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1. 发明申请

WO2014185088A1 半導体装置とその製造方法、及び電子機器审中-公开
标题翻译：半导体器件，半导体器件制造方法和电子设备
公开(公告)号：WO2014185088A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/JP2014/051524
申请日：2014-01-24
申请人：富士通株式会社
发明人：谷口　淳 , 塩賀　健司 , 水野　義博
IPC分类号： H01L23/427 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/473 , H01L21/30625 , H01L21/3081 , H01L21/3223 , H01L21/4882 , H01L21/54 , H01L23/10 , H01L23/16 , H01L23/3677 , H01L23/4006 , H01L23/427 , H01L23/5226 , H01L25/0657 , H01L2224/73204 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311
摘要：【課題】半導体装置とその製造方法、及び電子機器において、複数の半導体素子を冷媒で冷却できるようにすること。【解決手段】第１の半導体素子２２と、第１の半導体素子２２の上に設けられ、減圧された空洞Sを備えた第１の基板２５と、空洞Sの内部に収容された冷媒Cと、第１の基板２５の上に設けられた第２の半導体素子２３と、第１の基板２５と熱的に接続され、空洞Sに繋がる孔３０ｘが設けられた放熱部材３０とを有する半導体装置による。
摘要翻译： [问题]通过半导体器件中的冷却介质，半导体器件制造方法和电子设备来冷却多个半导体元件。 [解决方案]通过具有：第一半导体元件（22）的半导体器件来解决问题。设置在所述第一半导体元件（22）上的第一基板（25），并且设置有减压中空部（S）; 包含在中空部（S）中的冷却介质（C）; 设置在所述第一基板（25）上的第二半导体元件（23）。和散热构件（30），其与第一基板（25）热连接，并且设置有与中空部（S）连接的孔（30x）。

2. 发明申请

WO2008007508A1 剥離ウェーハを再利用する方法审中-公开
标题翻译：重新移除波浪的方法
公开(公告)号：WO2008007508A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/JP2007/061623
申请日：2007-06-08
申请人：信越半導体株式会社 , 田村明彦 , 大木好
发明人：田村明彦 , 大木好
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/26 , H01L21/304 , H01L21/322 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/3223 , H01L21/3225
摘要：　本発明は、イオン注入剥離法でＳＯＩウェーハを製造する際に副生された剥離ウェーハ１７に、少なくとも研磨を施す再処理を加え、剥離ウェーハ１７をボンドウェーハ２１として再びＳＯＩウェーハ製造工程で再利用する方法において、少なくとも、ボンドウェーハとして用いるＣＺウェーハ１１を、全面がＮ領域からなる低欠陥ウェーハとし、前記再処理は、ＳＯＩウェーハ製造工程においてボンドウェーハに施される熱酸化膜１２形成時の温度より高温で剥離ウェーハ１７にＲＴＡ処理を施すことを特徴とする剥離ウェーハを再利用する方法である。これにより、２００ｍｍ以上の大直径のＣＺウェーハをボンドウェーハとして用いイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを作製する際に副生される剥離ウェーハを、繰り返しボンドウェーハとして再利用しても、貼り合わせ不良やＳＯＩ層の品質低下を誘発することのない剥離ウェーハの再利用方法が提供される。　
摘要翻译：在重新利用去除的晶片的方法中，当通过离子注入去除方法制造SOI晶片时，对作为副产品获得的去除的晶片（17）进行至少抛光的再处理，并且将被去除的晶片（17）重复使用作为SOI晶片制造工艺中的接合晶片（21）。在该方法中，至少将用作接合晶片的CZ晶片（11）形成为在整个表面上具有N区域的低缺陷晶片，并且在重新处理中，对被去除的RTA处理晶片（17）的温度高于在SOI晶片制造工艺中在接合晶片上形成热氧化膜（12）时的温度。因此，即使当使用具有200mm以上的大直径的CZ晶片作为接合晶片和SOI晶片作为副产物获得的去除的晶片，通过离子注入去除方法制造时，被重新用作接合晶片不会引起接合失败和SOI层质量的劣化。

