基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method therefor
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2015/066347 申请日：2015-06-05
- 公开(公告)号：WO2015198836A1 公开(公告)日：2015-12-30
- 发明人： 村井 誠 , 高岡 裕二 , 山田 宏行 , 佐藤 和樹 , 今井 誠
- 申请人： ソニー株式会社
- 申请人地址： 〒1080075 東京都港区港南1丁目7番1号 Tokyo JP
- 专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1080075 東京都港区港南１丁目７番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
- 优先权： JP2014-132334 20140627
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/12
摘要：
半導体チップと、前記半導体チップが配設されるパッケージ基板とを備え、前記半導体チップは、チップ本体と、前記チップ本体の素子形成面に設けられたはんだを含む複数の電極とを有し、前記パッケージ基板は、基板本体と、前記基板本体の表面に設けられた複数の配線およびソルダレジスト層とを有し、前記ソルダレジスト層は、前記基板本体の表面および前記複数の配線の上に連続層として設けられると共に、前記複数の配線の各々の上に開口を有し、前記開口は、前記開口内の前記配線の長手方向に長い平面形状を有し、前記開口の長さは、前記パッケージ基板の熱膨張係数に応じて調整されている半導体装置。
摘要（中）：
一种半导体器件，包括：半导体芯片和其上设置有所述半导体芯片的封装衬底。 半导体芯片包括主芯片体和设置在所述主芯片体的元件形成表面上的多个含焊料的电极。 封装基板包括：主基板主体; 以及设置在所述主基板主体的表面上的多根导线和阻焊层。 阻焊层设置为主基板主体和多根电线表面上方的连续层，并且在每个所述电线上方具有开口。 每个所述开口具有在该开口内的线的长度方向上延伸的平面形状，并且根据封装基板的热膨胀系数来调节开口的长度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |