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41. 发明申请

WO2017023583A1 HIGH THROUGHPUT COOLED ION IMPLANTATION SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：高通量冷却离子植入系统和方法
公开(公告)号：WO2017023583A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/US2016/043648
申请日：2016-07-22
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： HUSEINOVIC, Armin , FERRARA, Joseph , TERRY, Brian
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/18 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/31705 , H01L21/26593 , H01L21/67109 , H01L21/67213 , H01L21/6831
摘要： An ion implantation system (100) for implanting ions into a workpiece (118) within a process chamber (122) further comprises a load lock chamber (136), and an isolation chamber (146) coupled to the process chamber with a pre-implant cooling environment defined therein. An isolation gate valve (150) selectively isolates the pre-implant environment from the process environment wherein the isolation chamber comprises a workpiece support (152) for supporting and cooling the workpiece. The isolation gate valve is the only access path for the workpiece to enter and exit the isolation chamber. A pressurized gas source (159) selectively pressurizes the pre-implant cooling environment to a pre-implant cooling pressure that is greater than the process pressure for expeditious cooling of the workpiece. A workpiece transfer arm (164) transfers the workpiece between the various chambers. A controller (166) controls the workpiece transfer arm and selectively cools the workpiece to a pre-implant cooling temperature in the isolation chamber at the pre-implant cooling pressure via a control of the isolation gate valve, pre-implant cooling workpiece support, and pressurized gas source.
摘要翻译：用于将离子注入到处理室（122）内的工件（118）中的离子注入系统（100）还包括负载锁定室（136）和隔离室（146），其与预植入物联接到处理室其中定义的冷却环境。隔离闸阀（150）选择性地将植入前环境与过程环境隔离，其中隔离室包括用于支撑和冷却工件的工件支撑件（152）。隔离闸阀是工件进出隔离室的唯一进入路径。加压气体源（159）选择性地将植入物前冷却环境加压到大于工件压力的预植入物冷却压力，以便于快速冷却工件。工件传送臂（164）在各个室之间传送工件。控制器（166）控制工件传送臂，并且通过隔离闸阀的控制，植入物前冷却工件支撑件，以植入物前冷却压力选择性地将工件冷却到隔离室中的植入前冷却温度，以及加压气源。

42. 发明申请

WO2017019335A1 CONTROLLING CONTAMINATION PARTICLE TRAJECTORY FROM A BEAM-LINE ELECTROSTATIC ELEMENT 审中-公开
标题翻译：从光束静电元件控制污染颗粒物
公开(公告)号：WO2017019335A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/US2016/042493
申请日：2016-07-15
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： LEE, William Davis , LIKHANSKII, Alexandre
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/028
摘要： Provided herein are approaches for controlling particle trajectory from a beam-line electrostatic element. A beam-line electrostatic element is disposed along a beam-line of an electrostatic filter (EF), and a voltage is supplied to the beam-line electrostatic element to generate an electrostatic field surrounding the beam-line electrostatic element, agitating a layer of contamination particles formed on the beam-line electrostatic element. A trajectory of a set of particles from the layer of contamination particles is then modified to direct the set of particles to a desired location within the EF. The trajectory is controlled by providing an additional electrode adjacent the beam-line electrostatic element, and supplying a voltage to the additional electrode to control a local electrostatic field in proximity to the beam-line electrostatic element. In another approach, the trajectory is influenced by one or more geometric features of the beam-line electrostatic element.
摘要翻译：本文提供了用于从束线静电元件控制粒子轨迹的方法。沿着静电滤波器（EF）的光束线设置光束线静电元件，并且向束线静电元件供应电压以产生围绕光束线静电元件的静电场，搅动一层形成在束线静电元件上的污染颗粒。然后修改来自污染颗粒层的一组颗粒的轨迹，以将该组颗粒引导到EF内的期望位置。通过在光束线静电元件附近提供附加电极来控制轨迹，并且向附加电极提供电压以控制靠近光束线静电元件的局部静电场。在另一种方法中，轨迹受到束线静电元件的一个或多个几何特征的影响。

