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1. 发明申请

WO2012090484A1 ＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法审中-公开
标题翻译： CVD装置和CVD方法
公开(公告)号：WO2012090484A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/007296
申请日：2011-12-27
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 徐舸 , 山中和人 , 廣石勉 , 平松祥悟
发明人：徐　舸 , 山中　和人 , 廣石　勉 , 平松　祥悟
IPC分类号： C23C16/50 , C01B31/02 , C23C16/503
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/0209 , C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/3266
摘要：　被処理基板上へのカーボン膜の堆積速度の向上、被処理基板以外の部材への堆積を低減させることによるクリーニング頻度の低減、さらには安価に製作が可能であるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。真空容器と、前記真空容器内に磁場を形成するための磁場形成手段と、前記真空容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、前記真空容器内に基板を保持するための基板ホルダと、を備え、前記プラズマ発生手段が、前記基板ホルダ内に設けられる電極と、前記電極に電圧を印加する電源とを有することを特徴とするＣＶＤ装置を提供する。
摘要翻译：其目的是提供能够提高碳膜在基板上的堆积速度的等离子体CVD装置，通过减少除了用于处理的基板以外的部件上的积聚而降低清洗频率，并且廉价地生产。提供的CVD装置的特征在于：设置有真空容器，用于在真空容器内形成磁场的磁场形成装置，用于在真空容器内产生等离子体的等离子体产生装置和用于保持基板的基板保持器在真空容器内; 并且等离子体产生装置具有设置在衬底保持器内的电极和用于向电极施加电压的电源。

2. 发明申请

WO2012090420A1 カーボン膜の製造方法及びプラズマＣＶＤ方法审中-公开
标题翻译：碳膜生产方法和等离子体CVD方法
公开(公告)号：WO2012090420A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/007037
申请日：2011-12-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 徐舸 , 山中和人 , 廣石勉 , 平松祥悟
发明人：徐　舸 , 山中　和人 , 廣石　勉 , 平松　祥悟
IPC分类号： C23C16/503 , C01B31/02 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/0209 , C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/3266
摘要：　本発明は、成膜の際に基板温度を制御しつつ膜特性を制御することが可能なカーボン膜の製造方法及びプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を提供する。本発明の一実施形態の係るプロセス室（２１）は、基板を保持するホルダ（１）と、プロセス室内に磁場を発生させる磁場形成手段（２９）と、磁場形成手段への膜の堆積を低減するためのシールド（２８）と、磁場形成手段の加熱を低減するための放熱シート（３２）と、磁場形成手段（２９）を移動させる移動手段（３３）と、を備える。磁場形成手段は、磁場形成手段とホルダとの間の体積が増減する方向に移動されることを特徴とする。この構成により、プロセス室内の、特に基板の近傍のプラズマ密度の分布を変化させ、その結果、電圧等の他の条件を変えなくとも成膜速度や基板温度を変化させることができる。
摘要翻译：本发明提供了一种碳膜制备方法和等离子体CVD（化学气相沉积）方法，其可以在成膜期间控制膜性质和控制衬底温度。根据本发明的一个实施例的处理室（21）设置有：用于保持基板的保持器（1）; 用于在所述处理室内产生磁场的磁场形成装置（29）; 用于减少膜在磁场形成装置上的累积的屏蔽件（28）; 用于减小磁场形成装置的加热的散热片（32）; 以及用于移动磁场形成装置（29）的移动装置（33）。磁场形成装置的特征在于沿着增大和减小磁场形成装置和保持器之间的体积的方向移动。该结构改变了处理室内，特别是在基板附近的等离子体密度的分布，结果可以改变成膜速度或基板温度，而不改变诸如电压的其它条件。

