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1. 发明申请

WO2017100607A1 COATING SYSTEM AND ARTICLES MADE THEREBY 审中-公开
标题翻译：涂层系统和由此制造的制品
公开(公告)号：WO2017100607A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/US2016/065875
申请日：2016-12-09
申请人： VITRO, S.A.B. DE C.V. , MCCAMY, James, W.
发明人： MCCAMY, James, W. , HUNG, Cheng-Hung , ARBAB, Mehran , BHANDARI, Abhinav
IPC分类号： B05C19/04 , C03C14/00 , C03B18/12 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/453 , C23C24/04
CPC分类号： C23C24/04 , C03C14/004 , C03C17/007 , C03C2217/42 , C03C2218/1525 , C23C14/046 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/5806
摘要： A float bath coating system includes at least one nanoparticle coater located in a float bath. The at least one nanoparticle coater includes a housing, a nanoparticle discharge slot, a first combustion slot, and a second combustion slot. The nanoparticle discharge slot is connected to a nanoparticle source and a carrier fluid source. The first combustion slot is connected to a fuel source and an oxidizer source. The second combustion slot is connected to a fuel source and an oxidizer source.
摘要翻译：浮槽镀膜系统包括位于浮槽中的至少一个纳米粒子镀膜机。该至少一个纳米粒子涂覆器包括壳体，纳米粒子排出槽，第一燃烧槽和第二燃烧槽。纳米颗粒排放槽连接到纳米颗粒源和载体流体源。第一燃烧槽连接到燃料源和氧化剂源。第二个燃烧槽连接到燃料源和氧化剂源。

2. 发明申请

WO2017043084A1 FORMATION OF LEAD-FREE PEROVSKITE FILM 审中-公开
标题翻译：形成无铅PEROVSKITE膜
公开(公告)号：WO2017043084A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/JP2016/004088
申请日：2016-09-07
申请人： OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION
发明人： QI, Yabing , JUNG, Min-Cherl , RUIZ RAGA, Sonia
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , H01L51/44
CPC分类号： H01L51/4213 , C23C14/0694 , C23C14/24 , C23C14/5806 , C23C14/5893 , Y02E10/549
摘要： A method of forming a Pb-free perovskite film is provided, the method based on vacuum evaporation and comprising: first depositing a first material comprising Sn halide on a substrate to form a first layer; second depositing a second material comprising organic halide to form a second layer on the first layer to obtain a sequentially-deposited two-layer film on the substrate; and annealing the sequentially-deposited two-layer film on the substrate. During the annealing, the first and second materials inter-diffuse and react to form the Pb-free perovskite film. The second layer is formed to cover the first layer so as to prevent the first layer from air exposure. The solar cell device including the Pb-free perovskite film formed by using the present method exhibits good stability.
摘要翻译：提供了一种形成无铅钙钛矿膜的方法，该方法基于真空蒸发，其包括：首先在衬底上沉积包含Sn卤化物的第一材料以形成第一层; 第二沉积包含有机卤化物的第二材料以在第一层上形成第二层以在基底上获得顺序沉积的双层膜; 并在衬底上退火顺序沉积的两层膜。在退火过程中，第一和第二材料相互扩散并反应形成无铅钙钛矿膜。第二层形成为覆盖第一层，以防止第一层曝气。包括使用本方法形成的无铅钙钛矿膜的太阳能电池器件表现出良好的稳定性。

3. 发明申请

WO2016158277A1 光学用光透過性積層体审中-公开
标题翻译：用于光学应用的发光层压板
公开(公告)号：WO2016158277A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/057485
申请日：2016-03-10
申请人：住友理工株式会社
发明人：犬塚　正隆 , 池野　翔一 , 高尾　裕三 , 山崎　裕一郎 , 後藤　修 , 楢▲崎▼　徹司
IPC分类号： B32B27/20 , B32B27/32
CPC分类号： E06B9/24 , B05D1/28 , B32B27/32 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C14/5806 , E06B2009/2417 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B5/3083
摘要：密着性、加工性に優れる光学用光透過性積層体を提供する。　ポリオレフィン層１２と、金属薄膜または金属酸化物薄膜からなる薄膜層１４と、を備え、金属薄膜が、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金のうちの少なくとも１種の金属からなり、金属酸化物薄膜が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム亜鉛のうちの少なくとも１種の金属酸化物からなり、薄膜層１４が、スパッタ法により形成されたものであり、ポリオレフィン層１２の両表面に、シリカ粒子２２が存在している光学用光透過性積層体１０とする。
摘要翻译：提供一种光学应用的透光性层压体，其具有优异的粘合性和可加工性。一种用于光学应用的透光层压板10，其设置有由金属薄膜或金属氧化物薄膜组成的聚烯烃层12和薄膜层14，并且其中：金属薄膜由选自银，银合金，铝，铝合金，铁和铁合金中的至少一种金属; 金属氧化物薄膜由选自氧化铟锡，氧化铟锌，氧化锌，氧化锡，氧化铝锌，镓锌氧化物和铟镓锌氧化物中的至少一种金属氧化物形成; 通过溅射法形成薄膜层14; 并且二氧化硅颗粒22存在于聚烯烃层12的两个表面上。