3. 发明申请

WO2003003430A2 FILM ODER SCHICHT AUS HALBLEITENDEM MATERIAL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES FILMS ODER DER SCHICHT 审中-公开
标题翻译：膜或半导体材料和工艺的层用于产生膜或层
公开(公告)号：WO2003003430A2
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/EP2002/007125
申请日：2002-06-27
申请人： WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FÜR HALBLEITERMATERIALIEN AG , MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold , SCHMOLKE, Rüdiger , AMMON von, Wilfried , MORELAND, James
发明人： MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold , SCHMOLKE, Rüdiger , AMMON von, Wilfried , MORELAND, James
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Film oder eine Schicht aus halbleitendem Material mit einer geringen Defektdichte in der dünnen Schicht sowie auf eine SOI-Scheibe mit einer dünnen Siliciumschicht, die eine geringe Oberflächenrauhigkeit, Defektdichte und Dickenvariation aufweist. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zuir Herstellung eines Films oder einer Schicht aus Halbleitendem Material, das folgende Schritte umfasst: a) Erzeugung von Strukturen aus sich periodisch wiederholenden Vertiefungen vorgegebener Geometrien auf der Oberfläche eines halbleitenden Materials, b) thermische Behandlung des oberflächenstrukturierten Materials, bis sich eine Schicht mit sich periodisch wiederholenden Hohlräumen unter einer geschlossenen Schicht an der Oberfläche des Materials gebildet hat, c) Trennung der geschlossenen Schicht an der Oberfläche entlang der Schicht von Hohlräumen vom Rest des halbleitenden Materials.
摘要翻译：本发明涉及一种膜或半导体具有在薄层以及与具有低的表面粗糙度，缺陷密度和厚度变化的薄硅层的SOI晶片中的低缺陷密度材料的层。本发明还涉及一种方法zuir生产薄膜或半导体材料，其包括以下步骤的层组成：a）制备包含半导体材料，b）该表面结构材料的热处理的表面上的预定几何形状的周期性重复的凹部的结构的直到包括周期性重复的空腔的层具有沿着空腔从半导体材料的其余部分的层形成的封闭层下方在材料，c）该封闭层的分离表面上的表面。

4. 发明申请

WO2014159946A1 MEMS DEVICE HAVING A GETTER 审中-公开
标题翻译：具有GETTER的MEMS器件
公开(公告)号：WO2014159946A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/US2014/025498
申请日：2014-03-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SAMARAO, Ashwin , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , YAMA, Gary , GRAHAM, Andrew , KIM, Bongsang , PURKL, Fabian
发明人： SAMARAO, Ashwin , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , YAMA, Gary , GRAHAM, Andrew , KIM, Bongsang , PURKL, Fabian
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/322 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00285 , B81C2201/0115 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L23/28
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或通过在该装置的密封腔内形成沟槽。硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物，以减少密封室中存在的气体的量，从而形成低压室。高密度吸气剂用于测辐射仪和陀螺仪，但不限于这些设备。

