基本信息:
- 专利标题： セラミック膜形成方法、セラミック膜形成装置
- 专利标题（英）：Method for forming ceramic film and ceramic film forming device
- 专利标题（中）：形成陶瓷膜和陶瓷膜形成装置的方法
- 申请号：PCT/JP2011/069021 申请日：2011-08-24
- 公开(公告)号：WO2012026482A1 公开(公告)日：2012-03-01
- 发明人： 坂井 智彦
- 申请人： コニカミノルタホールディングス株式会社 , 坂井 智彦
- 申请人地址： 〒1000005 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 Tokyo JP
- 专利权人： コニカミノルタホールディングス株式会社,坂井 智彦
- 当前专利权人： コニカミノルタホールディングス株式会社,坂井 智彦
- 当前专利权人地址： 〒1000005 東京都千代田区丸の内一丁目６番１号 Tokyo JP
- 优先权： JP2010-190527 20100827
- 主分类号： B05D7/24
- IPC分类号： B05D7/24 ; B05C9/12 ; B05D3/06
摘要：
基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布し、形成した塗膜を真空紫外光の照射により改質処理し、生産効率がよく、ポリシラザン膜を効率よく改質することを可能とし、安定したセラミック膜形成方法及びセラミック膜形成装置を提供するため、連続搬送する帯状基材の上にポリシラザン組成物を含む塗布液を塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射して表面改質を行う表面改質工程とを有するセラミック膜形成方法において、前記表面改質工程は、真空紫外光照射手段を有し、且つ酸素濃度が１００００ｐｐｍ以下である表面改質室及び前記表面改質室に隣接する同伴空気除去手段を有する同伴空気除去室を備えた表面改質装置を有し、前記同伴空気除去手段が、前記同伴空気除去室の圧力を前記表面改質室の圧力よりも高く、又は低く制御することを特徴とするセラミック膜形成方法を用いる。
摘要（中）：
提供一种用于形成陶瓷膜的稳定方法和将陶瓷成膜装置应用于基材并通过照射由真空紫外光形成的涂膜进行改性处理的陶瓷膜形成装置，从而可以有效地改性 聚硅烷组成，生产效率好。 为此，所使用的形成陶瓷膜的方法包括通过在连续输送的带状基材上施加聚硅烷组合物形成涂膜的施加步骤和通过照射该涂层进行表面改性的表面改性步骤 此应用步骤后，带有真空紫外线的薄膜。 该方法的特征在于具有真空紫外线照射装置的表面改性步骤和具有氧浓度为10,000ppm以下的表面改性室的表面改性装置和具有夹带空气消除装置的夹带空气消除室， 表面改性室。 夹带空气消除装置控制夹带空气消除室中的压力高于或低于表面改性室中的压力。
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B05 | 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体的一般方法 |
| ----B05D | 一般对表面涂布液体或其他流体的工艺 |
| ------B05D7/00 | 除植绒外，专门适用于对特殊表面涂布液体或其他流体的工艺，或涂布特殊的液体或其他流体的工艺 |
| --------B05D7/24 | .涂布特殊液体或其他流体物质 |