43. 发明申请

WO2017014948A1 SELECTIVE PROCESSING OF A WORKPIECE 审中-公开
标题翻译：选择性处理工作
公开(公告)号：WO2017014948A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/US2016/041101
申请日：2016-07-06
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： AMATO, Mark R. , LEE, William Davis , RENO, Jillian
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/3026 , H01J2237/20214 , H01J2237/31761 , H01J2237/31766 , H01L21/265 , H01L21/425
摘要： Systems and methods for the selective processing of a particular portion of a workpiece are disclosed. For example, the outer portion may be processed by directing an ion beam toward a first position on the workpiece, where the ion beam extends beyond the outer edge of the workpiece at two first locations. The workpiece is then rotated relative to the ion beam about its center so that certain regions of the outer portion are exposed to the ion beam. The workpiece is then moved relative to the ion beam to a second position and rotated in the opposite direction so that all regions of the outer portion are exposed to the ion beam. This process may be repeated a plurality of times. The ion beam may perform any process, such as ion implantation, etching or deposition.
摘要翻译：公开了用于选择性处理工件的特定部分的系统和方法。例如，可以通过将离子束引导到工件上的第一位置来处理外部部分，其中离子束在两个第一位置处延伸超过工件的外边缘。然后工件相对于离子束绕其中心旋转，使得外部部分的某些区域暴露于离子束。然后将工件相对于离子束移动到第二位置并沿相反方向旋转，使得外部部分的所有区域暴露于离子束。该过程可以重复多次。离子束可以执行任何过程，例如离子注入，蚀刻或沉积。

44. 发明申请

WO2017007138A1 이온주입기용 리펠러, 캐소드, 챔버 월, 슬릿 부재 및 이를 포함하는 이온발생장치 审中-公开
标题翻译：用于离子植入物，阴极，室壁，裂缝部件和包含其的离子发生装置的转运器
公开(公告)号：WO2017007138A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/KR2016/006190
申请日：2016-06-10
申请人： 주식회사 밸류엔지니어링
发明人： 황규태 , 임경태 , 김성균
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要： 본 발명은 이온주입기용 리펠러 및 이를 포함하는 이온발생장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 제조에 이용되는 이온주입용 이온발생장치의 아크챔버를 구성하는 리펠러, 캐소드, 챔버 월, 또는 슬릿 부재 등의 부품에 열변형 안정화 용도, 마모 보호 용도 혹은 증착물 박리 저항 용도로 세미카바이드층 포함 코팅구조를 제공함으로써 이온발생위치가 틀어지거나 장비의 틀어짐 없이 정밀한 이온주입공정을 가능케 하고, 아크챔버 내부로 전자를 균일하게 반사시킬 수 있으므로 플라즈마의 균일도를 증가시켜 이온소스기체의 분해 효율을 향상시킬 뿐 아니라 기존 부품 대비 수명을 현저하게 개선시킨 이온주입기용 부품 및 이를 포함하는 이온발생장치를 제공할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于离子注入机的推斥器和包括该离子注入机的离子发生装置。根据本发明，可以提供一种用于离子注入机的部件和包括该离子注入机的离子产生装置，其中构成电弧的部件如反转器，阴极，室壁或狭缝部件或用于制造半导体元件的用于离子注入的离子发生装置的腔室设置有用于热变形稳定的目的的半碳化物层包覆结构，用于磨损保护，或为了从而能够进行精确的离子注入工艺，其没有离子产生位置的变形和设备的变形，并且电子可以均匀地反射到电弧室中，使得通过提高等离子体的均匀性，不仅提高了离子源气体的分解效率，但与现有部件相比，使用寿命大大提高。

