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    • 63. 发明申请
    • 半導体装置の製造方法及び封止用シート
    • 制造半导体器件的方法和密封片
    • WO2016031579A1
    • 2016-03-03
    • PCT/JP2015/072851
    • 2015-08-12
    • 日東電工株式会社
    • 志賀 豪士石井 淳飯野 智絵
    • H01L21/56H01L23/12H01L23/29H01L23/31
    • H01L21/56H01L23/12H01L23/29H01L23/31H01L24/97H01L2924/15311H01L2924/181H01L2924/00012
    •  樹脂封止時の封止体の反りを抑制し、その後の封止体のハンドリング性や半導体装置の信頼性の低下を防止可能な半導体装置の製造方法及び封止用シートを提供する。チップ実装配線層が基材に固定された支持体を準備する工程A、前記配線層の線膨張係数と熱硬化後の線膨張係数との差の絶対値が15ppm/K以下である第1の封止層、及び前記基材の線膨張係数と熱硬化後の線膨張係数との差の絶対値が6ppm/K以下である第2の封止層を準備する工程B、前記第1の封止層と前記第2の封止層とを備え、前記チップが埋め込まれた積層体を前記支持体上に形成する工程C、並びに前記積層体を熱硬化させる工程Dを含む半導体装置の製造方法。
    • 提供一种制造半导体器件的方法,其可以抑制树脂密封期间密封体的翘曲,并且防止随后的密封体的处理容易性以及半导体器件的可靠性的任何降低。 还提供了密封片。一种用于制造半导体器件的方法,包括:步骤A,用于制备其中芯片安装布线层固定到基底的支撑体; 制造第一密封层的步骤B,其中布线层的线膨胀系数与热固化后的线膨胀系数之差的绝对值为15ppm / K以下,第二密封层,其中, 基板的线膨胀系数与热固化后的线膨胀系数之差的绝对值为6ppm / K以下; 在所述支撑体上形成嵌入有所述芯片的层叠体的台阶C,所述层叠体设置有所述第一密封层和所述第二密封层; 以及用于对层状体进行热固化的台阶D.