3. 发明申请

WO2010119947A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2010119947A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/JP2010/056838
申请日：2010-04-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 池田真義 , 田中洋 , 廣石勉
发明人：池田　真義 , 田中　洋 , 廣石　勉
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461
摘要：プラズマ処理装置のマスク用シールドとターゲット電極の隙間で生ずる異常放電を防止する手段を提供する。ポイントカプス磁場を形成する複数のマグネットピース(６)が、ターゲット電極(２)の外周縁の外側にも配置されている。この外周縁の外側に配置されているマグネットピースの磁性面の少なくとも一部を被う磁気遮蔽部材(８)が設けられている。これにより、ターゲット電極外周辺のカプス磁場を維持するが、その強さはターゲット電極とマスク用シールドの隙間で異常放電が生じないよう磁場を調整している。
摘要翻译：提供了一种用于防止在等离子体处理装置中用于掩模用屏蔽和目标电极之间的间隙中产生异常放电的装置。在目标电极（2）的外周端的外侧还设置有形成点限磁场的多个磁体片（6）。设置有覆盖设置在外周端的外侧的磁性片的磁性表面的至少一部分的磁屏蔽构件（8）。因此，保持目标电极外周的被切割的磁场，并且调整其强度，使得在目标电极和掩模的屏蔽之间的间隙中不产生异常的放电。

4. 发明申请

WO2009078094A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理器
公开(公告)号：WO2009078094A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2007/074287
申请日：2007-12-18
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 池田真義 , 田中洋 , 廣石勉
发明人：池田真義 , 田中洋 , 廣石勉
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32091 , H01J37/3266
摘要：　本発明に従ったプラズマ装置は、真空排気可能なチャンバーと、チャンバー内に配置された第１の電極と、第１の電極上に離れて設けられたマグネットを具備する磁石機構と、第１の電極と対向して設けられた第２の電極と、第１の電極と磁石機構との間又は第１の電極と第２の電極との間の少なくとも一方に設けられた磁気遮蔽部材とを備えたことを特徴とする。
摘要翻译：等离子体处理器设置有可以抽真空的室，布置在室中的第一电极，具有可拆卸地布置在第一电极上的磁体的磁体机构，通过使第二电极面对第一电极而布置的第二电极和磁屏蔽构件设置在第一电极和磁体机构之间，或者设置在第一电极和第二电极之间。

5. 发明申请

WO2012090421A1 プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置
公开(公告)号：WO2012090421A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/007038
申请日：2011-12-16
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 徐舸 , 山中和人 , 廣石勉 , 平松祥悟
发明人：徐　舸 , 山中　和人 , 廣石　勉 , 平松　祥悟
IPC分类号： C23C16/503 , C01B31/02 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/0209 , C23C16/04 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/3266
摘要：　本発明は、成膜の際に基板温度を制御しつつ膜特性を制御することが可能なプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を提供する。本発明の一実施形態の係るプロセス室（２１）は、基板を保持するホルダ（１）と、プロセス室内に磁場を発生させる磁場形成手段（２９）と、磁場形成手段への膜の堆積を低減するためのシールド（２８）と、磁場形成手段の加熱を低減するための放熱シート（３２）と、磁場形成手段（２９）を移動させる移動手段（３３）と、を備える。磁場形成手段は、磁場形成手段とホルダとの間の体積が増減する方向に移動されることを特徴とする。この構成により、プロセス室内の、特に基板の近傍のプラズマ密度の分布を変化させ、その結果、電圧等の他の条件を変えなくとも成膜速度や基板温度を変化させることができる。
摘要翻译：本发明提供了一种等离子体CVD（化学气相沉积）装置，其可以在成膜期间控制膜性质和控制衬底温度。根据本发明的一个实施例的处理室（21）设置有：用于保持基板的保持器（1）; 用于在处理室内产生磁场的磁场形成装置（29）; 用于减小膜在磁场形成装置上的累积的屏蔽件（28）; 用于减小磁场形成装置的加热的散热片（32）; 以及用于移动磁场形成装置（29）的移动装置（33）。磁场形成装置的特征在于沿着增大和减小磁场形成装置和保持器之间的体积的方向移动。这种结构改变了处理室内，特别是在基板附近的等离子体密度的分布，结果可以改变成膜速度或基板温度，而不改变诸如电压的其它条件。

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