5. 发明申请

WO2013141181A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2013141181A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/JP2013/057562
申请日：2013-03-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：水島　智教
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/2636 , H01L21/304 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/36 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/8611
摘要：　ｎ - ドリフト領域（１）の内部には、ｐ + コレクタ層と接する第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）が設けられている。第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）は、ｎ + エミッタ領域（３）側に向かって急峻な傾斜で減少する不純物濃度分布を有する。第２ｎ型フィールドストップ層（１０ｂ）は、第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）よりもｎ + エミッタ領域（３）側に向かって緩やかな傾斜で減少する不純物濃度分布を有し、そのピーク位置の不純物濃度は第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）の不純物濃度分布よりも低い。第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）の不純物濃度分布のピーク位置は等しい。第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）は、飛程が等しく、かつ加速エネルギーが異なる第１，２プロトン照射およびアニールにより形成される。
摘要翻译：在n漂移区域（1）中，第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）设置成与p +集电极层接触。第一n型场阻挡层（10a）具有其浓度朝向n +发射极区域（3）侧急剧减小的杂质浓度分布。第二n型场阻挡层（10b）与第一n型场致发射层（10a）相比，具有向n +发射极区域（3）侧适度减小浓度的杂质浓度分布，峰值位置处的杂质浓度为低于第一n型场停止层（10a）的杂质浓度分布的值。第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）的峰值位置彼此相等。第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）分别通过第一和第二质子照射在相等的范围内但不同的加速能级和退火形成。

6. 发明申请

WO2006032948A1 METHOD FOR OBTAINING A THIN LAYER BY IMPLEMENTING CO-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：通过实施共同植被和后续植被来获取薄层的方法
公开(公告)号：WO2006032948A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/IB2004/003301
申请日：2004-09-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , AKATSU, Takeshi
发明人： AKATSU, Takeshi
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/3223
摘要： The invention proposes a method for transferring a thin layer of semiconductor material on a substrate by the SMARTCUT TM type process, the method being characterized in that the implantation step comprises: a first implantation operation consisting in carrying out an implantation of species so as to create said embrittlement zone at a first depth in the thickness of the donor substrate; a second implantation operation consisting in carrying out an implantation of species according to second implantation conditions chosen to create: - at a second depth different from said first depth so as not to affect the detachment that has to take place at the level of the embrittlement zone at said first depth, gettering region preventing the diffusion of species implanted during said first implantation operation towards said face of the donor substrate under which implantation is carried out, thus limiting blisters formation.
摘要翻译：本发明提出了一种通过SMARTCUT

7. 发明申请

WO03003430A3 FILM OR LAYER MADE OF SEMI-CONDUCTIVE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAID FILM OR LAYER 审中-公开
标题翻译：衬底材料膜或层以及制造膜或层的方法
公开(公告)号：WO03003430A3
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/EP0207125
申请日：2002-06-27
申请人： WACKER SILTRONIC HALBLEITERMAT , MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD , SCHMOLKE RUEDIGER , AMMON VON WILFRIED , MORELAND JAMES
发明人： MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD , SCHMOLKE RUEDIGER , AMMON VON WILFRIED , MORELAND JAMES
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： The invention relates to a film or a layer made of semi-conducting material with low defect density in the thin layer, and a SOI-disk with a thin silicon layer exhibiting low surface roughness, defect density and thickness variations. The invention also relates to a method for producing a film or a layer made of semi-conductive material. Said method comprises the following steps: a) producing structures from a semi-conductive material with periodically repeated recesses which have a given geometrical structure, b) thermally treating the surface structured material until a layer with periodically repeated hollow spaces is formed under a closed layer on the surface of the material, c) separating the closed layer on the surface along the layer of hollow spaces from the remainder of the semi-conductive material.
摘要翻译：本发明涉及一种膜或半导体具有在薄层以及与具有低的表面粗糙度，缺陷密度和厚度变化的薄硅层的SOI晶片中的低缺陷密度材料的层。本发明还涉及一种方法zuir生产薄膜或半导体材料，其包括以下步骤的层组成：a）制备包含半导体材料，b）该表面结构材料的热处理的表面上的预定几何形状的周期性重复的凹部的结构的直到包括周期性重复的空腔的层具有沿着空腔从半导体材料的其余部分的层形成的封闭层下方在材料，c）该封闭层的分离表面上的表面。