4. 发明申请

WO2016146256A1 BESCHICHTUNGSQUELLE ZUR HERSTELLUNG DOTIERTER KOHLENSTOFFSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：涂层源用于生产掺杂碳涂层
公开(公告)号：WO2016146256A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/000462
申请日：2016-03-15
申请人： PLANSEE COMPOSITE MATERIALS GMBH
发明人： POLCIK, Peter , WÖRLE, Sabine , MILLER, Ulrich
IPC分类号： C23C16/26 , C23C14/06 , C23C14/32 , C23C14/34 , H01J37/34 , C01B31/02
CPC分类号： C01B32/05 , B22F3/12 , B22F7/008 , B22F2302/10 , B22F2302/40 , B22F2998/10 , C01B32/921 , C01B32/956 , C01P2004/61 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/32614 , H01J37/3426 , H01J37/3491
摘要： Die Erfindung betrifft eine Beschichtungsquelle für die physikalische Dampfphasenabscheidung zur Herstellung von dotierten Kohlenstoffschichten, welche mittels Sintern aus pulverförmigen Komponenten hergestellt ist und Kohlenstoff als Matrixmaterial mit einem Anteil von mindestens 75 mol% und mindestens einen Dotanden mit einem Anteil zwischen 1 mol% und 25 mol% aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于物理气相沉积用于生产碳掺杂层，它是由烧结的手段制成粉状组分的，和碳作为基质材料的涂层源中的至少75％（摩尔）和至少一种掺杂剂的比例为1和25％之间摩尔％摩尔的比例有。

5. 发明申请

WO2016141423A1 A PROCESS, A STRUCTURE, AND A SUPERCAPACITOR 审中-公开
标题翻译：一个过程，一个结构和一个超级消费者
公开(公告)号：WO2016141423A1
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：PCT/AU2016/050152
申请日：2016-03-04
申请人： GRIFFITH UNIVERSITY
发明人： AHMED, Mohsin , IACOPI, Francesca
IPC分类号： C01B31/08 , H01G11/32 , H01G11/26 , H01G11/34 , H01G11/36 , H01G11/86 , C23C16/00 , C23C16/26 , C23C16/32 , B32B23/00
CPC分类号： H01G11/36 , C01B32/184 , C23C14/185 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/325 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/68 , H01G11/86 , Y02E60/13
摘要： A process for forming high surface area graphene structures, the process including: depositing at least one metal on a surface of silicon carbide; heating the at least one metal and the silicon carbide to cause at least one of the metals to react with a portion of the silicon carbide to form silicide regions extending into an unreacted portion of the silicon carbide and graphene disposed between the silicide regions and the unreacted portion of the silicon carbide; and removing the silicide regions to provide a silicon carbide structure having a highly irregular surface and a surface layer of graphene.
摘要翻译：一种用于形成高表面积石墨烯结构的方法，所述方法包括：在碳化硅表面上沉积至少一种金属; 加热所述至少一种金属和所述碳化硅以使所述金属中的至少一种与所述碳化硅的一部分反应，以形成延伸到所述碳化硅的未反应部分中的硅化物区域和设置在所述硅化物区域和所述未反应的所述硅化物区域之间的石墨烯部分碳化硅; 并且去除硅化物区域以提供具有高度不规则表面和石墨烯表面层的碳化硅结构。

