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1. 发明申请

WO2016181787A1 シリコンエピタキシャルウェーハ、その製造方法审中-公开
标题翻译：硅外延晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2016181787A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/JP2016/062662
申请日：2016-04-21
申请人：株式会社SUMCO
发明人：片野　智一
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , B28D1/08 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L29/16 , H01L29/34
摘要：結晶の窒素濃度を１×１０１１～２×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、結晶冷却速度をシリコン融点～１３５０℃が４．２℃／ｍｉｎ程度、１２００～１０００℃が３．１℃／ｍｉｎ程度、ウェーハの酸素濃度を９．５×１０１７～１３．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるようにシリコン単結晶を引き上げて、該シリコン単結晶からスライスしたウェーハに、処理条件が８７５℃、３０ｍｉｎ程度である熱処理を施した後、エピタキシャル層成長をおこなうことで、規定の酸素濃度を維持しつつエピ欠陥を増やすことなくｓｌｉｐ発生がないエピウェーハを製造する。
摘要翻译：通过拉硅单晶保持规定的氧浓度，使得晶体的氮浓度为1×10 11 -2×10 13原子/ cm 3，晶体冷却即可产生外延晶片，而不发生滑移或外延缺陷的增加速率从硅熔点到1350℃约为4.2℃/分钟，从1200℃到1000℃约为3.1℃/分钟，晶片的氧浓度为9.5×1017-13.5×1017原子/ cm3，在875℃的处理条件下对从硅单晶切片的晶片进行热处理约30分钟，然后进行外延层生长。

2. 发明申请

WO2014181496A1 シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：硅外延波形及其制造方法
公开(公告)号：WO2014181496A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/JP2014/001819
申请日：2014-03-28
申请人：信越半導体株式会社
发明人：櫻田　昌弘
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/167 , C30B15/00 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B29/68 , C30B31/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/3225
摘要：　本発明は、ＣＺ法により炭素濃度が３×１０１６～２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３として育成されたシリコン単結晶棒を切り出して製造されたシリコン基板１０上に第２の中間エピタキシャル層２２と、ドーパントをドープした第１の中間エピタキシャル層２１を有し、該第１の中間エピタキシャル層２１上に素子形成領域であるエピタキシャル層３０が積層されたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法である。これにより、メモリー、ロジックや固体撮像素子など半導体デバイス基板に使用される、炭素をドープしたシリコン基板を素材とし、工業的に優れたシリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种硅外延晶片，其在硅衬底（10）上具有第二中间外延层（22）和掺杂剂掺杂的第一中间外延层（21），该硅衬底（10）通过切割由CZ生长的硅单晶棒处理，使得碳浓度为3×1016〜2×1017原子/ cm3，作为形成有元素的区域的外延层（30）层叠在第一中间外延层（21）上，硅外延晶片的制造方法。由此提供了用于诸如存储器，逻辑或固态图像捕获元件的半导体器件衬底的工业上优异的硅外延晶片，具有碳掺杂硅衬底作为材料的硅外延晶片，以及一种用于制造硅外延晶片的方法。

3. 发明申请

WO2014159946A1 MEMS DEVICE HAVING A GETTER 审中-公开
标题翻译：具有GETTER的MEMS器件
公开(公告)号：WO2014159946A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/US2014/025498
申请日：2014-03-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SAMARAO, Ashwin , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , YAMA, Gary , GRAHAM, Andrew , KIM, Bongsang , PURKL, Fabian
发明人： SAMARAO, Ashwin , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , YAMA, Gary , GRAHAM, Andrew , KIM, Bongsang , PURKL, Fabian
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/322 , B81B7/02
CPC分类号： B81C1/00285 , B81C2201/0115 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L21/3223 , H01L21/3225 , H01L23/28
摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或通过在该装置的密封腔内形成沟槽。硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物，以减少密封室中存在的气体的量，从而形成低压室。高密度吸气剂用于测辐射仪和陀螺仪，但不限于这些设备。