8. 发明申请

WO2016051970A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2016051970A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/JP2015/072880
申请日：2015-08-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：小野澤　勇一
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/2225 , H01L21/2253 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/3003 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/0834 , H01L29/1004 , H01L29/1037 , H01L29/105 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/365 , H01L29/401 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/4958 , H01L29/732 , H01L29/7373 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L2924/13055
摘要：半導体基板の裏面側からプロトンを注入して、半導体基板内部の欠陥に加えて、半導体基板の表面側におけるチャネル形成領域の欠陥も回復させる。これにより、ゲート閾値電圧のバラつきを低減し、逆電圧印加時の漏れ電流を低減する。裏面側において、プロトンを含むｎ型不純物領域を有する半導体基板と、半導体基板の表面側においてプロトンに対する遮蔽効果を有するバリアメタルとを備える、半導体装置を提供する。
摘要翻译：为了通过从半导体衬底的后表面侧注入质子，除了半导体衬底内部的缺陷之外，还可以使半导体衬底的表面侧的沟道形成区域中的缺陷减少，从而减小栅极阈值电压的变化并且当施加反向电压时减小泄漏电流。本发明提供一种半导体器件，其具有：在背面侧具有包含质子的n型杂质区的半导体衬底; 以及在半导体衬底的正面侧具有相对于质子的阻挡效果的阻挡金属。

9. 发明申请

WO2013141141A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的生产方法
公开(公告)号：WO2013141141A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/JP2013/057310
申请日：2013-03-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：小林　勇介 , 吉村　尚
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/402 , H01L29/66128 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/8611
摘要：　第１導電型の半導体基板（１０１）の裏面からプロトン注入する注入工程と、注入工程後に、半導体基板（１０１）を炉中でアニール処理を行うことによって、半導体基板（１０１）よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第１半導体領域（１０１ａ）を形成する形成工程を含み、形成工程は、炉を水素雰囲気中とし、炉アニールの水素の容積濃度を０．５％以上４．６５％未満で行う。これにより、プロトン注入によるドナー生成において、結晶欠陥低減を図ることができる。また、ドナー化率を向上させることができる。
摘要翻译：一种半导体装置的制造方法，包括：从第一导电型半导体基板（101）的背面发生质子注入的注入工序; 以及形成步骤，其中在注入步骤之后，通过在炉中退火半导体衬底（101）形成杂质浓度高于半导体衬底（101）的第一导电类型的第一半导体区域（101a）。成型步骤在氢气氛中使用炉，并且使用炉体退火的氢体积浓度为0.5％〜4.65％。结果，所述制备方法能够通过质子注入减少供体产生期间的结晶缺陷，以及增加给体速率。

10. 发明申请

WO2009054115A1 ＳＯＩ（Silicon on insulator）構造の半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI半导体器件（绝缘体上硅）结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2009054115A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/002964
申请日：2008-10-20
申请人：株式会社デンソー , 信越半導体株式会社 , 大槻浩 , 堅田満孝 , 能登宣彦 , 竹野博 , 吉田和彦
发明人：大槻浩 , 堅田満孝 , 能登宣彦 , 竹野博 , 吉田和彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L21/26506 , H01L21/3221 , H01L21/3223 , H01L21/3226 , H01L21/76256 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/32 , H01L29/7849 , H01L29/78603
摘要：　ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。これにより、格子歪み層４をゲッタリングサイトとして機能させることが可能となる。また、Ａｒイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層４の引張り応力が１１ＭＰａ以上かつ２７ＭＰａ以下となるようにする。これにより、ゲッタリングサイトとして機能させつつ、リーク電流の発生を抑制することが可能となる。
摘要翻译：提供了使用SOI衬底（100）的SOI结构的半导体器件。通过将Ar离子注入到硅衬底中以形成有源层（3）形成晶格畸变层（4）。结果，晶格畸变层（4）可用作吸杂位点。此外，调节Ar离子的剂量以将晶格畸变层（4）的拉伸应力设定为11MPa以上且27MPa以下。结果，可以抑制晶格畸变层作为吸杂位置而产生泄漏电流。

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