6. 发明申请

WO2016114895A1 HIGH RATE SPUTTER DEPOSITION OF ALKALI METAL-CONTAINING PRECURSOR FILMS USEFUL TO FABRICATE CHALCOGENIDE SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：含碱金属含铅前体膜的高速率溅射剂沉积有利于制备聚合物半导体
公开(公告)号：WO2016114895A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/US2015/066266
申请日：2015-12-17
申请人： DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人： HOLLARS, Dennis R. , PAULSON, Puthur , PERSON, Donald , WALL, Arthur C.
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58 , C22C29/00 , H01L21/02 , H01L31/032
CPC分类号： H01L21/02568 , C22C29/00 , C22C32/0089 , C23C14/0057 , C23C14/0623 , C23C14/0694 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L21/02266 , H01L21/02417 , H01L21/02485 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L31/02008 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/188 , H01L45/141 , H01L45/16 , H01L45/1625 , Y02E10/541
摘要： The present invention provides methods to sputter deposit films comprising alkali metal compounds. At least one target comprising one or more alkali metal compounds and at least one metallic component is sputtered to form one or more corresponding sputtered films. The at least one target has an atomic ratio of the alkali metal compound to the at least one metallic component in the range from 15:85 to 85:15. The sputtered film(s) incorporating such alkali metal compounds are incorporated into a precursor structure also comprising one or more chalcogenide precursor films. The precursor structure is heated in the presence of at least one chalcogen to form a chalcogenide semiconductor. The resultant chalcogenide semiconductor comprises up to 2 atomic percent of alkali metal content, wherein at least a major portion of the alkali metal content of the resultant chalcogenide semiconductor is derived from the sputtered film(s) incorporating the alkali metal compound(s). The chalcogenide semiconductors are useful in microelectronic devices, including solar cells.
摘要翻译：本发明提供溅射包含碱金属化合物的沉积膜的方法。包含一种或多种碱金属化合物和至少一种金属成分的至少一种靶被溅射以形成一个或多个相应的溅射膜。所述至少一种靶材的碱金属化合物与所述至少一种金属成分的原子比在15:85至85:15的范围内。掺入这种碱金属化合物的溅射膜被并入还包含一种或多种硫族化物前体膜的前体结构中。前体结构在至少一种硫属元素存在下被加热以形成硫族化物半导体。所得到的硫属元素化物半导体含有至多2原子％的碱金属含量，其中所得硫族化物半导体的碱金属含量的至少大部分源自掺入碱金属化合物的溅射膜。硫族化物半导体可用于微电子器件，包括太阳能电池。

7. 发明申请

WO2016039809A1 SILICATE COATINGS 审中-公开
标题翻译：硅胶涂层
公开(公告)号：WO2016039809A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/US2015/020325
申请日：2015-03-13
申请人： MCT RESEARCH AND DEVELOPMENT
发明人： JENNINGS, Hamlin , SZCZESNIAK, Michal
IPC分类号： B32B17/06 , C09D1/02 , C23C4/10
CPC分类号： C23C28/04 , C09D1/02 , C09D5/08 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/5806 , C23C14/5846 , C25D9/06 , C25D11/024 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18
摘要： Metal products having improved properties and processes for preparing the metal products are provided. The present disclosure provides for a metal product comprising a metal surface, an oxide layer and a glass layer. The glass layer is provided by coating a stable aqueous silicate or borosilicate solution onto the metal surface and curing the aqueous solution to produce a glass layer. The metal products have surface characteristics that outperform all anodized metal surfaces.
摘要翻译：提供了具有改进性能的金属产品和用于制备金属产品的方法。本公开内容提供了包括金属表面，氧化物层和玻璃层的金属产品。通过将稳定的硅酸水溶液或硼硅酸盐溶液涂覆到金属表面上并固化水溶液以产生玻璃层来提供玻璃层。金属制品具有优于所有阳极氧化金属表面的表面特性。