4. 发明申请

WO2014057741A1 シリコンエピタキシャルウェーハ及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法审中-公开
标题翻译：使用相同方法生产硅外延波形和固态图像拾取元件
公开(公告)号：WO2014057741A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/JP2013/073138
申请日：2013-08-29
申请人：信越半導体株式会社
发明人：大槻　剛
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L27/14
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/2255 , H01L27/14683 , H01L27/14698
摘要：　固体撮像素子形成の際の暗電流、白傷を防止するため、ゲッタリング能力を備えかつ、結晶欠陥を低減したシリコンエピタキシャルウェーハ及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法を提供する。　シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記エピタキシャル層内に固溶している炭素の濃度を5×10 15 atoms/cm 3 以上、5×10 16 atoms/cm 3 以下とするようにした。
摘要翻译：提供了一种制造具有吸杂能力并且其中晶体缺陷减小的硅外延晶片的方法，以便在形成固体摄像元件时防止发生暗电流和白色划痕，以及方法用于制造使用该固态摄像元件的固态摄像元件。硅外延晶片具有在硅单晶衬底上形成外延层的结构，将外延层中固体溶解的碳原子浓度设定为5×10 15原子/ cm 3以上，5×10 16个原子 / cm3以下。

5. 发明申请

WO2013176037A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：生产半导体器件的工艺
公开(公告)号：WO2013176037A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/JP2013/063721
申请日：2013-05-16
申请人：富士電機株式会社
发明人：中澤　治雄 , 荻野　正明 , 栗林　秀直 , 寺西　秀明
IPC分类号： H01L21/22 , C30B31/22 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3221 , C30B29/06 , C30B31/22 , H01L21/26513 , H01L21/3225 , H01L29/66325 , H01L29/66333
摘要：　ＣＺ－ＦＺシリコン半導体基板に、１２９０℃以上シリコン結晶の融解温度未満の熱拡散温度および１００時間以上の高温長時間の熱拡散を伴う深い拡散層を形成する拡散工程を備える半導体装置の製造方法において、前記高温長時間の熱拡散の前に、シリコン半導体基板の両主面の表面層に格子間シリコン原子の拡散源を付与する工程を行う。シリコン半導体基板の両主面の表面層に格子間シリコン原子の拡散源を付与する工程は、シリコン半導体基板の両主面に熱酸化膜を形成すること、または、シリコン半導体基板の両主面の表面層にシリコンをイオン注入することによって行う。これにより、１２９０℃以上および１００時間以上の高温長時間の熱拡散を伴う深い拡散層を形成する工程を有する場合でも、結晶欠陥の発生を抑制することができる。
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，其包括通过高温长时间热扩散在CZ-FZ硅半导体衬底中形成深扩散层的扩散步骤，其需要1290℃或更高但较低的高热扩散温度硅晶体的熔融温度和长时间为100小时以上，其中在硅半导体衬底的两个主平面上的表面层上施加间隙硅原子扩散源的步骤在高温长时间之前进行，时间热扩散。通过在硅半导体衬底的两个主平面上形成热氧化膜或通过将硅离子注入到表面中来进行向硅半导体衬底的两个主平面上的表面层施加间隙硅原子扩散源的步骤在硅半导体衬底的两个主平面上的层。因此，即使该方法包括通过需要1290℃以上的高温和长时间100小时的高温长时间热扩散形成深扩散层的工序，也可以防止发生晶体缺陷或者更多。

6. 发明申请

WO2013153724A1 エピタキシャルウェーハとその製造方法审中-公开
标题翻译：外延波形及其制造方法
公开(公告)号：WO2013153724A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/JP2013/000895
申请日：2013-02-19
申请人：信越半導体株式会社
发明人：曲　偉峰 , 田原　史夫 , 大井　裕喜
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B25/186 , C30B29/06
摘要：　本発明は、ＣＺシリコン基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記エピタキシャル層を形成する前に、前記シリコン基板に熱処理を行って表層の酸素を外方拡散させ、該熱処理後のシリコン基板上に前記エピタキシャル層を形成することで、前記シリコン基板と前記エピタキシャル層との界面の酸素濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ'７９）未満であるエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、白キズやストリエーションの発生を確実に防止することができるエピタキシャルウェーハが提供される。
摘要翻译：本发明是一种外延晶片的制造方法，其中在CZ硅衬底上形成外延层，其中在硅衬底和外延层之间的界面上具有氧浓度小于5×1016原子的外延晶片通过在形成外延层之前，通过在硅衬底上进行热处理，然后在热处理后在硅衬底上形成外延层，在外表面层上向外扩散氧而制造。因此，提供能够可靠地防止白点和条纹发生的外延晶片。