45. 发明申请

WO2016204126A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2016204126A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/JP2016/067597
申请日：2016-06-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：今川　鉄太郎
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L21/265 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/78
摘要：スイッチング時の発振の抑制と、大電流短絡耐量の向上とを両立させることは難しい。第１の面と第１の面の反対側に位置する第２の面とを有する第１導電型の半導体層と、第１導電型の半導体層の第１の面に接して設けられた第２導電型の半導体層とを備え、第１導電型の半導体層は、第１の面から第２の面への第１方向の異なる位置において、複数の不純物濃度ピークを有し、第１方向における第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層との接合界面である第１の面から、複数の不純物濃度ピークのうち第１の面に１番目に近い第１番目の不純物濃度ピークと、第１の面に２番目に近い第２番目の不純物濃度ピークとの境界までにおける積分濃度が、臨界積分濃度以下である、半導体装置を提供する。
摘要翻译：实现对开关中的振荡的抑制和对大电流短路的耐受性的改善是困难的。提供一种半导体器件，包括：第一导电型半导体层，其具有位于与第一表面相对的第一表面和第二表面; 以及第二导电型半导体层，设置成与第一导电型半导体层的第一表面接触，其中第一导电类型半导体层在第一方向上的不同位置处具有多个杂质浓度峰值从第一表面到第二表面的第一表面，以及作为第一方向上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的接合边界面的第一表面的积分浓度，第一杂质浓度峰值和第二杂质浓度峰值等于或小于临界积分浓度，其中第一杂质浓度峰值最接近第一表面，第二杂质浓度峰值是最接近第一表面的第二杂质浓度峰值，的多个杂质浓度峰。

46. 发明申请

WO2016186913A1 A SOURCE HOUSING ASSEMBLY FOR CONTROLLING ION BEAM EXTRACTION STABILITY AND ION BEAM CURRENT 审中-公开
标题翻译：用于控制离子束提取稳定性和离子束电流的源壳体组件
公开(公告)号：WO2016186913A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/US2016/031752
申请日：2016-05-11
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： CHANG, Shengwu , BURGESS, Jeff , LEAVITT, William , ST PETER, Michael , MOSHER, Matthew , OLSON, Joseph, C. , SINCLAIR, Frank
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J27/08 , H01J3/04 , H01J5/02 , H01J9/18 , H01J9/385 , H01J27/024 , H01J37/08
摘要： Provided herein are approaches for improving ion beam extraction stability and ion beam current for an ion extraction system. In one approach, a source housing assembly may include a source housing surrounding an ion source including an arc chamber, the source housing having an extraction aperture plate mounted at a proximal end thereof. The source housing assembly further includes a vacuum liner disposed within an interior of the source housing to form a barrier around a set of vacuum pumping apertures. As configured, openings in the source housing assembly, other than an opening in the extraction aperture plate, are enclosed by the extraction aperture plate and the vacuum liner, thus ensuring appendix arcs or extraneous ions produced outside the arc chamber remain within the source housing. Just those ions produced within the arc chamber exit the source housing through the opening of the extraction aperture plate.
摘要翻译：本文提供了用于提高离子提取系统的离子束提取稳定性和离子束电流的方法。在一种方法中，源壳体组件可以包括围绕包括电弧室的离子源的源壳体，源壳体具有安装在其近端处的抽吸孔板。源壳体组件还包括设置在源壳体的内部中以在一组真空泵浦孔周围形成屏障的真空衬套。根据构造，源壳体组件中除了提取孔板中的开口之外的开口被提取孔板和真空衬套包围，从而确保在电弧室外产生的附加电弧或外来离子保留在源壳体内。恰好在电弧室内产生的那些离子通过提取孔板的开口离开源壳体。

47. 发明申请

WO2016124110A1 半导体器件及其制造方法、电子装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016124110A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/CN2016/072743
申请日：2016-01-29
申请人：无锡华润上华半导体有限公司
发明人：李伟 , 郝龙 , 金炎
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/0217 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要：一种半导体器件的制造方法包括：提供半导体衬底(100)，在半导体衬底(100)中形成浅沟槽隔离结构(104)；在半导体衬底(100)上形成包括自下而上层叠的栅极氧化层(105a)和栅极材料层(105b)的栅极结构；执行第一离子注入，以在栅极材料层(105b)中形成第一掺杂离子；执行第二离子注入(109)，以在栅极材料层(105b)的位于浅沟槽隔离结构(104)的顶端拐角之上的部分形成与第一掺杂离子的导电类型相反的第二掺杂离子。