8. 发明申请

WO2016016466A1 THIN FILM DEVICE FABRICATION METHODS AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：薄膜装置制造方法和装置
公开(公告)号：WO2016016466A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/EP2015/067758
申请日：2015-07-31
申请人： KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
发明人： LOCQUET, Jean-Pierre , SU, Chen-Yi
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/54 , C23C14/58
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C14/0021 , C23C14/548 , C23C14/5806 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02318
摘要： A deposition device (100) for providing a thin film on a substrate (130). The device comprises a material source (110) for providing at least one first metallic element which does not re- evaporate substantially from the substrate (130) under particular growth conditions, at least one second metallic element or metal based molecule which does re-evaporate substantially from the substrate (130) under the same growth conditions, and a component suitable for forming an at least one first compound with the at least one first metallic element and an at least one second compound with the at least one second metallic element or metal based molecule. The device comprises a controller (120) configured to control the growth conditions, and the amounts of the at least one first metallic element, the at least one second metallic element or metal based molecule, and the component so as to obtain a substantially stoichiometric thin film.
摘要翻译：一种用于在衬底（130）上提供薄膜的沉积装置（100）。该装置包括用于提供在特定生长条件下基本上不从基底（130）中重新蒸发的至少一种第一金属元素的材料源（110），至少一种第二金属元素或基于金属的分子，其可再蒸发基本上在相同生长条件下从基底（130）和适于与至少一种第一金属元素和至少一种第二化合物形成至少一种第一化合物的成分与至少一种第二金属元素或金属基分子。该装置包括被配置为控制生长条件的控制器（120）以及至少一个第一金属元件，至少一个第二金属元素或金属基分子和该成分的量，以便获得基本上化学计量的薄电影。

9. 发明申请

WO2015186389A1 希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット审中-公开
标题翻译：稀土薄膜磁铁，其生产方法和形成稀土薄膜磁铁的目标
公开(公告)号：WO2015186389A1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/JP2015/056139
申请日：2015-03-03
申请人： JX日鉱日石金属株式会社
发明人：中野　正基 , 福永　博俊 , 柳井　武志 , 板倉　賢 , 澤渡　広信
IPC分类号： H01F1/057 , C22C38/00 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/58 , H01F10/14 , H01F41/02 , H01F41/18
CPC分类号： H01F1/0045 , C22C33/003 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C45/02 , C23C14/16 , C23C14/28 , C23C14/5806 , H01F1/053 , H01F10/126 , H01F41/0253 , H01F41/205
摘要：　本発明は、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｂを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、α－Ｆｅ相とＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ相とが三次元的に交互配列した組織からなり、各相の平均結晶粒径が１０～３０ｎｍであることを特徴とする希土類薄膜磁石。量産性、再現性に優れ、良好な磁気特性を有する希土類薄膜磁石及びその製造方法並び該薄膜を作製するためのターゲットを提供することを課題とする。　
摘要翻译：本发明是以Nd，Fe，B为必要成分的稀土类薄膜磁铁，其特征在于，具有三维交替配置α-Fe相和Nd 2 Fe 14 B相的结构，各自具有10-30nm的平均晶粒直径。稀土类薄膜磁体在质量生产率和再现性方面是优异的，并且具有令人满意的磁性能。还提供了制造稀土类薄膜磁体的方法和用于制造薄膜的靶材。

10. 发明申请

WO2015147933A3 GRAIN SIZE TUNING FOR RADIATION RESISTANCE 审中-公开
标题翻译：颗粒尺寸调谐耐辐射
公开(公告)号：WO2015147933A3
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/US2014071932
申请日：2014-12-22
申请人： UNIV DREXEL , TAHERI MITRA LENORE , VETTERICK GREG
发明人： TAHERI MITRA LENORE , VETTERICK GREG
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C14/16 , C23C14/345 , C23C14/351 , C23C14/541
摘要： A process for producing a radiation resistant nanocrystalline material having a polycrystalline microstructure from a starting material selected from metals and metal alloys. The process including depositing the starting material by physical vapor deposition onto a substrate that is maintained at a substrate temperature from about room temperature to about 850 °C to produce the nanocrystalline material. The process may also include heating the nanocrystalline material to a temperature of from about 450 °C to about 800 °C at a rate of temperature increase of from about 2 °C/minute to about 30 °C/minute; and maintaining the nanocrystalline material at the temperature of from about 450 °C to about 800 °C for a period from about 5 minutes to about 35 minutes. The nanocrystalline materials produced by the above process are also described. The nanocrystalline materials produced by the process are resistant to radiation damage.
摘要翻译：一种制造具有选自金属和金属合金的起始材料的具有多晶微结构的耐辐射纳米晶体材料的方法。该方法包括通过物理气相沉积将起始材料沉积在保持在约室温至约850℃的衬底温度的衬底上以产生纳米晶体材料。该方法还可以包括以约2℃/分钟至约30℃/分钟的升温速率将纳米晶体材料加热至约450℃至约800℃的温度; 并将纳米晶体材料保持在约450℃至约800℃的温度下约5分钟至约35分钟的时间。还描述了通过上述方法生产的纳米晶体材料。由该方法生产的纳米晶体材料具有耐辐射损伤。

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