7. 发明申请

WO2012140340A1 PROCEDE DE DETERMINATION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE INTERSTITIEL 审中-公开
标题翻译：确定间质氧浓度的方法
公开(公告)号：WO2012140340A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/FR2012/000144
申请日：2012-04-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , VEIRMAN, Jordi , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas
发明人： VEIRMAN, Jordi , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas
IPC分类号： G01N25/00 , G01N27/04 , H01L21/66
CPC分类号： G01N27/041 , G01J3/42 , G01N27/125 , H01L21/3225 , H01L22/12
摘要： Un procédé de détermination de la concentration en oxygène interstitiel d'un échantillon en matériau semi-conducteur dopé de type p comprend une étape de traitement thermique (F1) de l'échantillon pour former des donneurs thermiques, la détermination (F1) de la durée du traitement thermique (t) requise pour obtenir un matériau semi-conducteur compensé, la détermination (F2) de la concentration en donneurs thermiques (N DDT ) de l'échantillon en matériau semi-conducteur compensé, à partir de la concentration en porteurs de charge (p o ), et la détermination (F3) de la concentration en oxygène (C o ) à partir de la concentration en donneurs thermiques (N DDT ) et de la durée du traitement thermique (t).
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定由p掺杂半导体材料制成的样品的间隙氧浓度的方法，其包括样品的热处理（F1）步骤以形成热供体，确定（F1）热获得补偿半导体材料所需的处理时间（t），从电荷载流子浓度（po）确定（F2）由补偿半导体材料制成的样品中的供体的浓度（NDDT），并确定（F3）来自热供体浓度（NDDT）和热处理时间（t）的氧浓度（Co）。

8. 发明申请

WO2012126334A1 直拉硅片的内吸杂工艺审中-公开
公开(公告)号：WO2012126334A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/CN2012/072453
申请日：2012-03-16
申请人：浙江大学 , 马向阳 , 徐泽 , 王彪 , 杨德仁
发明人：马向阳 , 徐泽 , 王彪 , 杨德仁
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225

9. 发明申请

WO2012114659A1 シリコン基板の製造方法及びシリコン基板审中-公开
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：WO2012114659A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/JP2012/000696
申请日：2012-02-02
申请人：信越半導体株式会社 , 岡鉄也 , 江原幸治 , 高橋修治
发明人：岡　鉄也 , 江原　幸治 , 高橋　修治
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１～６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００～８００℃の範囲の温度まで降温速度５～１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ－４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法である。これによって、表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种制造硅衬底的方法，其中快速热处理被应用于通过使用快速加热和冷却装置从由Czochraski方法生长的硅单晶锭切出的硅衬底，并保持温度高于1300℃且不高于硅熔点1〜60秒，然后对硅基板施加第一阶段降温处理，以将温度降低至600℃至 800℃，以5℃〜150℃/秒的温度降低率，然后对硅基板施加第二阶段降温处理，使得X秒的冷却时间和Y°的温度降低率如果X <100，Y = 10，则X = 100时，C /秒满足Y = 0.15X-4.5。因此，可以提供一种制造在表面层中没有RIE缺陷并具有足够长寿命的硅衬底的方法，以及通过该方法制造的硅衬底。

10. 发明申请

WO2011096489A1 シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：硅晶片，其制造方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011096489A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/JP2011/052277
申请日：2011-02-03
申请人：株式会社SUMCO , 小野敏昭 , 藤瀬淳
发明人：小野　敏昭 , 藤瀬　淳
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/268
摘要：【課題】デバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】窒素濃度が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。ウェーハ本体１１は、７５０℃で４時間の熱処理を行った後、１０００℃で４時間の熱処理を行った場合に、板状酸素析出物よりも多面体酸素析出物が優勢に成長する。これにより、デバイスプロセスにおいて板状酸素析出物が形成されにくいことから、デバイスプロセスにて種々の熱履歴を経た後にＬＳＡ処理を行った場合であっても、酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。
摘要翻译：公开了一种外延晶片，其中即使在器件工艺中执行LSA工艺，也防止其产生位错。外延晶片设置有：通过硼掺杂将氮浓度设定为1×10 12原子/ cm 3以上或电阻率设定为20mΩ·cm以下的晶片主体（11）以及设置在晶片主体（11）的表面上的外延层（12）。当晶片主体（11）在750℃下热处理4小时，然后在1000℃下热处理4小时时，多面体氧沉淀主要沉积在板上，如氧沉淀。由于在器件工艺中不容易形成板状氧沉淀物，所以即使在晶片经受了各种热历史之后进行LSA处理，也可以防止产生氧沉淀作为起点的位错设备过程。

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