshinari , OSHIMA, Tadashi
IPC分类号： C23C16/22 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/26 , Y10T428/30
摘要： An amorphous carbon film includes carbon as a major component, and silicon in an amount of from 0.1 atomic % or more to 10 atomic % or less when the entire amorphous carbon film is taken as 100 atomic %. The carbon is composed of carbon having an sp 2 hybrid orbital in an amount of from 60 atomic % or more to 90 atomic % or less when the entire carbon amount is taken as 100 atomic %. Also disclosed is a process for producing the amorphous carbon film.
摘要翻译：当非晶碳膜的整体为100原子％时，无定形碳膜以碳为主成分，硅为0.1原子％以上10原子％以下。当全部碳量为100原子％时，碳由具有60原子％以上至90原子％以下的量的sp 2 SUB混合轨道的碳构成。还公开了一种制备无定形碳膜的方法。

10. 发明申请

WO2004029325A9 HIGH VELOCITY METHOD FOR DEPOSING DIAMOND FILMS FROM A GASEOUS PHASE IN SHF DISCHARGE PLASMA AND A PLASMA REACTOR FOR CARRYING OUT SAID METHOD 审中-公开
标题翻译：用于从SHF放电等离子体中的气相中沉积金刚石膜的高速度方法和用于实施方法的等离子体反应器
公开(公告)号：WO2004029325A9
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/RU0300410
申请日：2003-09-18
申请人： INST OF APPLIED PHYSICS RAS , VIKHAREV ANATOLIY LEONTIEVICH , GORBACHEV ALEKCEY MIKHAYLOVICH , LITVAK ALEKSANDR GRIGORIEVICH , BYKOV JURIY VLADIMIROVICH , DENISOV GRIGORY GENNADIEVICH , IVANOV OLEG ANDREEVICH , KOLDANOV VLADIMIR ALEKSANDROVI
发明人： VIKHAREV ANATOLIY LEONTIEVICH , GORBACHEV ALEKCEY MIKHAYLOVICH , LITVAK ALEKSANDR GRIGORIEVICH , BYKOV JURIY VLADIMIROVICH , DENISOV GRIGORY GENNADIEVICH , IVANOV OLEG ANDREEVICH , KOLDANOV VLADIMIR ALEKSANDROVI
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/503 , C23C16/511 , H01J37/32 , H05H1/30 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/274 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32431
摘要： The invention relates to carbon deposition by decomposing gaseous compounds with the aid of the SHF discharge plasma and can be used, for example for producing polycrystalline diamond films (plates), which are used for producing output windows of power SHF sources, for example gyrotrons. Said invention ensures a high speed deposition of the high quality diamond films (having a loss-tangent angle delta equal to or less than 3x10 ) on supports whose diameter is equal to or higher than 100 mm. For this purpose, a SHF discharge is initiated in a gas mixture which is arranged in a reaction chamber and contains at least hydrogen and hydrocarbon. Afterwards, said gas mixture is activated by producing a stable nonequilibrium plasma with the aid of SHF radiation having a frequency f which is many times higher than a commonly used frequency of 2.45 GHz, for example 30 GHz. In order to localise the plasma, a standing wave is formed near the carrier and plasma layers are formed in the antinodes thereof in such a way that the sizes thereof are adjustable.
摘要翻译：本发明涉及通过在SHF放电等离子体的帮助下分解气态化合物的碳沉积，并且可用于例如用于生产多晶金刚石膜（板），其用于产生功率SHF源的输出窗口，例如陀螺仪。所述发明确保了在直径等于或高于100mm的载体上高品质金刚石薄膜（具有等于或小于3×10 -5的损耗角切割角度）的高速沉积。为此，在布置在反应室中并至少包含氢和烃的气体混合物中引发SHF放电。之后，所述气体混合物通过产生稳定的非平衡等离子体来激活，借助于具有频率f的频率f的SHF辐射，其频率比常用的2.45GHz的频率（例如30GHz）高出许多倍。为了使等离子体定位，在载体附近形成驻波，并且在其波腹中形成等离子体层，使其尺寸可调。

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