48. 发明申请

WO2016119479A1 半导体器件及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016119479A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/CN2015/090476
申请日：2015-09-23
申请人：无锡华润上华半导体有限公司
发明人：李伟 , 郝龙 , 金炎 , 王德进
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/265 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/42364 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66492 , H01L29/78 , H01L29/7831
摘要：一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供包括低压器件区域和高压器件区域的半导体基底；在高压器件区域的非栅极区域和低压器件区域形成第一栅氧化层并在高压器件区域的栅极区域形成第二栅氧化层；第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度；在低压器件区域的第一栅氧化层的表面形成第一多晶硅栅以及第一侧墙结构并在第二栅氧化层的表面形成第二多晶硅栅以及第二侧墙结构；第二栅氧化层的宽度大于第二多晶硅栅的宽度；进行源漏极离子注入形成源漏极引出区；淀积金属硅化物阻挡层后进行光刻腐蚀并形成金属硅化物。上述半导体器件的制备方法简化了工艺步骤的同时也降低了工艺成本。还涉及一种半导体器件。

49. 发明申请

WO2016051970A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2016051970A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/JP2015/072880
申请日：2015-08-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：小野澤　勇一
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/2225 , H01L21/2253 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/3003 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/0834 , H01L29/1004 , H01L29/1037 , H01L29/105 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/365 , H01L29/401 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/4958 , H01L29/732 , H01L29/7373 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L2924/13055
摘要：半導体基板の裏面側からプロトンを注入して、半導体基板内部の欠陥に加えて、半導体基板の表面側におけるチャネル形成領域の欠陥も回復させる。これにより、ゲート閾値電圧のバラつきを低減し、逆電圧印加時の漏れ電流を低減する。裏面側において、プロトンを含むｎ型不純物領域を有する半導体基板と、半導体基板の表面側においてプロトンに対する遮蔽効果を有するバリアメタルとを備える、半導体装置を提供する。
摘要翻译：为了通过从半导体衬底的后表面侧注入质子，除了半导体衬底内部的缺陷之外，还可以使半导体衬底的表面侧的沟道形成区域中的缺陷减少，从而减小栅极阈值电压的变化并且当施加反向电压时减小泄漏电流。本发明提供一种半导体器件，其具有：在背面侧具有包含质子的n型杂质区的半导体衬底; 以及在半导体衬底的正面侧具有相对于质子的阻挡效果的阻挡金属。

50. 发明申请

WO2016036150A1 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 审中-公开
标题翻译：用于制造有机发光二极管的轻提取基板，有机发光二极管的光提取基板和包括其的有机发光二极管的方法
公开(公告)号：WO2016036150A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/KR2015/009272
申请日：2015-09-03
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동현 , 김서현 , 김의수 , 박경욱 , 백일희 , 송창민 , 윤근상 , 윤홍 , 이주영 , 이현희 , 최은호
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/52 , H01L51/50 , H01L21/265
CPC分类号： H01L51/5268 , C23C14/48 , C23C14/5806 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303
摘要： 본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기발광소자의 광추출 효율 향상은 물론, 제조공정, 제조원가 및 제조시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, 유기발광소자의 투명전극 상에 배치되는 기재의 일면으로부터 상기 기재의 내부로 이온을 주입하여, 상기 기재의 내부에 이온 주입층을 형성하는 이온 주입단계; 및 상기 이온 주입층으로의 열 에너지 인가를 통해, 상기 기재 내부에 상기 기재와 굴절률이 다른 다수의 기공으로 이루어진 기공층을 형성하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 다수의 기공은 상기 이온의 가스(gas)화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造有机发光二极管的光提取基板的方法，更具体地说，涉及一种用于制造有机发光二极管的光提取基板的方法，其可以提高有机发光二极管的光提取效率有机发光二极管，并且还可以显着地减少制造工艺，制造成本和制造时间。为此，本发明提供一种制造有机发光二极管的光提取基板的方法，该方法包括：离子注入步骤，从基材的内侧注入离子基材，配置在有机发光二极管的透明电极上，以在基材内部形成离子注入层; 以及热处理步骤，通过向所述离子注入层施加热能，在所述基材内形成具有与所述基材的折射率不同的多个孔的孔层，其中，所述多孔通过离子的气化诱导。

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